Low thermal budget in situ surface cleaning for selective silicon epitaxy

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 145, Issue 10, 1998, Pages 3602-3609

  Celik, S Muhsin ^a   Öztürk, Mehmet C ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARBON; CHLORINE; CRYSTAL DEFECTS; EPITAXIAL GROWTH; IMPURITIES; INTERFACES (MATERIALS); OXYGEN; REMOVAL; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SILICON WAFERS; SURFACE ROUGHNESS;

CLEANING EFFICIENCY; DEFECT DENSITY; LOW THERMAL BUDGET REMOVAL; SELECTIVE SILICON EPITAXY;

SURFACE TREATMENT;

EID: 0032188281     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1838849     Document Type: Article

References (38)

1. K. Noda, T. Uchida, T. Tatsumi, T. Aoyama, K. Nakajima, H. Miyamoto, T. Hashimoto, and I. Sasaki, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 19 (1994).
2. S. Nagao, K. Higashitani, Y. Akasak, and H. Nakata, IEEE Trans. Electron Devices, ED-33, 1738 (1986).
3. T. F. Meister, R. Stengl, H. W. Meul, R. Weyl, P. Packan, A. Felder, H. Klose, R. Schreiter, J. Popp, H. M. Rein, and L. Treitinger, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 401 (1992).
4. G. W. Neudeck, P. J. Schubert, J. L. Glenn, J. A. Friedrich, W. A. Klaasen, R. P. Zingg, and J. P. Denton, J. Electron. Mater., 19, 1111 (1990).
5. T. O. Sedgwich, P. D. Agnello, and D. A. Grutzmacher, J. Electrochem. Soc., 140, 3684 (1993).
6. M. J. Tejwani and P. A. Ronsheim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 259, 467 (1992).
7. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev., 31, 187 (1970).
8. H. M. Liaw and J. W. Rose, in Epitaxial Silicon Technology, B. J. Baliga, Editor, p. 71, Academic Press Inc., Orlando, FL (1986)
9. J. Borland and C. Drowley, Solid State Technol., 28, 141 (1985).
10. Y. Yanase, H. Horie, Y. Oka, M. Sano, S. Sumita, and T. Shigematsu, J. Electrochem. Soc., 141, 3259 (1994).
11. T. J. Donahue and R. Reif, J. Appl. Phys., 57, 2757 (1985).
12. B. S. Meyerson, F. K. LeGoues, T. N. Nguyen, and D. L. Harame, Appl. Phys. Lett., 50, 113 (1987).
13. P. J. Grunthaner, F. J. Grunthaner, R. W. Fathauer, T. L. Lin, M. H. Hecht, L. D. Bell, W. J. Kaiser, F. D. Schowengerdt, and J. H. Mazur, Thin Solid Films, 183, 197 (1989).
14. V. J. Silvestri, K. Nummy, P. Ronsheim, R. Bendernagel, D. Kerr, V. T. Phan, J. O. Borland, and J. Hann, J. Electrochem. Soc., 137, 2323 (1990).
15. B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett., 57, 1034 (1990).
16. D. Graf, M. Grunder, and R. Schultz, J. Vac. Sci. Technol., A7, 808 (1989).
17. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, A. Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 961 (1995).
18. P. A. O'neil, M. C. Öztürk, K. E. Violette, D. Batchelor, K. Christensen, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 144, 3309 (1997).
19. R. B. Herring, in Handbook of Semiconductor Silicon Technology, W. C. O'Mara, R. B. Herring, and L. P. Hunt, Editors, p. 286, Noyes Publications, Park Ridge, NJ (1990).
20. Y. Takakuwa, M. K. Mazumder, and N. Miyamoto, Appl. Surf. Sci., 117/118, 88 (1997).
21. T. Ohguro, N. Sugiyama, K. Imai, K. Usuda, M. Saito, T. Yoshitomi, M. Ono, H. S. Momose, and H. Iwai, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technol., 21 (1995).
22. M. K. Sanganeria, K. E. Violette, and M. C. Öztürk, Appl. Phys., Lett., 63, 1225 (1993).
23. G. Ghidini and F. W. Smith, J. Electrochem. Soc., 131, 2924 (1984).
24. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, K. E. Violette, G. Harris, A. Lee, and D. M. Maher, Appl. Phys. Lett., 66, 1255 (1995).
25. J. A. Friedrich, G. W. Neudeck, and S. T. Liu, Appl. Phys. Lett., 53, 2543 (1988).
26. W. Gaynor, C. G. Takoudis, and G. W. Neudeck, J. Vac. Sci. Technol., A, 14, 3224 (1996).
27. S. S. Iyer, M. Arienzo, and E. Fresart, Appl. Phys. Lett., 57, 893 (1990).
28. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, A. Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 3970 (1995).
29. N. Aoto, E. Ikawa, T. Kikkawa, and Y. Kurogi, Surf. Sci, 250, 235 (1991).
30. J. Matsuo, K. Karahashi, A. Sator, and S. Hijiya, Jpn. J. Appl. Phys., 31, 2025 (1992).
31. J. H. McFee, R. G. Swartz, V. D. Archer, and S. N. Finegan, J. Electrochem. Soc., 130, 214 (1983).
32. C. Sheng, D. Gong, X. Wei, F. Lu, Q. Wang, H. Sun, and X. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 2276 (1994).
33. D. G. Schimmel, J. Electrochem. Soc., 126, 479 (1979).
34. M. Offenberg, M. Liehr, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol., A9, 1058 (1991).
35. S. M. Lee, S. H. Lee, M. M. Sung, D. Marton, S. S. Perry, and J. W. Rabalais, in Proceedings of the Eleventh International Conference on Ion Implantation Technology, p. 650 (1996).
36. Y. J. Chabal, G. S. Higashi, and K. Raghavachari, J. Vac. Sci. Technol., A7, 2104 (1989).
37. T. Y. Hsieh, K. H. Jung, D. L. Kwong, T. H. Koschmieder, and J. C. Thompson, J. Electrochem. Soc., 139, 1971 (1992).
38. W. R. Burger and R. Reif, J. Appl. Phys., 62, 4255 (1987).