Etching of Si at low temperatures using a SF6 reactive ion beam: Effect of the ion energy and current density

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 15, Issue 5, 1997, Pages 2661-2669

  Chevolleau, T ^a   Tessier, P Y ^a   Cardinaud, C ^a   Turban, G ^a  

^a UNIVERSITÉ DE NANTES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0031531920     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580939     Document Type: Article

References (36)

1. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
2. Y. Y. Tu, T. J. Chuang, and H. F. Winters, Phys. Rev. B 23, 823 (1981).
3. U. Gerlach-Meyer, J. W. Coburn, and E. Kay, Surf. Sci. 103, 177 (1981).
4. M. A. Loudiana, A. Schmid, J. T. Dickinson, and E. J. Ashley, Surf. Sci. 141, 409 (1984).
5. F. H. M. Sanders, A. W. Kolfschoten, J. Dieleman, R. A. Haring, A. Haring, and A. E. de Vries, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 487 (1984).
6. H. F. Winters and J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 1376 (1985).
7. D. J. Oostra, A. Haring, A. E. de Vries, F. H. M. Sanders, and K. Miyake, Appl. Phys. Lett. 46, 1166 (1985).
8. K. Affolter, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 19 (1989).
9. D. C. Gray, I. Tepermeister, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1243 (1993).
10. C. B. Mullins and J. W. Coburn, J. Appl. Phys. 76, 7562 (1994).
11. M. J. M. Vugts, L. J. F. Hermans, and H. C. W. Beijerinck, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2138 (1996).
12. J. W. Coburn, H. F. Winters, and T. J. Chuang, J. Appl. Phys. 48, 3532 (1977).
13. K. Miyake, S. Tachi, K. Yagi, and T. Tokuyama, J. Appl. Phys. 53, 3214 (1982).
14. S. Tachi and S. Okudaira, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 459 (1986).
15. M. Ballooch, M. Moalen, Wei-E. Wang, and A. V. Hamza, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 229 (1996).
16. T. D. Bestwick, G. S. Oehrlein, and D. Angell, Appl. Phys. Lett. 57, 431 (1990).
17. S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 796 (1991).
18. F. Boukari, L. Wartski, V. Roy, Ph. Coste, C. Schwebel, J. Aubert, and M. Souza, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 101, 459 (1995).
19. P. C. Zalm, J. Appl. Phys. 54, 2660 (1983).
20. P. Sigmund, Phys. Rev. 184, 383 (1969).
21. P. C. Zalm, Pure Appl. Chem. 57, 1253 (1985).
22. C. Steinbrüchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
23. H. H. Andersen and H. L. Bay, in Sputtering by Particle Bombardment 1, Topics in Applied Physics 47, edited by R. Behrisch (Springer, Berlin, 1981).
24. T. J. Chuang, J. Chem. Phys. 74, 1453 (1981).
25. R. d'Agostino and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 52, 162 (1981).
26. K. R. Ryan and I. C. Plumb, Plasma Chem. Plasma Process. 10, 207 (1990).
27. D. L. Flamm, V. M. Donnelly, and J. A. Mucha, J. Appl. Phys. 52, 3633 (1981).
28. M. J. Vasile and F. A. Stevie, J. Appl Phy, 53, 3799 (1982).
29. Y. H. Lee and M. M. Chen, J. Appl. Phys. 54, 5966 (1983).
30. K. Ninomiya, K. Suzuki, S. Nishimatsu, and O. Okada, J. Appl. Phys. 58, 1177 (1985).
31. H. F. Winters and I. C. Plumb, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 197 (1991).
32. J. L. Mauer, J. S. Logan, L. B. Zielinski, and G. C. Schartz, J. Vac. Sci. Technol. 15, 1734 (1978).
33. M. J. M. Vugts, L. J. F. Hermans, and H. C. W. Beijennck, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2820 (1996).
34. M. E. Barone and D. B. Graves, J. Appl. Phys. 77, 263 (1995).
35. J. Royer, P. Y. Tessier, B. Grolleau, and G. Turban, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 234 (1996).
36. P. C. Zalm and L. J. Beckers, J. Appl. Phys. 56, 220 (1984).