Si3N4/Si/In0.05Ga0.95As/n-GaAs metal-insulator-semiconductor devices

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 1, 1997, Pages 516-523

  Park, Dae Gyu ^b   Li, Ding ^b   Tao, Meng ^b   Fan, Zhifang ^b   Botchkarev, Andrei E ^b   Mohammad, S Noor ^b   Morkoç, Hadis ^a,b  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; CHARGE CARRIERS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; MISFET DEVICES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON NITRIDE; TRANSCONDUCTANCE;

FREQUENCY DISPERSION; MINORITY CARRIER RECOMBINATION;

MIS DEVICES;

EID: 0030819776     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364130     Document Type: Article

References (40)

1. S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, and D. I. Ma, Solid-State Electron. 37, 1695 (1994); C. W. Wilmsen and S. Szpak, Thin Solid Films 46, 17 (1977).
2. S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, and D. I. Ma, Solid-State Electron. 37, 1695 (1994); C. W. Wilmsen and S. Szpak, Thin Solid Films 46, 17 (1977).
3. K. Kakimura and Y. Sakai, Thin Solid Films 56, 215 (1979); H. Becke, R. D. Moore, and J. White, Solid-State Electron. 8, 813 (1965).
4. K. Kakimura and Y. Sakai, Thin Solid Films 56, 215 (1979); H. Becke, R. D. Moore, and J. White, Solid-State Electron. 8, 813 (1965).
5. C. Kaya, T.-P. Ma, T.-C. Chen, and R. C. Barker, J. Appl. Phys. 64, 3949 (1988); M. R. Chin and T.-P. Ma, Appl. Phys. Lett. 42, 883 (1983).
6. C. Kaya, T.-P. Ma, T.-C. Chen, and R. C. Barker, J. Appl. Phys. 64, 3949 (1988); M. R. Chin and T.-P. Ma, Appl. Phys. Lett. 42, 883 (1983).
7. (a) C. Kaya, T.-P. Ma, and T.-C. Chen, J. Appl. Phys. 64, 3958 (1988).
8. (b) L. Messick, J. Appl. Phys. 47, 5474 (1976).
9. H. Hasegawa, L. He, H. Ohno, T. Sawada, and T. Haga, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1097 (1987).
10. P. P. Jenkins, A. N. Maclnnes, M. Tabib-Azar, and A. R. Barront, Science 263, 1751 (1994).
11. Y. H. Jeong, K. H. Choi, and S. K. Jo, IEEE Electron Device Lett. 15, 251 (1994).
12. J. Lagowski, I. Baltov, and H. C. Gatos, Surf. Sci. 40, 216 (1973).
13. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, J. Appl. Phys. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985); E. W. Kreutz and P. Schroll, Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979).
14. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, J. Appl. Phys. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985); E. W. Kreutz and P. Schroll, Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979).
15. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, J. Appl. Phys. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985); E. W. Kreutz and P. Schroll, Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979).
16. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, J. Appl. Phys. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985); E. W. Kreutz and P. Schroll, Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979).
17. S. Tiwari, S. L. Wright, and J. Batey, IEEE Electron Device Lett. 9, 488 (1988).
18. D. S. L. Mui, D. Biswas, J. Reed, A. L. Demirel, S. Strite, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 60, 2511 (1992).
19. D. G. Park, M. Tao, K. Suzue, A. E. Botchkarev, J. Reed, Z. Fan, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 150, 1275 (1995); see also D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996).
20. D. G. Park, M. Tao, K. Suzue, A. E. Botchkarev, J. Reed, Z. Fan, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 150, 1275 (1995); see also D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996).
21. J. Reed, M. Tao, D. G. Park, K. Suzue, A. E. Botchkarev, Z. Fan, D. Li, S. N. Mohammad, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, Solid-State Electron. 38, 1351 (1995).
22. D. S. L. Mui, Z. Wang, and H. Morkoç, Thin Solid Films 231, 107 (1993).
23. A. J. Sambell and J. Wood, IEEE Trans. Electron Devices 37, 88 (1990).
24. L. J. Brillso, M. L. Slade, and R. E. Viturro, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 919 (1988).
25. H. Morkoç, B. Sverdlov, and G. Gao, Proc. IEEE 81, 493 (1993).
26. J. M. Ballingall, P. A. Martin, J. Mazurowski, P. Ho, P. C. Chao, P. M. Smith, and K. H. G. Duh, Thin Solid Films 231, 95 (1993).
27. G. L. Price, Appl. Phys. Lett. 53, 1288 (1988).
28. J. Van Nostrand, S. Jay Chey, D. G. Cahill, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Surf. Sci. 346, 136 (1996).
29. K. Adomi, S. Strite, H. Morkoç, Y. Nakamura, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. 69, 220 (1991).
30. Y. Manabe and T. Mitsuyu, J. Appl. Phys. 66, 2475 (1989).
31. D. S. L. Mui, S. F. Fang, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 59, 1887 (1991).
32. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14 2674 (1996).
33. M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
34. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
35. V. W. L. Chin Solid-State Electron. 34, 1187 (1991).
36. H. Hasegawa, M. Akazawa, H. Ishii, and K. Matsuzaki, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 870 (1989).
37. E. Martin, O. A. Aina, A. A. Iliadis, M. R. Mattingly, and L. H. Stecker, IEEE Electron Device Lett. 9, 500 (1988).
38. H. Haddara, T. Elewa, and S. Cristoloveanu, IEEE Electron Device Lett. 9, 35 (1988).
39. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1990).
40. M. Akazawa, H. Hasegawa, and E. Ohue Jpn. J. Appl. Phys. 1 28, L2095 (1989).