Synergetic effects in annealing and low energy ion bombardment of Si(100) surfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 10, 1998, Pages 5217-5223

  Lee, S M ^a   Fell, C J ^a   Marton, D ^a   Rabalais, J W ^a  

^a University of Houston   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012392891     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.367342     Document Type: Article

References (33)

1. Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology, edited by W. Kern (Noyes, Park Ridge, NJ, 1993).
2. Y. Z. Hu, P. P. Buaud, L. Spanos, Y. Q. Wang, M. Li, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1315 (1994).
3. Y. Z. Hu, P. P. Buaud, Y. Q. Wang, L. Spanos, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 64, 1233 (1994).
4. P. Raynaud and C. Pomot, J. Vac. Sci. Technol, B 11, 699 (1993).
5. T. Shibata, Y. Nanishi, and M. Fujimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L1181 (1990).
6. Z. H. Lu, K. Griffiths, and P. R. Norton, Mod. Phys. Lett. B 7, 155 (1993).
7. W. R. Burger and R. B. Reif, J. Appl. Phys. 62, 4255 (1987).
8. K. Uesugi, M. Yoshimura, and T. Yao, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2018 (1994).
9. B. S. Swartzentruber, Y. W. Mo, M. W. Webb, and M. G. Lagally, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2901 (1989).
10. D. Dijkkamp, E. J. van Loenen, A. J. Hoeven, and J. Dieleman, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 218 (1909).
11. V. A. Ukraintsev and J. T. Yates, Jr., Surf. Sci. 346, 31 (1996).
12. S. M. Lee, S. H. Lee, M. M. Sung, D. Marton, S. S. Perry, and J. W. Rabalais, IEEE Proceedings of the 11th International Conference Ion Implant Technology, 1997 (unpublished), p. 650.
13. M. L. Yu, Appl. Phys. Lett. 40, 986 (1982).
14. A. H. Al-Bayati, K. G. Orrman-Rossiter, R. Badheka, and D. G. Armour, Surf. Sci. 237, 213 (1990).
15. D. Marton, J. Fine, and G. P. Chambers, Mater. Sci. Eng., A 115, 223 (1989).
16. J. W. Rabalais, A. H. Al-Bayati, K. J. Boyd, D. Marton, J. Kulik, Z. Zhang, and W. K. Chu, Phys. Rev. B 53, 10 781 (1996).
17. Y. Lifshitz, S. R. Kasi, and J. W. Rabalais, Phys. Rev. B 41, 10 468 (1990).
18. A. H. Al-Bayati, D. Marton, S. S. Todorov, K. J. Boyd, J. W. Rabalais, D. G. Armour, J. S. Gordon, and G. Duller, Rev. Sci. Instrum. 65, 2680 (1994).
19. S. I. Hlupin and A. F. Akkerman (private communication).
20. J. F. Zeigler, J. P. Biersack, and U. Littmark, in The Stopping and Range of Ions in Solids, edited by J. F. Zeigler (Pergamon, New York, 1985).
21. Surface Phases on Silicon: Preparation, Structures, and Properties, edited by V. G. Lifshitz, A. A. Saranin, and A. V. Zotov (Wiley, 1994).
22. U. Korte and G. Meyer-Ehmsen, Surf. Sci. 232, 367 (1990).
23. J. C. Bean, G. E. Becker, P. M. Petroff, and T. E. Seidel, J. Appl. Phys. 48, 907 (1977).
24. J. H. Comfort, L. M. Carverick, and R. Reif, J. Appl. Phys. 62, 3388 (1987).
25. M. V. R. Murty and H. A. Atwater, Phys. Rev. B 45, 1507 (1992).
26. S. Uhlmann, Th. Frauenheim, K. J. Boyd, D. Marton, and J. W. Rabalais, Radiat. Eff. Defects Solids 141, 185 (1997).
27. I. Yamada, D. Marton, and F. W. Saris, Appl. Phys. Lett. 37, 563 (1980).
28. D. J. Eaglesham, H.-J. Gossman, and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 65, 1227 (1990).
29. M. V. R. Murty and H. A. Atwater, Phys. Rev. B 49, 8483 (1994).
30. T. Miyazaki and S. Adachi, J. Appl. Phys. 72, 5471 (1992).
31. K. J. Boyd, D. Marton, J. W. Rabalais, S. Uhlmann, and Th. Frauenheim, J. Vac. Sci. Technol. A (submitted).
32. Y. H. Xie, K. L. Wang, and Y. C. Kao, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 1035 (1985).
33. S. P. Withrow, K. L. More, R. A. Zuhr, and T. E. Haynes, Vacuum 39, 1065 (1989).