Improving the Al-bearing native-oxide/GaAs interface formed by wet oxidation with a thin GaP barrier layer

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 21, 1998, Pages 2722-2724

  Chou, L J ^a   Hsieh, K C ^a   Moy, A ^a   Wohlert, D E ^a   Pickrell, G ^a   Cheng, K Y ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0010415034     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121071     Document Type: Article

References (15)

1. L. G. Meiners and H. H. Wieder, Mater. Sci. Rep. 3, 139 (1988).
2. M. H. Hong, J. Cryst. Growth 150, 277 (1995).
3. M. H. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. 14, 2297 (1996).
4. M. H. Hong, J. P. Manaerts, J. Kwo, A. Y. Cho, L. J. Chou, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, J. Vac. Sci. Technol. B (to be published).
5. R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, K. D. Choquette, and R. P. Schneider, Jr., Appl. Phys. Lett. 69, 19 (1996).
6. C. I. H. Ashby, J. P. Sullivan, P. P. Newcomer, N. A. Missert, H. O. Hou, B. E. Hammons, M. J. Hafich, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 70, 2443 (1997).
7. C. I. H. Ashby, J. P. Sullivan, P. P. Newcomer, N. A. Missert, H. Q. Hou, B. E. Hammons, and A. G. Baca, Proceedings of 26th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1997), Vol. 97-1, p. 58.
8. E. I. Chen, N. Holonyak, Jr. and A. Maranowski, Appl. Phys. Lett. 66, 2688 (1995).
9. P. A. Grudowski, R. V. Chelakara, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 69, 388 (1996).
10. R. S. Burton and T. E. Schlesinger, J. Appl. Phys. 76, 5503 (1994).
11. J. H. Kim, D. H. Lim, K. S. Kim, G. M. Yang, K. Y. Lim, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 69, 3357 (1996).
12. F. A. Kish, S. J. Caracci, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh, J. E. Baker, A. R. Sugg, J. M. Dallesasse, R. M. Fletcher, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, and M. G. Craford, J. Electron. Mater. 21, 1133 (1992).
13. A. Chin, W. J. Chen, T. Chang, R. H. Kao, B. C. Lin, C. Tsai, and J. C. M. Huang, IEEE Electron Device Lett. 18, 471 (1997).
14. F. Briones and D. M. Collins, J. Electron. Mater. 11, 847 (1982).
15. J. M. Woodall and J. L. Freeouf, J. Vac. Sci. Technol. 19, 794 (1981).