Shifts and splitting of energy bands in elastically strained InGaP/GaAs(111)B epitaxial films

Journal of Applied Physics

Volumn 82, Issue 3, 1997, Pages 1214-1219

  Alperovich, V L ^a   Bolkhovityanov, Yu B ^a   Jaroshevich, A S ^a   Katkov, A V ^a   Revenko, M A ^a   Scheibler, H E ^a   Terekhov, A S ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0007230699     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365891     Document Type: Article

References (27)

1. G. L. Bir and G. E. Pikus, Symmetry and Strain-Induced Effects in Semiconductors (Wiley, New York, 1974).
2. M. Chandrasekhar and F. H. Pollak, Phys. Rev. B 15, 2127 (1977).
3. G. H. Olsen, C. J. Nuese, and R. T. Smith, J. Appl. Phys. 49, 5523 (1978).
4. H. Asai and K. Oe, J. Appl. Phys. 54, 2052 (1983).
5. C. P. Kuo, S. K. Vong, R. M. Cohen, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 57, 5428 (1985).
6. K. Ozasa, M. Yuri, S. Tanaka, and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 68, 107 (1990).
7. A. Bensaada, A. Chennouf, R. W. Cochrane, J. T. Graham, R. Leonelli, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 75, 3034 (1994).
8. E. Kuphal, A. Pocker, and A. Eisenbach, J. Appl. Phys. 73, 4599 (1993).
9. N. A. Bert, A. T. Gorelenok, A. G. Dzigasov, S. G. Konnikov, V. N. Mdivani, I. S. Tarasov, and A. S. Usikov, Fiz. Techn. Semicond. (in Russian) 16, 60 (1982).
10. S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).
11. S. C. Jain, M. Willander, and H. Maes, Semicond. Sci. Technol. 11, 641 (1996); Erratum: Semicond. Sci. Technol. 11, 975 (1996).
12. T. Nakanishi, H. Aouagi, H. Horinaka, Y. Kamiua, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, and M. Tsubata, Phys. Lett. A 158, 345 (1991).
13. T. Maruyama, E. L. Garwin, R. Prepost, G. H. Zapalac, J. C. Smith, and J. D. Walker, Phys. Rev. Lett. 66, 2376 (1991).
14. V. L. Alperovich, Yu. B. Bolkhovityanov, A. G. Paulish, and A. S. Terekhov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 340, 429 (1994).
15. P. Drescher, S. Plützer, E. Reichert, M. Schemies, V. L. Alperovich, Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Jaroshevich, A. G. Paulish, H. E. Scheibler, and A. S. Terekhov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 381, 169 (1996).
16. A. K. Gutakovskii, S. I. Stenin, and B. G. Zakharov, Phys. Status Solidi A 67, 299 (1981).
17. F. Calle, A. L. Alvarez, A. Sacedon, E. Calleja, and E. Munoz, Phys. Status Solidi A 152, 201 (1995).
18. E. A. Caridi, and J. B. Stark, Appl. Phys. Lett. 60, 1441 (1992).
19. Yu. B. Bolkhovityanov, A. M. Gilinsky, N. V. Nomerotsky, E. M. Trukhanov, and A. S. Jaroshevich, J. Cryst. Growth 149, 17 (1995).
20. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Jaroshevich, N. V. Nomerotsky, M. A. Revenko, and E. M. Trukhanov, J. Cryst. Growth 158, 217 (1996).
21. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Jaroshevich, N. V. Nomerotsky, M. A. Revenko, and E. M. Trukhanov, J. Appl. Phys. 79, 7636 (1996).
22. J.-M. Baribeau, Appl. Phys. Lett. 52, 105 (1988).
23. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Jaroshevich, M. A. Revenko, H. E. Scheibler, and A. S. Terekhov, Semicond. Sci. Technol. 11, 1847 (1996).
24. G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 43, 3455 (1972).
25. G. Ji, D. Huang, U. K. Reddy, T. S. Henderson, R. Houndre, and R. Morkoc, J. Appl. Phys. 62, 3366 (1987).
26. H. Q. Hou and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 75, 4673 (1994).
27. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).