Different recrystallization patterns of Si+ implanted GaAs

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 11, 1999, Pages 7587-7596

  Desnica Frankovic I D ^a  

^a RUDER BO KOVI INSTITUTE   (Croatia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004828315     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370559     Document Type: Article

References (60)

1. W. Wesh, E. Wendler, G. Goetz, and N. P. Kekelidse, J. Appl. Phys. 65, 519 (1989); W. Wesh, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 68, 341 (1992).
2. W. Wesh, E. Wendler, G. Goetz, and N. P. Kekelidse, J. Appl. Phys. 65, 519 (1989); W. Wesh, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 68, 341 (1992).
3. H. G. Robinson, T. E. Haynes, E. L. Allen, C. C. Lee, M. D. Deal, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 76, 4571 (1994).
4. T. E. Haynes and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 58, 62 (1991); 59, 452 (1991).
5. T. E. Haynes and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 58, 62 (1991); 59, 452 (1991).
6. N. A. G. Ahmed, C. E. Christodoulides, and G. Carter, Radiat. Eff. 52, 211 (1980).
7. R. Ares, Y. B. Trudeau, J. L. Brebner, G. E. Kajrys, and M. Jouanne, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 90, 419 (1994).
8. U. V. Desnica, J. Wagner, T. E. Haynes, and O. W. Holland, J. Appl. Phys. 71, 2591 (1992).
9. D. K. Sadana, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 7/8, 375 (1985).
10. S. J. Pearton, Solid State Phenom. 1/2, 247 (1988).
11. T. E. Haynes, R. Morton, and S. S. Lau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 300, 311 (1993).
12. L. Cespregi, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon, Phys. Lett. A 54, 157 (1975).
13. J. F. Gibbons, Proc. IEEE 60, 9 (1972).
14. S. S. Lau and W. F. Van der Weg, in Thin Films-Interdiffusion and Reactions, edited by J. M. Poate, K. N. Tu, and J. W. Mayer (Wiley, New York, 1978), Chap. 12.
15. C. Licoppe, Y. I. Nissim, and C. Meridiadec, J. Appl. Phys. 58, 3094 (1985).
16. J. S. Williams and M. W. Austin, Appl. Phys. Lett. 36, 994 (1980).
17. J. S. Williams and M. W. Austin, Nucl. Instrum. Methods 168, 307 (1980).
18. K. B. Belay, D. Y. Liwellyn, and M. C. Ridgway, Appl. Phys. Lett. 69, 2255 (1996).
19. W. G. Opyd, J. F. Gibbons, J. C. Bravman, and M. A. Parker, Appl. Phys. Lett. 49, 974 (1986).
20. W. G. Opyd, J. F. Gibbons, and A. J. Mardinly, Appl. Phys. Lett. 53, 1515 (1988).
21. T. Nakamura and T. Katoda, J. Appl. Phys. 53, 5870 (1982).
22. H. Yoshida and T. Katoda, J. Appl. Phys. 67, 7281 (1990).
23. C. Licoppe, Y. I. Nissim, C. Meridiadec, and P. Krauz, J. Appl. Phys. 60, 1352 (1986).
24. M. Ivanda, I. Hartman, and W. Kiefer, Phys. Rev. B 51, 1567 (1995).
25. U. V. Desnica, I. D. Desnica-Franković, M. Ivanda, and K. Furic, Phys. Rev. B 55, 16205 (1997).
26. H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun, 39, 625 (1981).
27. K. K. Tiong, P.M. Amirtharaj, F. H. Pollak, and D. E. Aspnes, Appl. Phys. Lett. 44, 122 (1984).
28. J. Wagner, H. Seelewind, and W. Janz, J. Appl. Phys. 67, 1779 (1990).
29. H. Kanber, R. J. Cipolli, V. B. Henderson, and J. Whelan, J. Appl. Phys. 57, 4732 (1985).
30. J. Wagner and C. R. Frizsche, J. Appl. Phys. 64, 808 (1988).
31. S. G. Kim, H. Asahi, M. Seta, J. Takizava, S. Emura, R. K. Soni, S. Gonda, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 74, 579 (1993).
32. S. G. Kim, H. Asahi, M. Seta, S. Emura, H. Watanabe, S. Gonda, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 74, 2300 (1993).
33. S. J. Yu, H. Asahi, S. Emura, H. Sumida, S. Gonda, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 66, 856 (1989); H. Kuwahata, F. Uehara, T. Matsumori, and N. Moto, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 459 (1997).
34. S. J. Yu, H. Asahi, S. Emura, H. Sumida, S. Gonda, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 66, 856 (1989); H. Kuwahata, F. Uehara, T. Matsumori, and N. Moto, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 459 (1997).
35. T. Nakamura and T. Katoda, J. Appl. Phys. 57, 1084 (1985).
36. M. Ramsteiner, J. Wagner, J. Ennen, and M. Maier, Phys. Rev. B 38, 10669 (1988).
37. H. Hofssaes and G. Lindner, Phys. Rep. 201, 121 (1991).
38. M. Holtz, R. Zallen, A. E. Geissberger, and R. A. Sadler, J. Appl. Phys. 59, 1946 (1986).
39. Ushioda, Solid State Commun. 15, 149 (1974).
40. J. Wagner, M. Ramsteiner, and W. Haydl, J. Appl. Phys. 61, 3050 (1987).
41. L. Artus, R. Cusco, J. Ibanez, J. M. Martin, and G. Gonzalez-Diaz, J. Appl. Phys. 82, 3736 (1997).
42. J. L. T. Waugh and G. Dolling, Phys. Rev. B B132, 2410 (1963).
43. R. Ashokan, K. P. Jain, H. S. Mavi, and M. Balkanski, J. Appl. Phys. 60, 1985 (1986).
44. B-R. Shi, N. Cue, T-B. Xu, and S. Au, J. Appl. Phys. 80, 2127 (1996).
45. T. Sauncy and M. Holtz, Phys. Rev. B 50, 10702 (1994).
46. X. L. Wu, T. Gao, X. M. Bao, F. Yan, S. S. Jiang, and D. Feng, J. Appl. Phys. 82, 2704 (1997).
47. D. R. Myers, P. L. Gourley, and P. S. Peercy, J. Appl. Phys. 54, 5032 (1983).
48. K. B. Belay, D. J. Llewellyn, and M. C. Ridgway, Appl. Phys. Lett. 69, 2534 (1996).
49. X. L. Wu, F. Yan, X. M. Bao, N. S. Li, L. S. Liao, M. S. Zhang, S. S. Jiang, and D. Feng, Appl. Phys. Lett. 68, 2091 (1996).
50. W. G. Opyd, J. F. Gibbons, and A. J. Mardinly, Appl. Phys. Lett. 53, 1515 (1988).
51. A. Claverie, H. Fujioka, L. Laanab, Z. Liliental-Weber, and E. R. Weber, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 327 (1995).
52. R. Zallen J. Non-Cryst. Solids 141, 227 (1992).
53. J. Lannin, J. Non-Cryst. Solids 141, 233 (1992).
54. R. Tsu, J. E. Baglin, G. J. Lasher, and J. C. Tsang, Appl. Phys. Lett. 34, 153 (1979).
55. R. Tsu, S. S. Chao, M. Izu, S. R. Ovshinsky, G. J. Jan, and F. H. Pollak, J. Phys. Colloq. 42, C4-269 (1981).
56. R. Murri, F. Gozzo, N. Pinto, L. Schiavulli, C. De Blasi, and D. Mano, J. Non-Cryst. Solids 127, 12 (1991).
57. 3
58. T. E. Haynes, O. W. Holland, and U. V. Desnica, in Advanced III-V Compound Semiconductor Growth, Processing and Devices Symposium, edited by S. J. Pearton, D. K. Sadana and J. M. Zavada (Materials Research Society, Pittsburgh, 1992), Vol. 240, pp. 823-827.
59. N. Moriya et al., J. Appl. Phys. 73, 4248 (1993).
60. M. Holtz and R. Zallen, J. Appl. Phys. 59, 1946 (1986).