Endpoint uniformity sensing and analysis in silicon dioxide plasma etching using in situ mass spectrometry

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 6, 1998, Pages 2996-3002

  Chambers, J J ^a   Min, K ^a   Parsons, G N ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0003608969     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590332     Document Type: Article

References (21)

1. T. E. Benson, L. I. Kamlet, P. Klimecky, and F. L. Terry, Jr., J. Electron. Mater. 25, 955 (1996).
2. D. Economou, E. S. Aydil, and G. Barna, Solid State Technol. 34, 107 (1991).
3. H. L. Maynard, N. Layadi, and J. T. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 109 (1997).
4. S. Vallon, O. Joubert, L. Vallier, F. Ferrieu, B. Drevillon, and N. Blayo, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 865 (1997).
5. I. Tepermeister, W. T. Conner, T. Alzaben, H. Barnard, K. Gehlert, and D. Scipione, Solid State Technol. 39, 63 (1996).
6. J. L. Cecchi, J. E. Stevens, R. L. Jarecki, Jr., and Y. C. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 318 (1991).
7. Z. Wan, J. Liu, and H. H. Lamb, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2035 (1995).
8. P. K. Mozumder and G. G. Barna, IEEE Trans. Semicond. Manuf. 7, 1 (1994).
9. S. Thomas III, H. H. Chen, C. K. Hanish, J. W. Grizzle, and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2531 (1996).
10. K. Sung and S. W. Pang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 7112 (1994).
11. M. J. Buie, J. T. Pender, J. Soniker, M. L. Brake, and M. Elta, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1930 (1995).
12. H. L. Maynard, E. A. Reitman, J. T. C. Lee, and D. E. Ibbotson, J. Electrochem. Soc. 143, 2029 (1996).
13. P. J. Wolf, Masters thesis, North Carolina State University, 1996.
14. L. L. Tedder, G. W. Rubloff, I. Shareef, M. Anderle, D. H. Kim, and G. N. Parsons, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1924 (1995).
15. A. I. Chowdhury, W. W. Read, G. W. Rubloff, L. L. Tedder, and G. N. Parsons, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 127 (1997).
16. P. K. Mozumder and G. G. Barna, Technical Activity Report, Semiconductor Process and Design Center, Texas Instruments, Dallas, TX, August 1991.
17. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. 16, 391 (1979).
18. M. Oshima, Surf. Sci. 86, 858 (1979).
19. J. W. Butterbaugh, D. C. Gray, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1461 (1991).
20. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 323 (1994).
21. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).