Growth of GaN on lithium gallate substrates for development of a GaN thin compliant substrate

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1300-1304

  Doolittle, William A ^a   Kropewnicki, Tom ^a   Carter Coman, C ^a   Stock, S ^a   Kohl, Paul ^a   Jokerst, Nan Marie ^a   Metzger, Robert A ^a   Kang, Sangbeom ^a   Lee, Kyeong Kyun ^a   May, Gary ^a   Brown, April S ^a  

^a GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001665108     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590005     Document Type: Article

References (19)

1. T. D. Moustakas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 111 (1996).
2. M. Marezio, Acta Crystallogr. 18, 481 (1965).
3. B. A. Auld, Acoustic Fields and Waves in Solids, 2nd ed. (Krieger, Malabar, FL, 1990).
4. H. Neumann, E. Pirl, and G. Kuhn, J. Mater. Sci. Lett. 6, 495 (1987).
5. S. Nanamatsu, K. Doi, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 11, 816 (1972).
6. H. Neumann, Cryst. Res. Technol. 25, 667 (1990).
7. H. Neumann, G. Kuhn, H. Neels, E. Nowak, and E. Pirl, Cryst. Res. Technol. 22, 413 (1987).
8. R. G. Wilson, B. L. H. Chai, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 69, 3848 (1996).
9. L. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abemathy, J. M. Zavada, and B. L. H. Chai, J. Electrochem. Soc. 143, L169 (1996).
10. J. F. H. Nicholls, H. Gallagher, B. Henderson, C. Trager-Cowan, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, T. S. Cheng, C. T. Foxon, and B. H. T. Chai, Mater. Res. Symp. Proc. 395, 535 (1996).
11. M. A. L. Johnson, W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, M. Leonard, H. S. Kong, J. A. Edmund, and J. Zavada, J. Cryst. Growth 175/176, 72 (1997).
12. M. A. L. Johnson, Shizuo Fujita, W. H. Rowland, Jr., K. A. Bowers, W. C. Hughes, Y. W. He, N. A. El Masry, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmund, Solid-State Electron. 41, 213 (1997).
13. A. V. Andrianov, D. E. Lacklison, J. W. Orton, T. S. Cheng, C. T. Foxon, K. P. O'Donnell, and J. F. H. Nichols, Semicond. Sci. Technol. 12, 59 (1997).
14. Y. Tazoh, T. Ishii, and S. Miyazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L746 (1997).
15. O. M. Kryliouk, T. W. Dann, T. J. Anderson, H. P. Maruska, L. D. Zhu, J. T. Daly, M. Lin, P. Norris, H. T. Chai, D. W. Kisker, J. H. Li, and K. S. Jones, Mater. Res. Symp. Proc. 449, 123 (1997).
16. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, R. Lavado, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 69, 2116 (1996).
17. C. Carter-Coman, R. Bicknell-Tassius, A. S. Brown, and N. M. Jokerst, Appl. Phys. Lett. 70, 1754 (1997).
18. T. Ishii, Y. Tazoh, and S. Miyazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L139 (1997).
19. T. Kropenwicki, W. A. Doolittle, C. Carter-Coman, S. Kang, P. Kohl, and A. S. Brown, J. Electrochem. Soc. Lett, (to be published).