Hybrid atomic force/scanning tunneling lithography

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 5, 1997, Pages 1811-1817

  Wilder, Kathryn ^a   Soh, Hyongsok T ^a   Atalar, Abdullah ^a,b   Quate, Calvin F ^a  

^a STANFORD UNIVERSITY   (United States)

^b BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001646713     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589530     Document Type: Article

References (27)

1. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, and J. Bennett, Appl. Phys. Lett. 56, 2001 (1990).
2. H. Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Appl. Phys. Lett. 63, 1288 (1993).
3. T. Thundat, L. A. Nagahara, P. I. Oden, S. M. Lindsay, M. A. George, and W. S. Glaunsinger, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3537 (1990).
4. H. J. Song, M. J. Rack, K. Abugharbieh, S. Y. Lee, V. Khan, D. K. Ferry, and D. R. Allee, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3720 (1994).
5. E. S. Snow, D. Park, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 69, 269 (1996).
6. Snow used a short pulse to oxidize silicon and from the length of the pulse inferred a maximum writing speed of 1 mm/s. See E. S. Snow and P. M. Campbell Appl. Phys. Lett. 64, 1932 (1994). From our experience, however, oxidation does not occur at scan speeds in excess of about 10 μm/s.
7. S. C. Minne, S. R. Manalis, A. Atalar, and C. F. Quate, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2456 (1996).
8. S. W. Park, H. T. Soh, C. F. Quate, and S.-I. Park, Appl. Phys. Lett. 67, 2415 (1995).
9. E. S. Snow and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 66, 1388 (1995).
10. S. C. Minne, H. T. Soh, P. Flueckiger, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. 66, 703 (1995).
11. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B. J. Vartanian, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68, 34 (1996).
12. M. A. McCord and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 293 (1988).
13. C. R. K. Marrian, F. K. Perkins, S. L. Brandow, T. S. Koloski, E. A. Dobisz, and J. M. Calvert, Appl. Phys. Lett. 64, 390 (1994).
14. F. K. Perkins, E. A. Dobisz, and C. R. K. Marrian, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2597 (1993).
15. C. R. K. Marrian and E. A. Dobisz, Proc. SPIE 1671, 166 (1992).
16. C. R. K. Marrian, E. A. Dobisz, and R. J. Colton, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 3563 (1990).
17. A. Majumdar, P. I. Oden, J. P. Carrejo, L. A. Nagahara, J. J. Graham, and J. Alexander, Appl. Phys. Lett. 61, 2293 (1992).
18. I. Y. Yang, H. Hu, L. T. Su, V. V. Wong, M. Burkhardt, E. E. Moon, J. M. Carter, D. A. Antoniadis, H. J. Smith, K. W. Rhee, and W. Chu, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 4051 (1994).
19. A. Classen, S. Kuhn, J. Straka, and A. Forchel, Microelectron. Eng. 17, 21 (1992).
20. Y. Martin and H. K. Wickramasinghe, Appl. Phys. Lett. 64, 2498 (1994).
21. K. Wilder, B. Singh, and W. H. Arnold, Proc. SPIE 2725, 1996 ().
22. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London 114, 173 (1928).
23. L. F. Thompson, L. E. Stillwagon, and E. M. Doerries, J. Vac. Sci. Technol. 15, 938 (1978).
24. L. E. Ocola, D. S. Fryer, G. Reynolds, A. Krasnoperova, and F. Cerrina, Appl. Phys. Lett. 68, 717 (1996).
25. W. H. Arnold, B. Singh, and K. Phan, Solid State Technol., 139 (1989).
26. L. Bauch, U. Jagdhold, and M. Bottcher, Microelectron. Eng. 30, 53 (1996).
27. D. Sarid, Scanning Force Microscopy (Oxford University Press, New York, 1991).