Micromagnetic studies of read and write process in magnetoresistive random access memory

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 6, 2000, Pages 3068-3073

  Wei, Dan ^a   Ong, C K ^b   Yang, Zheng ^c  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c LANZHOU UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001534410     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372301     Document Type: Article

References (13)

1. D. D. Tang, P. K. Wang, V. S. Speriosu, S. Le, and K. K. Kung, IEEE Trans. Magn. 31, 3206 (1995).
2. E. Y. Chen, S. Tehrani, T. Zhu, M. Durkam, and H. Goronkin, J. Appl. Phys. 81, 3992 (1997).
3. S. Tehrani, E. Chen, M. Durkam, M. DeHerrera, J. M. Slaughter, J. Shi, and G. Kerszykowshi, J. Appl. Phys. 84, 5822 (1999).
4. H. J. Kim, B. I. Lee, and S. K. Joo, IEEE Trans. Magn. 34, 558 (1998).
5. P. Lubitz, S. F. Cheng, K. Russmann, G. A. Prinz, J. J. Crebs, J. M. Daughton, and D. Wang, J. Appl. Phys. 85, 5027 (1999).
6. J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, and R. Meservey, Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1995).
7. Y. Lu, R. A. Altman, A. Marley, S. A. Rishton, P. L. Trouilloud, G. Xiao, W. J. Gallagher, and S. S. P. Parkin, Appl. Phys. Lett. 70, 2610 (1997).
8. D. Wang, M. Tondra, J. M. Daughton, C. Nordman, and A. V. Pohm, J. Appl. Phys. 85, 5255 (1999).
9. S. S. P. Parkin, K. P. Roche, M. G. Samant, P. M. Rice, R. B. Beyers, R. R. Scheuerlein, E. J. O'Sullivan, S. L. Brown, J. Bucchigano, D. W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P. L. Trouilloud, R. A. Wanner, and W. J. Gallagher, J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999).
10. J. M. Daughton, J. Appl. Phys. 81, 3758 (1997).
11. G. Herzer, Mater. Sci. Eng., A 133, 1 (1991).
12. K. Matsuyama, Y. Hirokado, and H. Asada, J. Appl. Phys. 69, 4853 (1991).
13. D. Wang, J. M. Daughton, K. Bussmann, and G. A. Prinz, J. Appl. Phys. 83, 7034 (1998).