Growth of GaN Layer from the Single-Source Precursor (Et2GaNH2)3

Chemistry of Materials

Volumn 10, Issue 8, 1998, Pages 2251-2257

  Park, Hyung S ^a   Waezsada, Said D ^a   Cowley, Alan H ^b   Roesky, Herbert W ^a  

^a UNIVERSITY OF GÖTTINGEN   (Germany)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001487034     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm980188+     Document Type: Article

References (49)

1. Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagamura, S. I.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Sugimoto, Y; Kiyoku, H. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 868.
2. Yoshida, S.; Sasaki, M.; Kawanishi, H. J. Cryst. Growth 1994, 136, 37.
3. Nakamura, S.; Mukai, T.; Senoh, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1998.
4. Nakamura, S.; Senoh, M.; Mukai, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L8.
5. Khan, M. A.; Chen, Q.; Skogman, R. A.; Kuznia, J. N. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 2046.
6. Nakamura, S.; Senoh, M.; Iwasa, N.; Nagamura, S. I. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1868.
7. Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagamura, S. I.; Iwasa N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y. Jpn. J. Appl. Phys.1996, 35, L217.
8. Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagahama, S.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y.; Kiyoku, H. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1417.
9. Keller, S.; Keller, B. P.; Kapolnek, D.; Mishra, U. K.; Denbaars, S. P.; Shmagin, I. K.; Kolbas, R. M.; Krishnankutty, S. J. Cryst. Growth 1997, 170, 349.
10. Pankove, J. I. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1987, 97, 409.
11. Lei, T.; Moustakas, T. D.; Graham, R. J.; He, Y.; Berkowrtz, S. J. J. Appl. Phys. 1992, 71, 4933.
12. Strite, S.; Lin, M. E.; Morkoc, H. Thin Solid Films 1993, 231, 197.
13. Morkoc, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, B. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1363.
14. Strite, S.; Morkoc, H. J. Vac. Sci. Technol. B 1992, 10, 1237.
15. Yang X. H.; Schmidt, T. J.; Shan, W.; Song, J. J.; Goldenberg, B. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1.
16. Kim, S. T.; Amano, H.; Akasaki, I. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 267.
17. Yim W. M.; Stotko, E. J.; Zanzucchi, P. J.; Pankove, J. I.; Ettenberg, M.; Gilbert, S. L. J. Appl. Phys. 1973, 44, 292.
18. Liu, S. S.; Stevenson, D. A. J. Electrochem. Soc. 1978, 125, 1161.
19. Marasino, L. A.; Pichugin, I. G.; Tlaczala, M. Krist. Technol. 1977, 12, 541.
20. Eddy, C. R.; Moustakas, T. D. J. Appl. Phys. 1993, 73, 448.
21. Paisley, M. J.; Sitar, Z.; Posthill, J. B.; Davis, R. F. J. Vac. Sci. Technol. A 1989, 7, 701.
22. Detchprohm, T.; Hiramatsu, K.; Sawaki, I.; Akasaki, I. J. Cryst. Growth, 1994, 137, 171.
23. Baixia, L.; Yinkui, L.; Yi, L. J. Mater. Chem. 1993, 3, 117.
24. Boyd, D. C.; Haasch, R. T.; Mantel, D. R.; Schulze, R. K.; Evans, J. F.; Gladfelter, W. L. Chem. Mater. 1989, 1, 119.
25. Khan, M. A.; Kuznia, J. N.; Van Hove, J. M.; Olson, D. T. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 526.
26. Miehr, A.; Mattner, M. R.; Fischer, R. A. Organometallics 1996, 15, 2053.
27. Nakamura, S. J. Cryst. Growth 1997, 179, 11.
28. Matsuoka, T. Adv. Mater. 1996, 8, 469.
29. Kawabata, T.; Matsuda, T.; Koike, S. J. Appl. Phys. 1981, 56, 2367.
30. Kouvetakis, J.; Beach, D. B. Chem. Mater. 1989, 1, 476.
31. Andrews, J. E.; Littlejohn, M. A. J. Electrochem. Soc. 1975, 22, 1273.
32. Lakhotia, V.; Neumayer, D. A.; Cowley, A. H.; Jones, R. A.; Ekerdt, J. G. Chem. Mater. 1995, 7, 546.
33. Gordon, R. G.; Hoffman, D. M.; Riaz, U. Mater. Res. Soc. Proc. 1991, 204, 95.
34. 6, 394.
35. Jones, A. C. J. Cryst. Growth 1993, 129, 728.
36. Neumayer, D. A.; Cowley, A. H.; Decken, A.; Jones R. A.; Lakhotia, L.; Ekerdt, J. G. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 5893.
37. Ho, K. L.; Jensen, K. F.; Hwang, J.-W.; Gladfelter, W. L.; Evans, J. F. J. Cryst. Growth 1991, 107, 376.
38. Interrante, L. V.; Lee, W.; McConnell, M.; Lewis, N.; Hall, E. J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 472.
39. Park, H. S.; Moktari, M.; Roesky, H. W. Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 135.
40. Miehr, A.; Ambacher, O.; Rieger, W.; Metzger, T.; Born, E.; Fischer, R. A. Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 51.
41. Lorenz, M. R.; Binkowski, B. B. J. Electrochem. Soc. 1962, 109, 24.
42. JCPDS International Center for Diffraction Data, Swartmore, PA, 1992, Card No. (2-1078) hexagonal GaN.
43. JCPDS International Center for Diffraction Data, Swartmore, PA, 1992, Card No. (5-0601) Gallium.
44. Hwang, J.-W.; Campbell, J. P.; Kozubowski, J.; Hanson, S. A.; Evans, J. F.; Gladfelter, W. L. Chem. Mater. 1995, 7, 515.
45. Porowski, S. J. Cryst. Growth 1996, 166, 583.
46. Matsuoka, T.; Sasaki, T.; Katsui, A. Optoelectronics Device & Technologies (OP-DET) 1990, 5, 53.
47. Powell, R. C.; Lee, N. E.; Kim, Y. W.; Greene, J. E. J. Appl. Phys. 1993, 73, 189.
48. Lagerstedt, O.; Monemar, B. Phys. Rev. B 1979, 19, 3064.
49. Detchprohm, T.; Hiramatsu, K.; Itoh, K.; Akasaki, I. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, L1454.