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Journal of Crystal Growth

Volumn 184-185, Issue , 1998, Pages 398-405

Growth of p-type Zn(S)Se layers by MOVPE

(2) Fujita, Shizuo a Fujita, Shigeo a

a KYOTO UNIVERSITY (Japan)

Author keywords

p Type, Zn(S)Se; Photoassisted MOVPE; Purity of precursors; SiO2 Capping layer; Thermal annealing

Indexed keywords

EID: 0001460702 PISSN: 00220248 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/s0022-0248(98)80084-5 Document Type: Article

Times cited : (10)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.