Oxidation study of plasma-enhanced chemical vapor deposited and rf sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 3, 2001, Pages 1942-1947

  Choi, W K ^a   Lee, L P ^a   Foo, S L ^a   Gangadharan, S ^a   Chong, N B ^a   Tan, L S ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001430573     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1330252     Document Type: Article

References (33)

1. W. K. Choi, Defect Diffus. Forum 177-178, 29 (1999).
2. W. K. Choi, Silicon-based Materials and Devices, edited by S. H. Nalwa (Academic, New York) (to be published).
3. H. Yoshihara, H. Mori, and M. Kiuchi, Thin Solid Films 76, 1 (1981).
4. M. H. Lee, J. M. Eldridge, L. Liclican, and R. E. Richardson, J. Electrochem. Soc. 129, 2174 (1982).
5. J. B. Kortright and D. L. Windt, Appl. Opt. 27, 2841 (1988).
6. A. Klumpp, U. Schabber, H. L. Offerreins, K. Kühl, and H. Sandmaier, Sens. Actuators A 41-42, 310 (1994).
7. F. Demichelis, C. F. Pirri, E. Tresso, V. Rigato, and G. DellaMea, J. Non-Cryst. Solids 128, 133 (1991).
8. T. Friessnegg, M. Bourdreau, P. Mascher, A. Knights, P. J. Simpson, and W. Puff, J. Appl. Phys. 84, 786 (1998).
9. W. K. Choi, T. Y. Ong, L. J. Han, F. C. Loh, and K. L. Tan, Phys. Status Solidi A 169, 67 (1998).
10. W. K. Choi, T. Y. Ong, L. S. Tan, F. C. Loh, and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 83, 4968 (1998).
11. W. K. Choi and S. Gangadharan, Mater. Sci. Eng., B 75, 174 (2000).
12. D. K. Basa and F. W. Smith, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 439 (1990).
13. W. K. Choi, Y. M. Chan, C. H. Ling, Y. Lee, R. Gopalakrishnan, and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 77, 827 (1995).
14. J. Bullot and M. P. Schmidt, Phys. Status Solidi B 143, 345 (1987).
15. W. K. Choi, F. L. Loo, F. C. Loh, and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 80, 1611 (1996).
16. D. R. Mackenzie, J. Phys. D 18, 1935 (1985).
17. S. Ray, D. Das, and A. K. Barua, Sol. Energy Mater. 15, 43 (1986).
18. H. Wieder, M. Cardona, and C. R. Guarnieri, Phys. Status Solidi B 92, 99 (1979).
19. Y. Catherine, A. Zamouche, J, Bullot, and J. Gauthier, Thin Solid Films 109, 145 (1983).
20. Y. Tawada, T. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, and H. Hamakawa, J. Appl. Phys. 53, 5273 (1982).
21. B. Dischler, A. Bubenzer, and P. Koidl, Solid State Commun. 48, 105 (1983).
22. P. R. McKurdy, J. M. Truitt, and E. R. Fisher, J. Electrochem. Soc. 145, 3271 (1998).
23. P. J. R. Honeybone, J. K. Walters, D. W. Huxley, R. J. Newport, W. S. Howells, J. Tomkinson, and C. Hotham, J. Non-Cryst. Solids 169, 54 (1994).
24. R. Arce, R. R. Koropecki, R. H. Buitrago, F. Alvarez, and I. Chambouleyron, J. Appl. Phys. 66, 4544 (1989).
25. J. P. Ponpon and B. Bourdon, Solid State Electron. 25, 875 (1982).
26. J. M. Eldridge, J. O. Moore, G. Olive, and V. Dunton, J. Electrochem. Soc. 137, 2266 (1990).
27. A. Suzuki, H. Asida, N. Furui, K. Mameno, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 519 (1982).
28. C. D. Fung and J. J. Kopanski, Appl. Phys. Lett. 45, 757 (1984).
29. W. A. Pliskin and H. S. Lehman, J. Electrochem. Soc. 112, 1013 (1965).
30. W. K. Choi, C. K. Choo, K. K. Han, J. H. Chen, F. C. Loh, and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 83, 2308 (1998).
31. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Locovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
32. A. Morimoto, T. Miura, M. Kumeda, and T. Shimizu, J. Appl. Phys. 53, 7299 (1982).
33. W. K. Choi, L. J. Han, and F. L. Loo, J. Appl. Phys. 81, 276 (1997).