Structural and dielectric properties of epitaxial Ba1-xSrxTiO3/Bi4Ti3O 12/ZrO2 heterostructures grown on silicon

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 10, 2000, Pages 1523-1525

  Canedy, C L ^a   Aggarwal, S ^a   Li, Hao ^a   Venkatesan, T ^a   Ramesh, R ^a   Van Keuls, F W ^b   Romanofsky, R R ^b   Miranda, F A ^b  

^a UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

^b NASA GLENN RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001405250     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1290724     Document Type: Article

References (19)

1. H.-M. Christen, J. Mannhart, K. J. Williams, and Ch. Gerber. Phys. Rev. B 49, 12095 (1994).
2. D. E. Kotecki. Integr. Ferroeleetr. 16, 1 (1997).
3. A. I. Kingon, S. K. Streiffer. C. Basceri. and S. R. Summerfelt. MRS Bull. 21, 46 (1996).
4. V. K. Varadan, D. K. Ghodgaonkar, V. V. Varadan, J. F. Kelly, and P. Glikerdas, Microwave J. 35, 116 (1992).
5. R. W. Babbitt, T. E. Koscica, and W. C. Drach, Microwave J. 35, 63 (1992).
6. K. R. Carroll, J. M. Pond, D. B. Chrisey. J. S. Horwitz, R. E. Leuchtner, and K. S. Grabowski, Appl. Phys. Lett. 62, 1845 (1993).
7. J. S. Horwitz, D. B. Chrisey, J. M. Pond, R. C. Y. Auyeung, C. M. Cotell. K. S. Grabowski, P. C. Dorsey. and M. S. Kluskens. Integr. Ferroelectr. 8, 53 (1995).
8. B. A. Baumert, L.-H. Chang, A. T. Matsuda, C. J. Tracy, N. G. Cave, R. B. Gregory, and P. L. Fejes, J. Mater. Res. 13, 197 (1998).
9. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Aplocations of Ferroclectrics and Related Materials (Clarendon. Oxford 1977).
10. R. Waser and S. Hoffmann, J. Korean Phys. Soc. 32, S1340 (1998).
11. M. McNeal, S.-J. Jang, and R. Newnham, J. Appl. Phys. 83, 3288 (1998).
12. H. N. Al-Shareef, K. D. Fifford, P. D. Hren, S. H. Rou, O. Auciello, and A. I. Kingon. Integr. Ferroelectr. 2, 181 (1992).
13. R. A. McKee, F. J. Walker, and M. F. Chisholm. Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998).
14. Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. M. Finder, C. D. Overgaard, R. Droopad, K. W. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, J. R. Conner, and V. S. Kaushik, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1653 (2000).
15. F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky, D. Y. Bohman, M. D. Winters, F. A. Miranda, C. H. Mueller, R. E. Treece, T. V. Rivkin, and D. Galt, Appl. Phys. Lett. 71, 3075 (1997).
16. F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky. and F. A. Miranda, Integr. Ferroelectr. 22, 893 (1998); F. W. Van Keuls, C. H. Mueller, F. A. Miranda, R. R. Romanofsky, C. L. Canedy, S. Aggarwal, T. Venkatesan, R. Ramesh, S. Horwitz, W. Chang, and W. Kim. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (1999). p. 737.
17. F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky. and F. A. Miranda, Integr. Ferroelectr. 22, 893 (1998); F. W. Van Keuls, C. H. Mueller, F. A. Miranda, R. R. Romanofsky, C. L. Canedy, S. Aggarwal, T. Venkatesan, R. Ramesh, S. Horwitz, W. Chang, and W. Kim. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (1999). p. 737.
18. D. Roy and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 62, 1056 (1993).
19. A. Mansingh and S. B. Krupanidni, Thin Solid Films 80, 359 (1981).