Structural characterization of Si1-xGex alloy layers grown by molecular beam epitaxy on Si(001) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 12, 2000, Pages 8759-8765

  Asano, T ^a   Nakao, T ^a   Matada, H ^a   Tambo, T ^a   Ueba, H ^a   Tatsuyama, C ^a  

^a UNIVERSITY OF TOYAMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001313740     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373607     Document Type: Article

References (26)

1. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mil, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
2. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett. 66, 2903 (1991).
3. P. J. Wang, B. S. Meyerson, K. Ismail, F. F. Fang, and J. Nocera, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 403 (1991).
4. R. Hull, J. C. Bean, R. E. Leibenguth, and D. J. Werder, J. Appl. Phys. 65, 4723 (1989).
5. B. S. Meyerson, K. J. Uram, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 53, 2555 (1988).
6. P. M. Mooney, J. L. Jordan-Sweet, K. Ismail, J. O. Chu, R. M. Feensta, and F. K. Legoues, Appl. Phys. Lett. 67, 2373 (1995).
7. T. Obata, K. Komeda, T. Nakao, H. Ueba, and C. Tatsuyama, J. Appl. Phys. 81, 199 (1997).
8. H. Chen, L. W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
9. K. K. Linder, F. C. Xhang, J. S. Riech, P. Bhattacharya, and D. Houghton, Appl. Phys. Lett. 70, 3224 (1997).
10. J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).
11. C. S. Peng et al., Appl. Phys. Lett. 72, 3160 (1998).
12. A. G. Cullis, D. J. Lobbins, A. J. Pidduck, and P. W. Smith, J. Cryst. Growth 123, 333 (1992).
13. A. G. Cullis, D. J. Robbins, S. J. Barnett, and A. J. Pidduck, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1924 (1994).
14. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
15. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
16. S. Yu. Shiryaev, F. Jensen, and J. W. Petersen, Appl. Phys. Lett. 64, 3305 (1994).
17. M. A. Lutz, R. M. Feenstra, F. K., LeGoues, P. M. Mooney, and J. O. Dhu, Appl. Phys. Lett. 66, 724 (1995).
18. M. Albrecht, S. Christiansen, J. Michler, W. Dorsch, H. P. Strunk, P. O. Hansson, and E. Bauser, Appl. Phys. Lett. 67, 1232 (1995).
19. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
20. R. H. M. van de Leur, A. J. G. Schellingerhout, F. Tuinstra, and J. E. Mooij, J. Appl. Phys. 64, 3043 (1988).
21. Y. Fukuda, Y. Kohama, and Y. Ohmachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, L20 (1990).
22. D. J. Lockwood and J.-M. Baribeau, Phys. Rev. B 45, 8565 (1992).
23. D. Dutartre, P. Warren, F. Chollet, F. Gisbert, M. Berenguer, and I. Berbezier, J. Cryst. Growth 142, 78 (1994).
24. Y. H. Xie et al., Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
25. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, and P. D. Kirchner, J. Appl. Phys. 71, 4230 (1992).
26. P. M. Mooney, F. K. LeGoues, J. Tersoff, and J. O. Chu, J. Appl. Phys. 75, 3968 (1994).