Structural characterization of Si0.7Ge0.3 layers grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 1, 1997, Pages 199-204

  Obata, T ^a   Komeda, K ^b   Nakao, T ^b   Ueba, H ^b   Tatsuyama, C ^b  

^a R and D Engineering Department   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOYAMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001680545     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363841     Document Type: Article

References (21)

1. K. Ismail, B. S. Meyerson, and P. J. Wang, Appl. Phys. Lett. 58, 2117 (1991).
2. Y. J. Mu, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 59, 1611 (1991).
3. F. Schäffler, D. Tobben, H.-J. Herzog, G. Abstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).-
4. R. People, J. C. Bean, D. V. Lang, A. M. Sergent, H. L. Störmer, K. W. Wecht, R. T. Lynch, and K. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 45, 1231 (1984).
5. T. P. Pearsall and J. C. Bean, IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 308 (1986).
6. P. J. Wang, B. S. Meyerson, F. F. Fang, J. Nocera, and B. Parker, Appl. Phys. Lett. 55, 2420 (1989).
7. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett. 66, 2903 (1991).
8. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mil, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
9. P. J. Wang, B. S. Meyerson, K. Ismail, F. F. Fang, and J. Nocera, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 403 (1991).
10. J. Tersoff, Appl. Phys. Lett. 62, 693 (1993).
11. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 48, 538 (1986).
12. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
13. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
14. J. C. Bean, J. Cryst. Growth 70, 444 (1984).
15. Y. Hida, T. Tamagawa, H. Ueba, and C. Tatsuyama, J. Appl. Phys. 67, 7274 (1990).
16. X. Wang, G. L. Zhou, T. C. Zhou, C. Sheng, and M. R. Yu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 220, 241 (1991).
17. D. C. Houghton, C. J. Gibbings, C. G. Tuppen, M. H. Lyons, and M. A. G. Hallliwell, Appl. Phys. Lett. 56, 460 (1990).
18. J. Weber and M. I. Alonso, Phys. Rev. B 40, 5683 (1989).
19. D. J. Robbins, L. T. Canham, S. J. Barnett, A. D. Pitt, and P. Calcott, J. Appl. Phys. 71, 1407 (1992).
20. N. A. Drozdov, A. A. Partrin, and V. D. Tkachev, Sov. Phys. JETP Lett. 23, 597 (1976).
21. R. Sauer, J. Waber, and J. Stolz, Appl. Phys. A 36, 1 (1985).