X-ray diffraction and optical characterization of interdiffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum-dot superlattices

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 14, 2000, Pages 2130-2132

  Xu, S J ^a   Wang, H ^a   Li, Q ^a   Xie, M H ^a   Wang, X C ^b   Fan, W J ^b   Feng, S L ^c  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001237753     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1314298     Document Type: Article

References (28)

1. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
2. A. O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. A. Bert, and Zh. I Alferov, Appl. Phys. Lett. 69, 3072 (1996).
3. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
4. R. Leon, D. R. M. Williams, J. Krueger, E. R. Weber, and M. R. Melloch, Phys. Rev. B 56, R4336 (1997).
5. C. Lobo, R. Leon, S. Fal'ard, and P. G. Piva, Appl. Phys. Lett. 72, 2850 (1998).
6. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
7. R. Leon, S. Fafard, P. G. Piva, S. Ruvimov, and Z. Liliental-Weber, Phys. Rev. B 58, R4262 (1998).
8. S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. Ni. Allen, D. Picard, M. Spanner, J. P. McCaffrey, and P. G. Piva, Phys. Rev. B 59, 15368 (1999).
9. X. C. Wang, S. J. Xu, S. J. Chua, Z. H. Zhang, W. J. Fan, C. H. Wang, J. Jiang, and X. G. Xie, J. Appl. Phys. 86, 2687 (1999).
10. S. Fafard and C. Ni. Allen, Appl. Phys. Lett. 75, 2374 (1999).
11. T. M. Hsu, Y. S. Lan, W.-H. Chang, N. T. Yeh, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 691 (2000).
12. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
13. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
14. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
15. F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A. O. Kosogov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 71, 22 (1997).
16. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
17. K. K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X. F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, and J. C. Jiang, Appl. Phys. Lett. 74, 1355 (1999).
18. Y. W. Zhang, S. J. Xu, and C.-h. Chiu, Appl. Phys. Lett. 74, 1809 (1999).
19. G. Park, O. B. Shchekin, S. Csutak, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
20. H. Eisele, O. Flebbe, T. Kalka, C. Preinesberger, F. Heinrichsdorff, A. Krost, D. Bimberg, and M. Dähne-Prietsch, Appl. Phys. Lett. 75, 106 (1999).
21. B. Lita, R. S. Goldman, J. D. Phillips, and P. K. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 75, 2797 (1999).
22. S. Fafard, M. Spanner, J. P. McCaffrey, and Z. R. Wasilewski, Appl. Phys. Lett. 76, 2268 (2000).
23. A. Krost, G. Bauer, and J. Woitok, in Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers, edited by G. Bauer and W. Richter (Springer, Berlin, 1996), Chap. 6, and references therein.
24. S. J. Chua, S. J. Xu, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, The Proceedings of the 9th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Narosa, India, 1997, pp. 11-17.
25. A. J. Williamson and A. Zunger, Phys. Rev. B 59, 15819 (1999).
26. W. J. Bartels, J. Hornstra, and D. J. W. Lobeek, Acta Crystallogr., Sect. A: Found. Crystallogr. 42, 539 (1986).
27. J. Kim, L.-W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. B 57, R9408 (1998).
28. R. M. Fleming, D. B. McWhan, A. C. Gossard, W. Wiegmann, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. 51, 357 (1980).