Effects of biaxial strain and chemical ordering on the band gap of InGaN

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 2, 2001, Pages 189-191

  Wright, A F ^a   Leung, K ^a   Van Schilfgaarde, M ^b  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001196103     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1338490     Document Type: Article

References (35)

1. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
2. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
3. J. Wagner, A. Ramakrishnan, D. Behr, M. Maier, N. Herres, M. Kunzer, H. Obloh, and K.-H. Bachem. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.8 (1999).
4. R. Goldhahn, J. Scheiner, S. Shokhovets, T. Frey, U. Köhler, D. J. As, and K. Lischka, Appl. Phys, Lett. 76, 291 (2000).
5. O. Brandt, J. R. Müllhäuser, B. Yang, H. Yang, and K. H. Ploog, Physica E (Amsterdam) 2, 532 (1998).
6. S. Chichihu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
7. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (2000).
8. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
9. C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 85, 3786 (1999).
10. V. Lemos, E. Silveira, J. R. Tabata, R. Trentin, L. M. R. Scolfaro, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Phys. Rev. Lett. 84, 3666 (2000).
11. W. W. Chow and S. W. Koch, Semiconductor-Laser Fundamentals: Physics of the Gain Materials (Springer, Berlin, 1999).
12. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998); D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, ibid. 85, 883 (1999); M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999); P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Scricht, I. Moerman, and L. Considine, ibid. 72, 1742 (1998); P. Ruterana and F. Deniel, Mater. Sci. Eng., B 59, 186 (1999).
13. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998); D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, ibid. 85, 883 (1999); M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999); P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Scricht, I. Moerman, and L. Considine, ibid. 72, 1742 (1998); P. Ruterana and F. Deniel, Mater. Sci. Eng., B 59, 186 (1999).
14. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998); D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, ibid. 85, 883 (1999); M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999); P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Scricht, I. Moerman, and L. Considine, ibid. 72, 1742 (1998); P. Ruterana and F. Deniel, Mater. Sci. Eng., B 59, 186 (1999).
15. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998); D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, ibid. 85, 883 (1999); M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999); P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Scricht, I. Moerman, and L. Considine, ibid. 72, 1742 (1998); P. Ruterana and F. Deniel, Mater. Sci. Eng., B 59, 186 (1999).
16. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998); D. Doppalapudi, S. N. Basu, and T. D. Moustakas, ibid. 85, 883 (1999); M. K. Behbehani, E. L. Piner, S. X. Liu, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 2202 (1999); P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Scricht, I. Moerman, and L. Considine, ibid. 72, 1742 (1998); P. Ruterana and F. Deniel, Mater. Sci. Eng., B 59, 186 (1999).
17. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugehauer. Appl. Phys. Lett. 74, 2319 (1999).
18. P. Hohenherg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964); W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. A 140, 1133 (1965); D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980); J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
19. P. Hohenherg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964); W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. A 140, 1133 (1965); D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980); J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
20. P. Hohenherg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964); W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. A 140, 1133 (1965); D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980); J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
21. P. Hohenherg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964); W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. A 140, 1133 (1965); D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980); J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
22. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994); G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996); D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
23. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994); G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996); D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
24. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 49, 14251 (1994); G. Kresse and J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996); D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990).
25. U. Grossner, J. Furthmüller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 58, R1722 (1998).
26. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
27. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995).
28. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3465 (1995).
29. L. Vegard, Z. Phys. 5, 17 (1921).
30. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
31. M. S. Hyhertsen and S. G. Louie, Phys. Rev. B 34, 5390 (1986).
32. Optical Spectroscopy and Composition of InGaN, edited hy K. P. O'Donnell, R. W. Martin, M. E. White, K. Jacobs, W. Van der Stricht, P. Demeester, A. Vantomme, M. F. Wu, and J. F. W. Mosselmans (Materials Research Society, Boston. MA, 1999), Vol. 595.
33. C. G. Van de Walle, M. D. McCluskey, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Sci. Eng., B 59, 274 (1999); L. Bellaiche, T. Matilla, L.-W. Wang, S. H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999); we note that recent all-electron calculations [M. van Schilfgaarde, A. Sher, and A.-B. Chen, J. Cryst. Growth 178, 8 (1997)] yielded results for unstrained zinc-blende alloys in excellent agreement with our results.
34. C. G. Van de Walle, M. D. McCluskey, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Sci. Eng., B 59, 274 (1999); L. Bellaiche, T. Matilla, L.-W. Wang, S. H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999); we note that recent all-electron calculations [M. van Schilfgaarde, A. Sher, and A.-B. Chen, J. Cryst. Growth 178, 8 (1997)] yielded results for unstrained zinc-blende alloys in excellent agreement with our results.
35. C. G. Van de Walle, M. D. McCluskey, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Mater. Sci. Eng., B 59, 274 (1999); L. Bellaiche, T. Matilla, L.-W. Wang, S. H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999); we note that recent all-electron calculations [M. van Schilfgaarde, A. Sher, and A.-B. Chen, J. Cryst. Growth 178, 8 (1997)] yielded results for unstrained zinc-blende alloys in excellent agreement with our results.