Refractive index and gap energy of cubic inxGa1-xN

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 3, 2000, Pages 291-293

  Goldhahn, R ^a   Scheiner, J ^a   Shokhovets, S ^a   Frey, T ^b   Kohler U ^b   As, D J ^b   Lischka, K ^b  

^a ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001485083     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125725     Document Type: Article

References (17)

1. D. Schikora, M. Hankeln, D. J. As, K. Lischka, T. Litz, A. Waag, T. Buhrow, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 54, R8381 (1996).
2. K. H. Ploog, O. Brandt, H. Yang, B. Yang, and A. Trampert, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2229 (1998) and references therein.
3. J. R. Müllhäuser, O. Brandt, A. Trampert, B. Jenichen, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 73, 1230 (1998) and references therein.
4. J. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 74, 1966 (1999); J. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, T. Frey, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.3 (1999).
5. J. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 74, 1966 (1999); J. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, T. Frey, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.3 (1999).
6. U. Köhler, D. J. As, B. Schöttker, T. Frey, K. Lischka, J. Scheiner, S. Shokhovets, and R. Goldhahn, J. Appl. Phys. 85, 404 (1999).
7. C. C. Kim, J. W. Garland, and P. M. Raccah, Phys. Rev. B 47, 1876 (1993).
8. K. P. O'Donell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
9. B. Schöttker, J. Kühler, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Mater. Sci. Forum 264-268, 1173 (1998).
10. A. Tabata, A. P. Lima, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, V. Lemos, B. Schöttker, T. Frey, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 74, 362 (1999).
11. S. Logothetidis, J. Petalas, M. Cardona, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 50, 18017 (1994).
12. F. H. Pollak, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998), p. 158.
13. A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995).
14. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
15. J. Wagner, A. Ramakrishnan, D. Behr, M. Maier, N. Herres, M. Kunzer, H. Obloh, and K.-H. Bachem, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.8 (1999).
16. M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 72, 2725 (1998).
17. L. Bellaiche, T. Mattila, L.-W. Wang, S.-H. Wang, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999).