Electrical properties of surface conductive layers of homoepitaxial diamond films

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 12, 1999, Pages 8267-8273

  Jiang, Nan ^a,b   Ito, Toshimichi ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001020209     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370668     Document Type: Article

References (38)

1. Y. Mori, E. Mori, A. Hatta, T. Ito, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1720 (1992).
2. M. I. Landstass and K. V. Ravi, Appl. Phys. Lett. 55, 1391 (1989).
3. T. Maki, S. Shikama, M. Komori, Y. Sakaguchi, K. Sakuta, and T. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1446 (1992).
4. S. A. Grot, G. S. Gildenblat, C. W. Hatfield, C. R. Wronski, A. R. Badzian, T. Badzian, and R. Messier, IEEE Electron Device Lett. 11, 100 (1990).
5. Y. Mori et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L987 (1992).
6. N. Jiang, A. Hatta, J. H. Won, Y. Mori, T. Ito, S. Sasaki, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L782 (1995).
7. R. E. Stallcup, A. F. Aviles, and J. M. Perez, Appl. Phys. Lett. 66, 2331 (1995).
8. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Seloguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Appl. Phys. 81, 744 (1997).
9. H. J. Looi, R. B. Jackman, and J. S. Forrd, Appl. Phys. Lett. 72, 353 (1998).
10. S. Albin and L. Watkins, Appl. Phys. Lett. 56, 1454 (1990).
11. J. Shirafuji and T. Sugino, Diamond Relat. Mater. 5, 706 (1996).
12. L. J. van der Pauw, Philips Res. Rep. 13, 1 (1958).
13. N. Jiang, A. Hatta, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1175 (1998).
14. Y. Mori, H. Kawarada, and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett. 58, 940 (1991).
15. P. K. Baumann and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1236 (1997).
16. K. Hayashi, S. Yamanda, H. Okushi, and K. Kajimura, Appl. Phys. Lett. 68, 376 (1996).
17. R. S. Gi, T. M. Mizumasa, Y. Akiba, Y. Hirose, T. Kurosu, and M. Iida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5550 (1995).
18. J. C. Angus and C. C. Hayman, Science 241, 913 (1988).
19. J. Singh and M. Vellaikal, J. Appl. Phys. 73, 2831 (1993).
20. Y. Bar-Yam and T. D. Moustakas, Nature (London) 342, 786 (1989).
21. J. H. Won, A. Hatta, T. Ito, S. Sasaki, and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett. 69, 4179 (1996).
22. C. L. Wang, A. Hatta, N. Jiang, J. H. Won, T. Ito, A. Hiraki, Z. S. Sun, and G. G. Zou, Thin Solid Films 308-309, 279 (1997).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York 1981), Chap. 1.
24. Y. Mori et al. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4661 (1993).
25. A. Hatta, S. Sonoda, H. Yagi, T. Ito, and A. Hiraki, Super Carbon (MYU, Tokyo, 1998), p. 151.
26. S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Masai, D. Takeuchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1129 (1998).
27. E. Johansson and J.-O. Carlsson, Diamond Relat. Mater. 4, 155 (1995).
28. H.-G. Busmann, H. Sparang, I. V. Hertel, W. Zimmerann-Edling, and H.-J. Guntherod, Appl. Phys. Lett. 59, 295 (1991).
29. N. Jiang et al., J. Appl. Phys. 80, 1465 (1996).
30. A. V. Hamza, G. D. Kubiak, and R. H. Stulen, Surf. Sci. 237, 35 (1990).
31. T. Itoh, H. Yagyu, Y. Mori, A. Hatta, T. Ito, A. Hiraki, and S. Nitta, Diamond Films Technol. 6, 293 (1996).
32. R. F. Davis, Diamond Films and Coatings (Noyes, Park Ridge, 1992), p. 154.
33. R. Samlenski, C. Haug, R. Brenn, C. Wild, R. Locher, and Koild, Appl. Phys. Lett. 67, 2798 (1995).
34. J. Mort, M. A. Machonkin, and Okumura, Appl. Phys. Lett. 59, 3148 (1991).
35. C. J. Ammerlaan, Inst. Phys. Conf. Ser. 59, 81 (1981).
36. M. Hoikins, E. R. Weber, M. I. Laundstrass, M. A. Plano, S. Han, and D. R. Kania, Appl. Phys. Lett. 59, 1870 (1991).
37. S. A. Kajihara, A. Antonelli, J. Bernholc, and R. Car, Phys. Rev. Lett. 66, 2010 (1991).
38. A. T. Collins and E. C. Lightowlers, The Properties of Diamond, edited by J. E. Field (Academic, London, 1979), p. 79.