High carrier mobility in polycrystalline thin film diamond

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 3, 1998, Pages 353-355

  Looi, Hui Jin ^a   Jackman, Richard B ^a   Foord, John S ^b  

^a UNIVERSITY COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001384976     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120734     Document Type: Article

References (12)

1. G. Sh. Gildenblat, S. A. Grot, and A. R. Badzian, Proc. IEEE 79, 647 (1991).
2. A. Masood, M. Aslam, M. A. Tamor, and T. J. Potter, Appl. Phys. Lett. 61, 1832 (1992).
3. H. Kawarada, M. Aoki, H. Sasaki, and K. Tsugawa, Diamond Relat. Mater. 57, 718 (1994).
4. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, Appl. Phys. Lett. 68, 376 (1996).
5. H. J. Looi, L. Y. S. Pang, and R. B. Jackman, IEEE Electron Device Lett. (in press).
6. M. I. Landstrass and K. V. Ravi, Appl. Phys. Lett. 55, 975 (1989).
7. Y. Muto, T. Sugino, J. Shirafuji, and K. Kobashi, Appl. Phys. Lett. 59, 843 (1991).
8. L. H. Chua, R. B. Jackman, J. S. Foord, P. R. Chalker, C. Johnston, and S. Romani, J. Vac. Sci. Technol. 12, 3033 (1994).
9. R. D. Marshall, R. D. McKeag, and R. B. Jackman, Diamond Relat. Mater 6, 374 (1997).
10. Y. Mori, H. Hiromasa, M. Deguchi, T. Sogi, Y. Yokota, N. Eimori, H. Yaghu, H. Ohnishi, M. Kitabatake, K. Nishimura, A. Hatta, T. Ito, T. Hirao, T. Sasaki, and A. Hiraki, Jpn. J. Appl. Phys. Part I 32, 4661 (1993).
11. S. A. Grot, C. W. Hatfield, G. Sh. Gildenblat, A. R. Badzian, and T. Badzian, Appl. Phys. Lett. 58, 1542 (1991).
12. B. R. Stoner, C. T. Kao, D. M. Malta, and R. C. Glass, Appl. Phys. Lett. 62, 2347 (1993).