Fabrication of SiGe quantum dots on a Si(100) surface

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 56, Issue 16, 1997, Pages 10505-10510

  Le Thanh, Vinh ^a   Bouchier, D ^a   Debarre D ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000950817     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.56.10505     Document Type: Article

References (35)

1. Brunner, T. S. Rupp, H. Gossner, R. Ritter, I. Eisele, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 64, 994 (1994).
2. N. Usami, T. Mine, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 64, 1126 (1994).
3. A. Hartmann, L. Vescan, C. Dieker, and H. Lüth, J. Appl. Phys. 77, 1959 (1995).
4. A. Nishida, K. Nakagawa, E. Murakami, and M. Miyao, J. Appl. Phys. 71, 5913 (1992).
5. G. Schmidt, W. Langheinrich, and K. Heime, Solid-State Electron. 37, 587 (1994).
6. L. Vescan, Mater. Sci. Eng. B 28, 1 (1994).
7. Y. S. Tang, C. D. W. Wilkinson, C. M. Sotomayer Torres, D. W. Smith, T. E. Whall, and E. H. C. Parker, Appl. Phys. Lett. 63, 1128 (1993).
8. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
9. (a) J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. André, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
10. (b) D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11 687 (1994).
11. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
12. P. Schittenhelm, G. Abstreiter, A. Darhuber, G Bauer, P. Werner, and A. Kosogov, Thin Solid Films 294, 291 (1997).
13. G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Evangelisti, and E. Palange, Appl. Phys. Lett. 70, 493 (1997).
14. Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
15. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
16. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
17. Vinh Le Thanh, V. Aubry-Fortuna, D. Bouchier, A. Younsi, and G. Hincelin, Surf. Sci. 369, 85 (1996).
18. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
19. F. J. Grunthaner and P. J. Grunthaner, Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986).
20. E. Yablonovitch, D. L. Allara, C. C. Chang, T. Gmitter, and T. B. Bright, Phys. Rev. Lett. 57, 249 (1986).
21. (a) V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
22. (b) Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2104 (1989).
23. P. Jakob and Y. J. Chabal, J. Chem. Phys. 95, 2897 (1991).
24. P. Dumas, Y. J. Chabal, and P. Jakob, Surf. Sci. 269/279, 867 (1992).
25. D. Gräf, S. Bauer-Mayer, and A. Schnegg, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 940 (1993).
26. U. Neuwald, H. E. Hessel, A. Feltz, U. Memmert, and R. J. Behm, Surf. Sci. Lett. 296, L8 (1993).
27. C. M. Greenlief, S. M. Gates, and P. A. Holbert, Chem. Phys. Lett. 159, 202 (1989).
28. G. J. Pietsch, Appl. Phys. A 60, 347 (1995).
29. P. Jakob, P. Dumas, and Y. J. Chabal, Appl. Phys. Lett. 59, 2968 (1991).
30. J. Tersoff and F. K. Legoues, Phys. Rev. Lett. 72, 3570 (1994).
31. Vinh Le Thanh, V. Aubry-Fortuna, Y. Zheng, D. Bouchier, C. Guedj, and G. Hincelin, Thin Solid Films 294, 59 (1997).
32. A. G. Cullis, D. J. Robbins, A. J. Pidduck, and P. W. Smith, J. Cryst. Growth 123, 333 (1992).
33. D. Dutartre, P. Warren, F. Chollet, F. Gisbert, M. Bérenguer, and I. Berbézier, 142, 78 (1994).
34. Vinh Le Thanh, M. Eddrief, C. A. Sébenne, P. Dumas, A. Taleb-Ibrahimi, R. Gunther, Y. J. Chabal, and J. Derrien, Appl. Phys. Lett. 64, 3308 (1994).
35. S. L. Yau, K. Kaji, and K. Itaya, Appl. Phys. Lett. 66, 766 (1995).