X-ray interference effect as a tool for the structural investigation of GaInAs/InP multiple quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 7, 1998, Pages 3630-3637

  Marschner, T ^a,b   Brubach J ^a   Verschuren, C A ^a   Leys, M R ^a   Wolter, J H ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000845002     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366582     Document Type: Article

References (26)

1. P. J. A. Thijs, E. A. Montie, H. W. van Kesteren, and G. W. 't Hooft, Appl. Phys. Lett. 53, 971 (1988).
2. J. Geurts, J. Finders, J. Woitok, D. Gnoth, A. Kohl, and K. Heime, J. Cryst. Growth 145, 813 (1994).
3. M. Takemi, T. Kimura, K. Mori, K. Goto, Y. Mihashi, and S. Takamiya, Appl. Surf. Sci. 82/83, 115 (1994).
4. A. Krost, J. Böhrer, H. Roehle, and G. Bauer, Appl. Phys. Lett. 64, 469 (1994).
5. J. M. Vandenberg, A. T. Macrander, R. A. Hamm, and M. B. Panish, Phys. Rev. B 44, 3991 (1991).
6. J. M. Vandenberg, R. A. Hamm, and S. N. G. Chu, J. Cryst. Growth 144, 9 (1994).
7. R. Benzaquen, A. P. Roth, and R. Leonelli, J. Appl. Phys. 79, 2640 (1996).
8. R. Meyer, M. Hollfelder, H. Hardtdegen, B. Lengeler, and H. Lüth, J. Cryst. Growth 124, 583 (1992).
9. K. Streubel, V. Härle, F. Scholz, M. Bode, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 71, 3300 (1992).
10. A. Bensaoula, V. Rossignol, A. H. Bensaoula, and A. Freundlich, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 851 (1993).
11. W. T. Tsang, "Chemical Beam Epitaxy," in Beam Processing Technology, edited by N. G. Einspruch, S. S. Cohen, and R. N. Singh (Academic, New York, 1989).
12. L. Tapfer and K. Ploog, Phys. Rev. B 40, 9802 (1989).
13. M. R. Leys, R. T. H. Rongen, J. Hopkins, H. Vonk, C. M. van Es, J. H. Wolter, and F. D. Tichelaar, J. Cryst. Growth 150, 633 (1993).
14. R. T. H. Rongen, A. J. C. van Rijswijk, M. R. Leys, C. M. van Es, H. Vonk, and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol. 12, 974 (1997).
15. M. Gailhanou, J. F. Carlin, and U. Oesterle, J. Cryst. Growth 140, 205 (1994).
16. J. Brübach, A. Yu. Silov, J. E. M. Haverkort, W. van der Vleuten, and J. H. Wolter, Superlattices Microstruct. 21, 527 (1997).
17. R. Zaus, M. Schuster, H. Göbel, and J.-P. Reithmaier, Appl. Surf. Sci. 50, 92 (1991).
18. P. F. Fewster, Philips J. Res. 41, 268 (1986).
19. R. Rettig, T. Marschner, L. Tapfer, and W. Stolz, J. Appl. Phys. (submitted).
20. L. Xiu and Z. Wu, J. Appl. Phys. 71, 4892 (1992).
21. P. F. Fewster, Semicond. Sci. Technol. 8, 1915 (1993).
22. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 27, 21 (1974).
23. N. Kobayashi and Y. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1699 (1991).
24. T. Marschner, R. T. H. Rongen, M. R. Leys, H. Vonk, J. H. Wolter, and F. D. Tichelaar, Proceeding of MBE9, Malibu, 1996, J. Cryst. Growth 175/ 176, 1081 (1997).
25. M. R. Leys, H. Titze, L. Samuelson, and J. Petruzello, J. Cryst. Growth 93, 504 (1988).
26. H. Heinecke, B. Baur, R. Höger, B. Jobst, and A. Miklis, J. Cryst. Growth 124, 170 (1992).