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Volumn 37, Issue 3 SUPPL. B, 1998, Pages 1408-1412

InGaAs/GaAs vertical-cavity surface emitting laser on GaAs (311)B substrate using carbon auto-doping

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AlAs; Carbon doping; GaAs (311)B substrate; MOCVD; p DBR; Polarization control; VCSEL

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EID: 0000751854     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.1408     Document Type: Article
Times cited : (15)

References (23)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.