Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 4, 1997, Pages 1905-1915

  Yip, R Y F ^a   Ait Ouali A ^a   Bensaada, A ^a   Desjardins, P ^a,b   Beaudoin, M ^a,c   Isnard, L ^a   Brebner, J L ^a   Currie, J F ^a   Masut, R A ^a  

^a ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL   (Canada)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^c UNIVERSITY OF BRITISH COLUMBIA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000360644     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365549     Document Type: Article

References (56)

1. A. R. Adams, Electron. Lett. 22, 249 (1986).
2. E. Yablonovitch and E. O. Kane, J. Lightwave Technol. 6, 1292 (1988).
3. A. Kasukawa, T. Namegaya, T. Fukushima, N. Iwai, and T. Kikuta, IEEE J. Quantum Electron. 29, 1528 (1993).
4. M. Yamamoto, N. Yamamoto, and J. Nakano, IEEE J. Quantum Electron. 30, 554 (1994).
5. C. A. Tran, R. A. Masut, P. Cova, J. L. Brebner, and R. Leonelli, J. Cryst. Growth 121, 365 (1992).
6. R. Hull and J. C. Bean, in Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1991), Vol. 33, p. 1.
7. R. Beanland, D. J. Dunstan, and P. J. Goodhew, Adv. Phys. 45, 87 (1996).
8. K. R. Linga, G. H. Olsen, V. S. Ban, A. M. Joshi, and W. F. Kosonocky, J. Lightwave Technol. 10, 1050 (1992).
9. D. S. Kim, S. R. Forrest, G. H. Olsen, M. J. Lange, R. U. Martinelli, and N. J. Di Giuseppe, IEEE Photonics Technol. Lett. 7, 911 (1995).
10. S. N. G. Chu, S. Nakahara, M. E. Twigg, L. A. Koszi, E. J. Flynn, A. K. Chin, B. P. Segner, and W. D. Johnston, J. Appl. Phys. 63, 611 (1988).
11. B. C. de Cooman, C. W. T. Bulle-Lieuwma, J. A. de Poorter, and W. Nijman, J. Appl. Phys. 67, 3919 (1990).
12. P. G. Eliseev, Reliability Problems of Semiconductor Lasers (Nova Science, New York, 1991).
13. S. N. G. Chu, MRS Bull, 43 (1993).
14. Y. Ashizawa, S. Akbar, W. J. Schaff, L. F. Eastman, E. A. Fitzgerald, and D. G. Ast, J. Appl. Phys. 64, 4065 (1988).
15. Y. Uchida, H. Kakibayashi, and S. Goto, J. Appl. Phys. 74, 6720 (1993).
16. R. Hull, J. C. Bean, F. Cerdeira, A. T. Fiory, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 48, 56 (1986).
17. T. K. Woodward, T. Sizer, II, and T. H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 58, 1366 (1991).
18. T. K. Woodward, T. H. Chiu, and T. Sizer, II, Appl. Phys. Lett. 60, 2846 (1992).
19. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).
20. M. Beaudoin, A. Bensaada, R. Leonelli, P. Desjardins, R. A. Masut, L. Isnard, A. Chennouf, and G. L'Espérance, Phys. Rev. B 53, 1990 (1996).
21. P. Desjardins, M. Beaudoin, R. Leonelli, G. L'Espérance, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 80, 846 (1996).
22. J. Y. Marzin, J. M. Gérard, P. Voisin, and J. A. Brum, in Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1990), Vol. 32, p. 55.
23. C. A. Tran, J. T. Graham, J. L. Brebner, and R. A. Masut, J. Electron. Mater. 23, 1291 (1994).
24. -3) InP(001) substrate.
25. J. R. Flemish and K. A. Jones, J. Electrochem. Soc. 140, 844 (1993).
26. P. F. Fewster, Phillips J. Research 45, 620 (1984).
27. J. Hornstra and W. J. Bartels, J. Cryst. Growth 44, 513 (1978).
28. M. A. G. Halliwell, M. H. Lyons, S. T. Davey, M. Hockly, C. G. Tuppen, and C. J. Gibbings, Semicond. Sci. Technol. 4, 10 (1989).
29. P. F. Fewster, Semicond. Sci. Technol. 8, 1915 (1993).
30. M. A. G. Halliwell, Appl. Phys. A 58, 135 (1994).
31. The calculation has been performed assuming misfit dislocations of the 60° type and using the Fitzgerald formulation of the Matthews and Blakeslee model. See Refs. 7 and 32. The critical thicknesses obtained here differ from those in Ref. 21, where a smaller estimate for the in-plane component of the Burgers vector was used.
32. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1975); J. Cryst. Growth 29, 273 (1975).
33. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1975); J. Cryst. Growth 29, 273 (1975).
34. K. L. Kavanagh, M. A. Capano, L. W. Hobbs, J. C. Barbour, P. M. J. Marée, W. Schaff, J. W. Mayer, D. Pettit, J. M. Woodall, J. A. Stroscio, and R. M. Feenstra, J. Appl. Phys. 64, 4843 (1988).
35. R. Y.-F. Yip et al. (unpublished).
36. K. W. Goossen, J. E. Cunningham, and W. Y. Jan, Appl. Phys. Lett. 57, 2582 (1990).
37. J. Lee, E. S. Koteles, and M. O. Vassell, Phys. Rev. B 33, 5512 (1986).
38. M. Sugawara, T. Fujii, S. Yamazaki, and K. Nakajima, Phys. Rev. B 42, 9587 (1990).
39. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (les Éditions de Physique, Les Ulis Cedex, France, 1988).
40. J. Tersoff, Phys. Rev. B 30, 4874 (1984).
41. G. E. Pikus and G. L. Bir, Sov. Phys. Solid State 1, 136 (1959); ibid. 1, 1502 (1960).
42. G. E. Pikus and G. L. Bir, Sov. Phys. Solid State 1, 136 (1959); ibid. 1, 1502 (1960).
43. A. Bensaada, A. Chennouf, R. W. Cochrane, J. T. Graham, R. Leonelli, and R. A. Masut, J. Appl. Phys. 75, 3024 (1994).
44. F.H. Pollak, in Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1990), Vol. 32, p. 17.
45. A. M. Fox, D. A. B. Miller, G. Livescu, J. E. Cunningham, and W. Y. Jan, IEEE J. Quantum Electron. 27, 2281 (1991).
46. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. B 28, 3241 (1983).
47. T. Yamanaka, K. Wakita, and K. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 65, 1540 (1994).
48. T. Ikeda and H. Ishikawa, IEEE J. Quantum Electron. 32, 284 (1996).
49. I. Kotaka, K. Wakita, K. Kawano, M. Asai, and M. Naganuma, Electron. Lett. 27, 2163 (1991).
50. W. L. Bloss, J. Appl. Phys. 65, 4789 (1989).
51. H. Yamazaki, Y. Sakata, M. Yamaguchi, Y. Inomoto, and K. Komatsu, Electron. Lett. 32, 109 (1996).
52. M. Aoki, M. Suzuki, M. Takahashi, H. Sano, T. Ido, T. Kawano, and A. Takai, Electron. Lett. 28, 1157 (1992).
53. U. Koren, B. I. Miller, T. L. Koch, G. Eisenstein, R. S. Tucker, I. Bar-Joseph, and D. S. Chemla, Appl. Phys. Lett. 51, 1132 (1987).
54. E. J. Austin and M. Jaros, Phys. Rev. B 31, 5569 (1985).
55. J. Singh, Appl. Phys. Lett. 48, 434 (1985).
56. M.-E. Pistol and D. Gershoni, Phys. Rev. B 50, 11738 (1994).