Electrical signatures and thermal stability of interstitial clusters in ion implanted Si

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 9, 1998, Pages 4749-4756

  Benton, J L ^a   Halliburton, K ^a,c   Libertino, S ^a,b   Eaglesham, D J ^a   Coffa, S ^b  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b CNR IMETEM   (Italy)

^c UNIVERSITY OF OKLAHOMA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000332750     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368800     Document Type: Article

References (31)

1. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett. 66, 568 (1995).
2. H.-J. Gossmann, C. S. Rafferty, H. S. Luftman, F. C. Underwald, T. Boone, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 63, 639 (1993).
3. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
4. N. E. B. Cowern, K. T. F. Janssen, and H. F. F. Jos, J. Appl. Phys. 68, 6191 (1990).
5. J. K. Listebarger, K. S. Jones, and J. A. Slinkman, J. Appl. Phys. 73, 4815 (1993).
6. H. L. Meng, S. Prussin, M. E. Law, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 73, 955 (1993).
7. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
8. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, J. M. Poate, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
9. M. D. Giles, J. Electrochem. Soc. 138, 1160 (1991).
10. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett. 67, 2025 (1995).
11. N. E. B. Cowern, G. F. A. van de Walle, P. C. Zalm, and D. W. E. Vandenhoudt, Appl. Phys. Lett. 65, 2981 (1994).
12. M. Jaraiz, G. H. Gilmer, J. M. Poate, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 68, 409 (1996).
13. C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, D. J. Eaglesham, and H.-J. Gossmann, Appl. Phys. Lett. 68, 2395 (1996).
14. J. L. Benton, S. Libertino, P. Kringhij, D. J. Eaglesham, J. M. Poate, and S. Coffa, J. Appl. Phys. 82, 120 (1997).
15. J. L. Benton, S. Libertino, S. Coffa, and D. J. Eaglesham, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 469, 193 (1997).
16. L. C. Kimerling, Inst. Phys. Conf. Ser. 31, 221 (1977).
17. M. T. Asom, J. L. Benton, R. Sauer, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 51, 256 (1987).
18. J. L. Benton, M. T. Asom, R. Sauer, and L. C. Kimerling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 104, 85 (1988).
19. B. G. Svensson, B. Mohadjeri, A. Hallen, J. H. Svensson, and J. W. Corbett, Phys. Rev. B 43, 2292 (1991).
20. S. Libertino, J. L. Benton, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, J. M. Poate, S. Coffa, P. Kringhøj, P. G. Fouchi, and M. Lavalle, Appl. Phys. Lett. 71, 389 (1997).
21. S. Libertino, J. L. Benton, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, J. M. Poate, S. Coffa, P. G. Fuochi, and M. Lavalle, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 469, 187 (1997).
22. M. Jaraiz, G. H. Gilmer, J. M. Poate, and T. D. de la Rubia, Appl. Phys. Lett. 68, 409 (1996).
23. J. R. Ayres and S. D. Brotherton, J. Appl. Phys. 71, 2702 (1992).
24. G. Hobler, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 155 (1995).
25. N. E. B. Cowern, G. F. A. Van de Walle, P. C. Zalm, and D. W. E. Vandenhoudt, Appl. Phys. Lett. 65, 2981 (1994).
26. S. Libertino, S. Coffa, J. L. Benton, and D. J. Eaglesham, Appl. Phys. Lett. (submitted).
27. M. T. Robinson and I. M. Torrens, Phys. Rev. B 9, 5008 (1974).
28. For a complete review of oxygen precipitation in silicon see: A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, and A. Stella, J. Appl. Phys. 77, 4169 (1995).
29. P. A. Stolk, D. J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 66, 568 (1995); Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 187 (1995).
30. P. A. Stolk, D. J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 66, 568 (1995); Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 187 (1995).
31. L. C. Kimerling, J. R. Patel, J. L. Benton, and P. E. Freeland, Inst. Phys. Conf. Ser. 59, 401 (1981).