On the environment of optically active Er in Si-electroluminescence devices

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 7, 1998, Pages 809-811

  Lanzerstorfer, S ^a   Palmetshofer, L ^a   Jantsch, W ^a   Stimmer, J ^b  

^a JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000246363     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120900     Document Type: Article

References (20)

1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983).
2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 46, 381 (1985).
3. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991).
4. F. Priolo, G. Franzò, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie, and D. Carey, J. Appl. Phys. 78, 3874 (1995).
5. J. Stimmer, A. Reittinger, J. F. Nützel, H. Holzbrecher, Ch. Buchal, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 68, 3290 (1996).
6. B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 64, 2842 (1994).
7. G. Franzò, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera, and F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994).
8. G. Franzo, F. Priolo, C. Spinella, and S. Coffa, J. Appl. Phys. 81, 2784 (1997).
9. R. Serna, J. H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, P. F. A. Alkemade, and A. Polman, J. Appl. Phys. 79, 2658 (1996).
10. H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R. J. Wilson, and B. J. Sealy, Phys. Rev. B 54, 2532 (1996).
11. Y. S. Tang, K. C. Heasman, W. P. Gillin, and B. J. Sealy, Appl. Phys. Lett. 55, 432 (1989).
12. L. Palmetshofer, Yu. Suprun-Belevich, and M. Stepikhova, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 479 (1997).
13. W. Jantsch, G. Hendorfer, M. Bruckner, L. Palmetshofer, and H. Przybilinska, in Proceedings of the XXII International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995), p. 2411.
14. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E. R. Weber, K.-H. Kusters, and H. Alexander, Appl. Phys. A: Solids Surf. 36, 1 (1985).
15. A. Polman, J. Appl. Phys. 82, 1 (1997).
16. I. N. Yassievich and L. C. Kimerling, Semicond. Sci. Technol. 8, 718 (1993).
17. G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Carnera, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 374 (1995).
18. W. Jantsch, H. Przybylinska, C. Skierbiszewski, S. Lanzerstorfer, and L. Palmetshofer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 422, 101 (1996).
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
20. D. L. Adler, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, M. A. Marcus, J. L. Benton, J. M. Poate, and P. H. Citrin, Appl. Phys. Lett. 61, 2181 (1992).