Electron transport in the AlGaAs/InGaAs double-heterostructure pseudomorphic high-electron-mobility transistor

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 10, 2000, Pages 1309-1311

  Gui, Yongsheng ^a   Guo, Shaoling ^a   Zheng, Guozhen ^a   Chu, Junhao ^a   Fang, Xiaohua ^b   Qiu, Kai ^b   Wang, Xingwu ^b  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

^b NANJING ELECTRONIC DEVICES INSTITUTE   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000131076     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126018     Document Type: Article

References (18)

1. K. Tan, D. Streit, R. Dia, S. Wang, A. Han, P. Chow, T. Triuh, P. Liu, J. Velchir, and H. Yen, IEEE Electron Device Lett. 12, 213 (1991).
2. M. Kao, S. Fu, P. Ho, P. Smith, P. Chao, K. Nordheden, and S. Wang, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 319 (1992).
3. C. S. Wu, F. Ren, S. J. Pearton, M. Hu, C. K. Pao, and R. F. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 42, 1419 (1995).
4. M. Aust, H. Wang, M. Biedenbender, R. Lai, D. C. Streit, P. H. Liu, G. S. Dow, and B. R. Allen, IEEE Microwave Guid. Wave Lett. 5, 12 (1995).
5. S. W. Chen, P. M. Smith, S. J. Liu, W. F. Kopp, and T. J. Rogers, IEEE Microwave Guid. Wave Lett. 5, 201 (1995).
6. J. J. Brown, J. A. Pusl, M. Hu, A. E. Schmitz, D. P. Docter, J. B. Shealy, M. G. Case, M. A. Thompson, and L. D. Nguyen, IEEE Microwave Guid. Wave Lett. 6, 91 (1996).
7. R. Grundbacher, A. A. Kellerson, Y. C. Kao, and I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices 44, 2136 (1997).
8. M. H. Somerville, J. A. Del Alamo, and P. Saunier, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1883 (1998).
9. W. Beck and J. R. Anderson, J. Appl. Phys. 62, 541 (1987).
10. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. A. Arnold, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, Semicond. Sci. Technol. 8, 805 (1993).
11. J. Antoszewski and L. Faraone, J. Appl. Phys. 80, 3881 (1996).
12. C. A. Hoffman, J. R. Meyer, F. J. Bartoli, J. W. Han, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 40, 3867 (1989).
13. Y. Gui, B. Li, G. Zheng, Y. Chang, S. Wang, L. He, and J. Chu, J. Appl. Phys. 84, 4327 (1998).
14. Y. Gui, B. Li, G. Zheng, S. Guo, J. Chu, S. Oehling, C. R. Becker, and G. Landwehr, J. Appl. Phys. 84, 6170 (1998).
15. E. Skuras, R. Kumar, R. L. Williams, R. A. Strading, J. E. Dmochowski, E. A. Johnson, A. Mackinnon, J. J. Harris, R. B. Reall, C. Skierbeszewski, J. Singleton, P. J. Van der Wel, and P. Wisniewski, Semicond. Sci. Technol. 6, 535 (1991).
16. G. Li, A. Babinski, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 70, 3582 (1997).
17. G. Q. Hai, N. Studart, and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 52, 11273 (1995).
18. X. Zhang, T. K. Carns, K. L. Wang, and B. Wu, Appl. Phys. Lett. 62, 504 (1993).