Subband electron densities of Si δ-doped pseudomorphic In0.2Ga0.8As/GaAs heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 26, 1997, Pages 3582-3584

  Li, G ^a   Babinski, A ^a,b   Jagadish, C ^a  

^a AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^b UNIVERSITY OF WARSAW   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042342648     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119240     Document Type: Article

References (15)

1. J. K. Luo, H. Ohno, K. Matsuzaki, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1831 (1988).
2. K. Hirakawa, H. Sakaki, and J. Yoshino, Appl. Phys. Lett. 45, 253 (1984).
3. M. van Hove, G. Zou, and W. de Raedt, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1203 (1993).
4. Y. J. Jeon, Y. H. Jeong, B. Kim, Y. G. Kim, W. P. Hong, and M. S. Lee, IEEE Electron Device Lett. 16, 563 (1995).
5. M. J. Kao, W. C. Hsu, and C. Y. Chang, Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett. 34, L1 (1995).
6. W. C. Hsu, C. L. Wu, M. S. Hsai, C. Y. Chang, W. C. Liu, and H. M. Shieh, IEEE Trans. Electron Devices 42, 804 (1995).
7. K. W. Kim and M. A. Littlejohn, IEEE Trans. Electron Devices 38, 1737 (1991).
8. J. Dickmann, Appl. Phys. Lett. 60, 88 (1992).
9. M. L. Ke, X. Chen, M. Zervos, R. Nawaz, M. Elliott, D. I. Westwood, P. Blood, M. J. Godfrey, and R. H. Williams, J. Appl. Phys. 79, 2627 (1996).
10. R. A. Mena, S. E. Schacham, E. J. Haugland, S. A. Alterovitz, P. G. Young, S. B. Bibyk, and S. A. Rongel, J. Appl. Phys. 78, 6626 (1995).
11. W. P. Hong, A. Zrenner, O. H. Kim, F. DeRosa, J. Harbison, and L. T. Florez, Appl. Phys. Lett. 57, 1117 (1990).
12. M. van der Burgt, V. C. Karavolas, F. M. Peeters, J. Singleton, R. J. Nicholas, F. Herlach, M. Van Hove, and G. Borghs, Phys. Rev. B 52, 12218 (1995).
13. G. Li, C. Jagadish, M. B. Johnston, and M. Gal, Appl. Phys. Lett. 69, 4218 (1996).
14. A. P. Young, J. Chen, and H. H. Wieder, Appl. Phys. Lett. 65, 1546 (1994).
15. E. Skuras, R. Kumar, R. L. Williams, R. A. Stradling, J. E. Dmochowski, E. A. Johnson, A. Mackinnon, J. J. Harris, R. B. Beall, C. Skierbeszewski, J. Singleton, P. J. van der Wel, and P. Wisniewski, Semicond. Sci. Technol. 6, 535 (1991).