Depth-resolved microspectroscopy of porous silicon multilayers

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 7, 1999, Pages 977-979

  Manotas, S ^a   Agullo Rueda F ^a   Moreno, J D ^b   Martin Palma R J ^b   Guerrero Lemus, R ^b   Martinez Duart, J M ^b  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000010420     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124572     Document Type: Article

References (24)

1. S. Frohnhoff and M. G. Berger, Adv. Mater. 6, 963 (1994).
2. M. G. Berger, M. Tonissen, R. Arens-Fischer, H. Münder, H. Luth, M. Arntzen, and W. Theiss, Thin Solid Films 255, 313 (1995).
3. A. Loni, L. T. Canham, M. Berger, R. Arens-Fischer, H. Munder, H. Lüth, H. F. Arrand, and T. M. Benson, Thin Solid Films 276, 143 (1996).
4. V. Pellegrini, A. Tredicucci, C. Mazzoleni, and L. Pavesi, Phys. Rev. B 52, 14328 (1995).
5. T. Maehama, C. Afuso, and N. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 998 (1998).
6. K. Kozlowski and W. Lang, J. Appl. Phys. 72, 5401 (1992).
7. S. Billat, M. Thonissen, R. Arensfischer, M. G. Berger, M. Kruger, and H. Luth, Thin Solid Films 297, 22 (1997).
8. See, e. g., M. G. Berger, S. Frohnhoff, W. Theiss, U. Rossow, and H. Münder, in Porous Silicon Science and Technology, edited by J.-C. Vial and J. Derrien (Les Editions de Physique, Springer, 1995).
9. S. Hilbrich, W. Theiß, R. Arens-Fischer, O. Glück, and M. G. Berger, Thin Solid Films 276, 231 (1996).
10. C. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 48, 11024 (1993).
11. P. D. J. Calcott, in Properties of Porous Silicon, edited by L. T. Canham (The Institution of Electrical Engineers, London, 1997), p. 203.
12. S. R. Goodes, T. E. Jenkins, M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, and C. Pickering, Semicond. Sci. Technol. 3, 483 (1988); R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett. 60, 112 (1992); Z. Sui, P. P. Leong, I. P. Herman, G. S. Higashi, and H. Temkin, ibid. 60, 2086 (1992); J. C. Tsang, M. A. Tischler, and R. T. Collins, ibid. 60, 2279 (1992).
13. S. R. Goodes, T. E. Jenkins, M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, and C. Pickering, Semicond. Sci. Technol. 3, 483 (1988); R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett. 60, 112 (1992); Z. Sui, P. P. Leong, I. P. Herman, G. S. Higashi, and H. Temkin, ibid. 60, 2086 (1992); J. C. Tsang, M. A. Tischler, and R. T. Collins, ibid. 60, 2279 (1992).
14. S. R. Goodes, T. E. Jenkins, M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, and C. Pickering, Semicond. Sci. Technol. 3, 483 (1988); R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett. 60, 112 (1992); Z. Sui, P. P. Leong, I. P. Herman, G. S. Higashi, and H. Temkin, ibid. 60, 2086 (1992); J. C. Tsang, M. A. Tischler, and R. T. Collins, ibid. 60, 2279 (1992).
15. S. R. Goodes, T. E. Jenkins, M. I. J. Beale, J. D. Benjamin, and C. Pickering, Semicond. Sci. Technol. 3, 483 (1988); R. Tsu, H. Shen, and M. Dutta, Appl. Phys. Lett. 60, 112 (1992); Z. Sui, P. P. Leong, I. P. Herman, G. S. Higashi, and H. Temkin, ibid. 60, 2086 (1992); J. C. Tsang, M. A. Tischler, and R. T. Collins, ibid. 60, 2279 (1992).
16. R. J. Nemanich, S. A. Solin, and R. M. Martin, Phys. Rev. B 23, 6348 (1981); H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
17. R. J. Nemanich, S. A. Solin, and R. M. Martin, Phys. Rev. B 23, 6348 (1981); H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
18. I. H. Campbell and P. M. Fauchet, Solid State Commun. 58, 739 (1986).
19. T. R. Hart, R. L. Aggarwal, and B. Lax, Phys. Rev. B 1, 638 (1970).
20. E. Anastassakis, A. Pinczuk, E. Burstein, F. H. Pollak, and M. Cardona, Solid State Commun. 8, 133 (1970).
21. K. Barla, R. Herino, G. Bomchil, J. C. Pfister, and A. Freund, J. Cryst. Growth 68, 727 (1984).
22. D. Bellet and G. Dolino, Thin Solid Films 276, 1 (1996).
23. H. Sugiyama and O. Nittono, J. Cryst. Growth 103, 156 (1990).
24. H. Münder, C. Andrzejak, M. G. Berger, U. Klemradt, H. Lüth, R. Herino, and M. Ligeon, Thin Solid Films 221, 27 (1992).