Low wavenumber Raman spectroscopy of highly crystalline MoSe2 grown by chemical vapor deposition

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 252, Issue 11, 2015, Pages 2385-2389

  O'Brien, Maria ^a   Mcevoy, Niall ^a   Hanlon, Damien ^a   Lee, Kangho ^a   Gatensby, Riley ^a   Coleman, Jonathan N ^a   Duesberg, Georg S ^a  

^a TRINITY COLLEGE DUBLIN   (Ireland)

Author keywords

Chemical vapor deposition; MoSe2; Raman spectroscopy; Transition metal dichalcogenides

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MAPPING; MONOLAYERS; NANOCRYSTALLINE MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; RAMAN SPECTROSCOPY; SELENIUM COMPOUNDS; TRANSITION METALS;

BREATHING MODES; ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES; FUTURE APPLICATIONS; LOW-FREQUENCY RAMAN; MATERIAL QUALITY; MAXIMUM INTENSITIES; MOSE2; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES;

MOLYBDENUM COMPOUNDS;

EID: 84946496382     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201552225     Document Type: Article

References (25)

1. A. K. Geim and I. V. Grigorieva, Nature 499, 419-425 (2013).
2. A. M. van der Zande, P. Y. Huang, D. A. Chenet, T. C. Berkelbach, Y. You, G.-H. Lee, T. F. Heinz, D. R. Reichman, D. A. Muller, and J. C. Hone, Nature Mater. 12, 554-561 (2013).
3. V. Nicolosi, M. Chhowalla, M. G. Kanatzidis, M. S. Strano, and J. N. Coleman, Science 340(6139), 1226419 (2013).
4. J. N. Coleman, M. Lotya, A. O'Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, I. V. Shvets, S. K. Arora, G. Stanton, H.-Y. Kim, K. Lee, G. T. Kim, G. S. Duesberg, T. Hallam, J. J. Boland, J. J. Wang, J. F. Donegan, J. C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R. J. Nicholls, J. M. Perkins, E. M. Grieveson, K. Theuwissen, D. W. McComb, P. D. Nellist, and V. Nicolosi, Science 331, 568-571 (2011).
5. K. Lee, R. Gatensby, N. McEvoy, T. Hallam, and G. S. Duesberg, Adv. Mater. 25, 6699-6702 (2013).
6. C. Yim, M. O'Brien, N. McEvoy, S. Riazimehr, H. Schäfer-Eberwein, A. Bablich, R. Pawar, G. Iannaccone, C. Downing, G. Fiori, M. C. Lemme, and G. S. Duesberg, Sci. Rep. 4, 5458 (2014).
7. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010).
8. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, and F. Wang, Nano Lett. 10, 1271-1275 (2010).
9. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, and A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 102, 10451-10453 (2005).
10. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nature Nanotechnol. 6, 147-150 (2011).
11. N. Scheuschner, O. Ochedowski, A.-M. Kaulitz, R. Gillen, M. Schleberger, and J. Maultzsch, Phys. Rev. B 89, 125406 (2014).
12. H. R. Gutiérrez, N. Perea-López, A. L. Elías, A. Berkdemir, B. Wang, R. Lv, F. López-Urías, V. H. Crespi, H. Terrones, and M. Terrones, Nano Lett. 13(8), 3447-3454 (2012).
13. X. Wang, Y. Gong, G. Shi, W. L. Chow, K. Keyshar, G. Ye, R. Vajtai, J. Lou, Z. Liu, E. Ringe, B. K. Tay, and P. M. Ajayan, ACS Nano 8(5), 5125-5131 (2014).
14. A. Mews, F. Koberling, T. Basché, G. Philipp, G. S. Duesberg, S. Roth, and M. Burghard, Adv. Mater. 12, 1210-1214 (2000).
15. X. Zhang, W. Han, J. Wu, S. Milana, Y. Lu, Q. Li, A. Ferrari, and P. Tan, Phys. Rev. B 87, 115413 (2013).
16. M. O'Brien, N. McEvoy, T. Hallam, H.-Y. Kim, N. C. Berner, D. Hanlon, K. Lee, J. N. Coleman, and G. S. Duesberg, Sci. Rep. 4, 7374 (2014).
17. D. Hanlon, C. Backes, T. M. Higgins, M. Hughes, A. O'Neill, P. King, N. McEvoy, G. S. Duesberg, B. Mendoza Sanchez, H. Pettersson, V. Nicolosi, and J. N. Coleman, Chem. Mater. 26, 1751-1763 (2014).
18. N. Scheuschner, R. Gillen, M. Staiger and J. Maultzsch, Phys. Rev. B 91, 235409 (2015).
19. H. Terrones, E. Del Corro, S. Feng, J. Poumirol, D. Rhodes, D. Smirnov, N. Pradhan, Z. Lin, M. Nguyen, and A. Elías, Sci. Rep. 4, 4215 (2014).
20. P. Tonndorf, R. Schmidt, P. Böttger, X. Zhang, J. Börner, A. Liebig, M. Albrecht, C. Kloc, O. Gordan, D. R. T. Zahn, S. Michaelis de Vasconcellos and R. Bratschitsch, Opt. Express 21, 4908-4916 (2013).
21. H. Li, Q. Zhang, C. C. R. Yap, B. K. Tay, T. H. T. Edwin, A. Olivier, and D. Baillargeat, Adv. Funct. Mater. 22, 1385-1390 (2012).
22. A. Berkdemir, H. R. Gutiérrez, A. R. Botello-Méndez, N. Perea-López, A. L. Elías, C.-I. Chia, B. Wang, V. H. Crespi, F. López-Urías, and J.-C. Charlier, Sci. Rep. 3, 1755 (2013).
23. J. Xia, X. Huang, L.-Z. Liu, M. Wang, L. Wang, B. Huang, D.-D. Zhu, J.-J. Li, C.-Z. Gu and X.-M. Meng, Nanoscale 6, 8949-8955 (2014).
24. S.-Y. Chen, C. Zheng, M. S. Fuhrer and J. Yan, Nano Lett. 15(4), 2526-2532 (2015).
25. X. Lu, M. I. B. Utama, J. Lin, X. Gong, J. Zhang, Y. Zhao, S. T. Pantelides, J. Wang, Z. Dong, Z. Liu, W. Zhou, and Q. Xiong, Nano Lett. 14(5), 2419-2425 (2014).