Positive magnetoresistance in ferromagnetic Nd-doped In2O 3 thin films grown by pulse laser deposition

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 20, 2014, Pages

  Xing, G Z ^a   Yi, J B ^a   Yan, F ^b   Wu, T ^c   Li, S ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b HARVARD UNIVERSITY   (United States)

^c KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Saudi Arabia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXCHANGE INTERACTIONS; FERROMAGNETIC MATERIALS; FERROMAGNETISM; MAGNETORESISTANCE; SEMICONDUCTOR DOPING; THIN FILMS;

EXTERNAL MAGNETIC FIELD; MAGNETIC AND MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES; MAGNETIZATION HYSTERESIS-LOOP; POSITIVE MAGNETORESISTANCE; PULSE LASER DEPOSITION; RARE EARTH DOPING; ROOM TEMPERATURE FERROMAGNETISM; ZEEMAN SPLITTINGS;

DEPOSITION;

EID: 84901465051     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4879463     Document Type: Article

References (41)

1. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001). 10.1126/science.1065389
2. I. Autić, J. Fabian, and S. Das Sarma, Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004). 10.1103/RevModPhys.76.323
3. G. Z. Xing, J. B. Yi, J. G. Tao, T. Liu, L. M. Wong, Z. Zhang, G. P. Li, S. J. Wang, J. Ding, T. C. Sum, C. H. A. Huan, and T. Wu, Adv. Mater. 20, 3521 (2008). 10.1002/adma.200703149
4. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Errand, Science 287, 1019 (2000). 10.1126/science.287.5455.1019
5. M. Venkatesan, C. B. Fitzgerald, J. G. Lunney, and J. M. D. Coey, Phys. Rev. Lett. 93, 177206 (2004). 10.1103/PhysRevLett.93.177206
6. S. Granville, B. Ruck, F. Budde, A. Koo, D. Pringle, F. Kuchler, A. Preston, D. Housden, N. Lund, A. Bittar, G. Williams, and H. Trodahl, Phys. Rev. B 73, 235335 (2006). 10.1103/PhysRevB.73.235335
7. D. D. Wang, Q. Chen, G. Z. Xing, J. B. Yi, S. B. Rahman, J. Ding, J. L. Wang, and T. Wu, Nano Lett. 12, 3994 (2012). 10.1021/nl301226k
8. M. Venkatesan, C. B. Fitzgerald, and J. M. D. Coey, Nature 430, 630 (2004). 10.1038/430630a
9. S. B. Ogale, Adv. Mater. 22, 3125 (2010). 10.1002/adma.200903891
10. J. B. Yi, C. C. Lim, G. Z. Xing, H. M. Fan, L. H. Van, S. L. Huang, K. S. Yang, X. L. Huang, X. B. Qin, B. Y. Wang, T. Wu, L. Wang, H. T. Zhang, X. Y. Gao, T. Liu, A. T. S. Wee, Y. P. Feng, and J. Ding, Phys. Rev. Lett. 104, 137201 (2010). 10.1103/PhysRevLett.104.137201
11. J. J. Lee, G. Z. Xing, J. B. Yi, T. Chen, S. Li, and M. Ionescu, Appl. Phys. Lett. 104, 012405 (2014). 10.1063/1.4861165
12. I. Hamberg and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 60, R123 (1986). 10.1063/1.337534
13. C. G. Granqvist and A. Hultlker, Thin Solid Films 411, 1 (2002). 10.1016/S0040-6090(02)00163-3
14. N. H. Hong, J. Sakai, N. T. Huong, and V. Brizé, Appl. Phys. Lett. 87, 102505 (2005). 10.1063/1.2041822
15. N. H. Hong, J. Sakai, N. T. Huong, A. Ruyter, and V. Brizé, J. Phys.: Condens. Matter 18, 6897 (2006). 10.1088/0953-8984/18/29/027
16. G. Peleckis, X. L. Wang, and S. X. Dou, Appl. Phys. Lett. 88, 132507 (2006). 10.1063/1.2191093
17. S. J. Hu, S. S. Yan, X. L. Lin, X. X. Yao, Y. X. Chen, G. L. Liu, and L. M. Mei, Appl. Phys. Lett. 91, 262514 (2007). 10.1063/1.2828041
18. J. Philip, A. Punnoose, B. I. Kim, K. M. Reddy, S. Layne, J. O. Holmes, B. Satpati, P. R. Leclair, T. S. Santos, and J. S. Moodera, Nature Mater. 5, 298 (2006). 10.1038/nmat1613
19. T. Kataoka, Y. Yamazaki, V. R. Singh, A. Fujimori, F.-H. Chang, H.-J. Lin, D. J. Huang, C. T. Chen, G. Z. Xing, J. W. Seo, C. Panagopoulos, and T. Wu, Phys. Rev. B 84, 153203 (2011). 10.1103/PhysRevB.84.153203
20. J. Limpert, F. Stutzki, F. Jansen, H.-J. Otto, T. Eidam, C. Jauregui, and A. Tünnermann, Light: Sci. Appl. 1, e8 (2012). 10.1038/lsa.2012.8
21. E. M. Dianov, Light: Sci. Appl. 1, e12 (2012). 10.1038/lsa.2012.12
22. K. Sugioka and Y. Cheng, Light: Sci. Appl. 3, e149 (2014). 10.1038/lsa.2014.30
23. S. Dhar, O. Brandt, M. Ramsteiner, V. F. Sapega, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 94, 037205 (2005). 10.1103/PhysRevLett.94.037205
24. S. V. Sergeyev, C. B. Mou, E. G. Turitsyna, A. Rozhin, S. K. Turitsyn and K. Blow, Light: Sci. Appl. 3, e131 (2014). 10.1038/lsa.2014.12
25. Y.-Y. Lai, Y. P. Lan, and T. C. Lu, Light: Sci. Appl. 2, e76 (2013). 10.1038/lsa.2013.32
26. G. Z. Xing, J. B. Yi, D. D. Wang, L. Liao, T. Yu, Z. X. Shen, C. H. A. Huan, T. C. Sum, J. Ding, and T. Wu, Phys. Rev. B 79, 174406 (2009). 10.1103/PhysRevB.79.174406
27. R. D. Shannon, Acta Crystallogr. A 32, 751 (1976). 10.1107/ S0567739476001551
28. R. K. Selvan, I. Genish, I. Perelshtein, J. M. C. Moreno, and A. Gedanken, J. Phys. Chem. C 112, 1795 (2008). 10.1021/jp0765502
29. M. Subramanian, P. Thakur, S. Gautam, K. H. Chae, M. Tanemura, T. Hihara, S. Vijayalakshmi, T. Soga, S. S. Kim, K. Asokan, and R. Jayavel, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 105410 (2009). 10.1088/0022-3727/42/10/105410
30. J. B. Goodenough, Phys. Rev. 100, 564 (1955). 10.1103/PhysRev.100.564
31. U. Hartmann, Annu. Rev. Mater. Sci. 29, 53 (1999). 10.1146/annurev. matsci.29.1.53
32. J. M. D. Coey, M. Venkatesan, and C. B. Fitzgerald, Nature Mater. 4, 173 (2005). 10.1038/nmat1310
33. D. D. Wang, G. Z. Xing, F. Yan, Y. S. Yan, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 104, 022412 (2014). 10.1063/1.4861936
34. A. G. Petukhov and M. Foyel, Phys. Rev. B 62, 520 (2000). 10.1103/PhysRevB.62.520
35. G. Z. Xing, Y. H. Lu, Y. F. Tian, J. B. Yi, C. C. Lim, Y. F. Li, G. P. Li, D. D. Wang, B. Yao, J. Ding, Y. P. Feng, and T. Wu, AIP Adv. 1, 022152 (2011). 10.1063/1.3609964
36. Y. F. Tian, S.-S. Yan, Q. Gao, J. X. Deng, Y. X. Chen, G. L. Liu, L. M. Mei, and Y. Qiang, Phys. Rev. B 79, 115209 (2009). 10.1103/PhysRevB.79.115209
37. Y. F. Tian, W. N. Lin, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 100, 052408 (2012). 10.1063/1.3681795
38. M. He, Y. F. Tian, D. Springer, I. A. Putra, G. Z. Xing, E. E. M. Chia, S. A. Cheong, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 99, 222511 (2011). 10.1063/1.3665401
39. S. Singh and M. S. R. Rao, Phys. Rev. B 80, 045210 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.045210
40. M. Sawicki, T. Dietl, J. Kossut, J. Igalson, T. Wojtowicz, and W. Plesiewicz, Phys. Rev. Lett. 56, 508 (1986). 10.1103/PhysRevLett.56.508
41. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer-Verlag, Berlin, 1984).