SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Physical Chemistry Chemical Physics

Volumn 16, Issue 22, 2014, Pages 10861-10865

Effect of ozone exposure on the electrical characteristics of high-purity, large-diameter semiconducting carbon nanotubes

(2) Gao, Jia a Loo, Yueh Lin a

a Princeton University (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84900831801 PISSN: 14639076 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c4cp00665h Document Type: Article

Times cited : (6)

References (29)

1
- 13144266761
- S. Banerjee T. Hemraj-Benny S. S. Wong Adv. Mater. 2005 17 17 29
- (2005) Adv. Mater. , vol.17 , pp. 17-29
- Banerjee, S.¹ Hemraj-Benny, T.² Wong, S.S.³

2
- 27744505741
- A. Hirsch O. Vostrowsky Top. Curr. Chem. 2005 245 193 237
- (2005) Top. Curr. Chem. , vol.245 , pp. 193-237
- Hirsch, A.¹ Vostrowsky, O.²

3
- 56849127859
- J. Cheng K. A. Fernando L. M. Veca Y. P. Sun A. I. Lamond Y. W. Lam S. H. Cheng ACS Nano 2008 2 2085 2094
- (2008) ACS Nano , vol.2 , pp. 2085-2094
- Cheng, J.¹ Fernando, K.A.² Veca, L.M.³ Sun, Y.P.⁴ Lamond, A.I.⁵ Lam, Y.W.⁶ Cheng, S.H.⁷

4
- 0036798654
- L. Cai J. L. Bahr Y. Yao J. M. Tour Chem. Mater. 2002 14 4235 4241
- (2002) Chem. Mater. , vol.14 , pp. 4235-4241
- Cai, L.¹ Bahr, J.L.² Yao, Y.³ Tour, J.M.⁴

5
- 20444454569
- Y. S. Min E. J. Bae W. Park J. Am. Chem. Soc. 2005 127 8300 8301
- (2005) J. Am. Chem. Soc. , vol.127 , pp. 8300-8301
- Min, Y.S.¹ Bae, E.J.² Park, W.³

6
- 78650305969
- S. Ghosh S. M. Bachilo R. A. Simonette K. M. Beckingham R. B. Weisman Science 2010 330 1656 1659
- (2010) Science , vol.330 , pp. 1656-1659
- Ghosh, S.¹ Bachilo, S.M.² Simonette, R.A.³ Beckingham, K.M.⁴ Weisman, R.B.⁵

7
- 79956016103
- S.-C. Kung K. C. Hwang N. Lin Appl. Phys. Lett. 2002 80 4819 4821
- (2002) Appl. Phys. Lett. , vol.80 , pp. 4819-4821
- Kung, S.-C.¹ Hwang, K.C.² Lin, N.³

8
- 84871262402
- Y. Su S. Pei J. Du W. B. Liu C. Liu H. M. Cheng Carbon 2013 53 4 10
- (2013) Carbon , vol.53 , pp. 4-10
- Su, Y.¹ Pei, S.² Du, J.³ Liu, W.B.⁴ Liu, C.⁵ Cheng, H.M.⁶

9
- 33646271622
- J. M. Simmons B. M. Nichols S. E. Baker M. S. Marcus O. M. Castellini C.-S. Lee R. J. Hamers M. A. Eriksson J. Phys. Chem. B 2006 110 7113 7118
- (2006) J. Phys. Chem. B , vol.110 , pp. 7113-7118
- Simmons, J.M.¹ Nichols, B.M.² Baker, S.E.³ Marcus, M.S.⁴ Castellini, O.M.⁵ Lee, C.-S.⁶ Hamers, R.J.⁷ Eriksson, M.A.⁸

10
- 34347330158
- L. C. Teaguea S. Banerjeeb S. S. Wong C. A. Richter B. Varughese J. D. Batteas Chem. Phys. Lett. 2007 442 354 359
- (2007) Chem. Phys. Lett. , vol.442 , pp. 354-359
- Teaguea, L.C.¹ Banerjeeb, S.² Wong, S.S.³ Richter, C.A.⁴ Varughese, B.⁵ Batteas, J.D.⁶

11
- 77956902284
- S. Kim H.-J. Kim H. R. Lee J.-H. Song S. N. Yi D. H. Ha J. Phys. D: Appl. Phys. 2010 43 305402
- (2010) J. Phys. D: Appl. Phys. , vol.43 , pp. 305402
- Kim, S.¹ Kim, H.-J.² Lee, H.R.³ Song, J.-H.⁴ Yi, S.N.⁵ Ha, D.H.⁶

12
- 33646941286
- W. Wongwiriyapan S. Honda H. Konishi T. Mizuta T. Ikuno T. Ohmori T. Ito R. Shimazaki T. Maekawa K. Suzuki H. Ishikawa K. Oura M. Katayama Jpn. J. Appl. Phys. 2006 45 3669 3671
- (2006) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.45 , pp. 3669-3671
- Wongwiriyapan, W.¹ Honda, S.² Konishi, H.³ Mizuta, T.⁴ Ikuno, T.⁵ Ohmori, T.⁶ Ito, T.⁷ Shimazaki, R.⁸ Maekawa, T.⁹ Suzuki, K.¹⁰ Ishikawa, H.¹¹ Oura, K.¹² Katayama, M.¹³

13
- 4344671138
- S. Picozzi S. Santucci L. Lozzi C. Cantalini C. Baratto G. Sberveglieri I. Armentano J. M. Kenny L. Valentini B. Delley J. Vac. Sci. Technol., A 2004 22 1466 1470
- (2004) J. Vac. Sci. Technol., A , vol.22 , pp. 1466-1470
- Picozzi, S.¹ Santucci, S.² Lozzi, L.³ Cantalini, C.⁴ Baratto, C.⁵ Sberveglieri, G.⁶ Armentano, I.⁷ Kenny, J.M.⁸ Valentini, L.⁹ Delley, B.¹⁰

14
- 0034247521
- S. H. Jhi S. G. Louie M. L. Cohen Phys. Rev. Lett. 2000 85 1710 1713
- (2000) Phys. Rev. Lett. , vol.85 , pp. 1710-1713
- Jhi, S.H.¹ Louie, S.G.² Cohen, M.L.³

15
- 65549154782
- R. Ma D. Yoon K.-Y. Chun S. Baik Chem. Phys. Lett. 2009 474 158 161
- (2009) Chem. Phys. Lett. , vol.474 , pp. 158-161
- Ma, R.¹ Yoon, D.² Chun, K.-Y.³ Baik, S.⁴

16
- 79952929872
- A. V. Naumov S. Ghosh D. A. Tsyboulski S. M. Bachilo R. B. Weisman ACS Nano 2011 5 1639 1648
- (2011) ACS Nano , vol.5 , pp. 1639-1648
- Naumov, A.V.¹ Ghosh, S.² Tsyboulski, D.A.³ Bachilo, S.M.⁴ Weisman, R.B.⁵

17
- 14644407524
- M. S. Dresselhaus G. Dresselhaus R. Saito A. Jorio Phys. Rep. 2005 409 47 99
- (2005) Phys. Rep. , vol.409 , pp. 47-99
- Dresselhaus, M.S.¹ Dresselhaus, G.² Saito, R.³ Jorio, A.⁴

18
- 14944376604
- M. E. Itkis D. E. Perea R. Jung S. Niyogi R. C. Haddon J. Am. Chem. Soc. 2005 127 3439 3448
- (2005) J. Am. Chem. Soc. , vol.127 , pp. 3439-3448
- Itkis, M.E.¹ Perea, D.E.² Jung, R.³ Niyogi, S.⁴ Haddon, R.C.⁵

19
- 84988783055
- M. A. Pimenta A. Jorio S. D. M. Brown A. G. Souza G. Dresselhaus J. H. Hafner C. M. Lieber R. Saito M. S. Dresselhaus Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2001 64 041401
- (2001) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.64 , pp. 041401
- Pimenta, M.A.¹ Jorio, A.² Brown, S.D.M.³ Souza, A.G.⁴ Dresselhaus, G.⁵ Hafner, J.H.⁶ Lieber, C.M.⁷ Saito, R.⁸ Dresselhaus, M.S.⁹

20
- 33645523930
- H. Murphy P. Papakonstantinou T. I. T. Okpalugo J. Vac. Sci. Technol., B 2006 24 715 720
- (2006) J. Vac. Sci. Technol., B , vol.24 , pp. 715-720
- Murphy, H.¹ Papakonstantinou, P.² Okpalugo, T.I.T.³

21
- 0036540852
- A. Ortiz-Condea F. J. Garcia Sancheza J. J. Liou A. Cerdeirac M. Estrada Y. Yue Microelectron. Reliab. 2002 42 583 596
- (2002) Microelectron. Reliab. , vol.42 , pp. 583-596
- Ortiz-Condea, A.¹ Garcia Sancheza, F.J.² Liou, J.J.³ Cerdeirac, A.⁴ Estrada, M.⁵ Yue, Y.⁶

22
- 79952934550
- M. Ganzhorn A. Vijayaraghavan A. A. Green S. Dehm A. Voigt M. Rapp M. C. Hersam R. A. A. Krupke Adv. Mater. 2011 23 1734 1738
- (2011) Adv. Mater. , vol.23 , pp. 1734-1738
- Ganzhorn, M.¹ Vijayaraghavan, A.² Green, A.A.³ Dehm, S.⁴ Voigt, A.⁵ Rapp, M.⁶ Hersam, M.C.⁷ Krupke, R.A.A.⁸

23
- 45749138358
- N. Izard S. Kazaoui K. Hata T. Okazaki T. Saito S. Iijima N. Minami Appl. Phys. Lett. 2008 92 243112
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 243112
- Izard, N.¹ Kazaoui, S.² Hata, K.³ Okazaki, T.⁴ Saito, T.⁵ Iijima, S.⁶ Minami, N.⁷

24
- 84870482813
- S. Z. Bisri J. Gao V. Derenskyi W. Gomulya I. Iezhokin P. Gordiichuk A. Herrmann M. A. Loi Adv. Mater. 2012 24 6147 6152
- (2012) Adv. Mater. , vol.24 , pp. 6147-6152
- Bisri, S.Z.¹ Gao, J.² Derenskyi, V.³ Gomulya, W.⁴ Iezhokin, I.⁵ Gordiichuk, P.⁶ Herrmann, A.⁷ Loi, M.A.⁸

25
- 33846227905
- Q. Cao M. Xia C. Kocabas M. Shim J. A. Rogers S. V. Rotkin Appl. Phys. Lett. 2007 90 023516
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 023516
- Cao, Q.¹ Xia, M.² Kocabas, C.³ Shim, M.⁴ Rogers, J.A.⁵ Rotkin, S.V.⁶

26
- 0013068352
- S. Rosenblatt Y. Yaish J. Park J. Gore V. P. L. Sazonova P. L. McEuen Nano Lett. 2002 2 869 872
- (2002) Nano Lett. , vol.2 , pp. 869-872
- Rosenblatt, S.¹ Yaish, Y.² Park, J.³ Gore, J.⁴ Sazonova, V.P.L.⁵ McEuen, P.L.⁶

27
- 0004005306
- Wiley-Interscience, New York
- S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York, 1981
- (1981) Physics of Semiconductor Devices
- Sze, S.M.¹

28
- 84875652121
- K. S. Mistry B. A. Larsen J. L. Blackburn ACS Nano 2013 7 2231 2239
- (2013) ACS Nano , vol.7 , pp. 2231-2239
- Mistry, K.S.¹ Larsen, B.A.² Blackburn, J.L.³

29
- 83655192455
- T. Takahashi K. Takei A. G. Gillies R. S. Fearing A. Javey Nano Lett. 2011 11 5408 5413
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 5408-5413
- Takahashi, T.¹ Takei, K.² Gillies, A.G.³ Fearing, R.S.⁴ Javey, A.⁵

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.