Effect of radical fluorination on mono- and bi-layer graphene in Ar/F 2 plasma

Applied Physics Letters

Volumn 101, Issue 16, 2012, Pages

  Tahara, K ^a   Iwasaki, T ^a   Matsutani, A ^a   Hatano, M ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BI-LAYER; FLUORINE RADICAL; PEAK INTENSITY; PLASMA CHAMBERS;

FLUORINATION; FLUORINE; HALOGENATION; ION BOMBARDMENT; MONOLAYERS; PHOTOELECTRONS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GRAPHENE;

EID: 84867818133     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4760268     Document Type: Article

References (20)

1. D. C. Elias, R. R. Nair, T. M. G. Mohiuddin, S. V. Morozov, P. Blake, M. P. Halsall, A. C. Ferrari, D. W. Boukhvalov, M. I. Katsnelson, A. K. Geim, and K. S. Novoselov, Science 323, 610 (2009). 10.1126/science.1167130
2. S. Ryu, M. Y. Han, J. Maultzsch, T. F. Heinz, P. Kim, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, Nano Lett. 8, 4597 (2008). 10.1021/nl802940s
3. R. Balog, B. Jorgensen, L. Nilsson, M. Andersen, E. Rienks, M. Bianchi, M. Fanetti, E. Laegsgaard, A. Baraldi, S. Lizzit, Z. Sljivancanin, F. Besenbacher, B. Hammer, T. G. Pedersen, P. Hofmann, and L. Hornekaer, Nature Mater. 9, 315 (2010). 10.1038/nmat2710
4. Z. Luo, T. Yu, Z. Ni, S. Lim, H. Hu, J. Shang, L. Liu, Z. Shen, and J. Lin, J. Phys. Chem. C 115, 1422 (2011). 10.1021/jp107109h
5. J. O. Sofo, A. M. Suarez, G. Usaj, P. S. Cornaglia, A. D. Hernández-Nieves, and C. A. Balseiro, Phys. Rev. B 83, 081411(R) (2011). 10.1103/PhysRevB.83.081411
6. M. Baraket, S. G. Walton, E. H. Lock, J. T. Robinson, and F. K. Perkins, Appl. Phys. Lett. 96, 231501 (2010). 10.1063/1.3436556
7. J. T. Robinson, J. S. Burgess, C. E. Junkermeier, S. C. Badescu, T. L. Reinecke, F. K. Perkins, M. K. Zalalutdniov, J. W. Baldwin, J. C. Culbertson, P. E. Sheehan, and E. S. Snow, Nano Lett. 10, 3001 (2010). 10.1021/nl101437p
8. R. R. Nair, W. Ren, R. Jalil, I. Riaz, V. G. Kravets, L. Britnell, P. Blake, F. Schedin, A. S. Mayorov, S. Yuan, M. I. Katsnelson, H.-M. Cheng, W. Strupinski, L. G. Bulusheva, A. V. Okotrub, I. V. Grigorieva, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Small 6, 2877 (2010). 10.1002/smll.201001555
9. F. Withers, M. Dubois, and A. K. Savchenko, Phys. Rev. B 82, 073403 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.073403
10. S.-H. Cheng, K. Zou, F. Okino, H. R. Gutierrez, A. Gupta, N. Shen, P. C. Eklund, J. O. Sofo, and J. Zhu, Phys. Rev. B 81, 205435 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.205435
11. X. Hong, S.-H. Cheng, C. Herding, and J. Zhu, Phys. Rev. B 83, 085410 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.085410
12. H. Yang, M. Chen, H. Zhou, C. Qiu, L. Hu, F. Yu, W. Chu, S. Sun, and L. Sun, J. Phys. Chem. C 115, 16844 (2011). 10.1021/jp204573z
13. M. Chen, H. Zhou, C. Qiu, H. Yang, F. Yu, and L. Sun, Nanotechnology 23, 115706 (2012). 10.1088/0957-4484/23/11/115706
14. W. H. Lee, J. W. Suk, H. Chou, J. Lee, Y. Hao, Y. Wu, R. Piner, D. Akinwande, K. S. Kim, and R. S. Ruoff, Nano Lett. 12, 2374 (2012). 10.1021/nl300346j
15. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009). 10.1126/science.1171245
16. A. Matsutani and A. Takada, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 51, 087001 (2012). 10.1143/JJAP.51.087001
17. E. H. M. Ferreira, M. V. O. Moutinho, F. Stavale, M. M. Lucchese, R. B. Capaz, C. A. Achete, and A. Jorio, Phys. Rev. B 82, 125429 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.125429
18. P. Venezuela, M. Lazzeri, and F. Mauri, Phys. Rev. B 84, 035433 (2011). 10.1103/PhysRevB.84.035433
19. J. C. Meyer, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, T. J. Booth, and S. Roth, Nature 446, 60 (2007). 10.1038/nature05545
20. T. Shirasaki, F. Moguet, L. Lozano, A. Tressaud, G. Nanse, and E. Papirer, Carbon 37, 1891 (1999). 10.1016/S0008-6223(99)00066-4