SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 22, Issue 36, 2012, Pages 19007-19013

Organic-inorganic nanohybrid nonvolatile memory transistors for flexible electronics

(8) Han, Kyu Seok a Park, Yerok c Han, Gibok a Lee, Byoung Hoon a Lee, Kwang Hyun b Son, Dong Hee c Im, Seongil b Sung, Myung Mo a

a Hanyang University (South Korea)

b Yonsei University (South Korea)

c TEXAS A AND M UNIVERSITY (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; CAPACITORS; FLEXIBLE ELECTRONICS; ZINC OXIDE;

CAPACITOR STRUCTURES; CHARGE TRAP; CURRENT RATIOS; LOW TEMPERATURES; LOW VOLTAGES; LOW-TEMPERATURE FABRICATION; MEMORY TRANSISTORS; MEMORY WINDOW; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS; MOLECULAR LAYER DEPOSITION; NON-VOLATILE MEMORY TRANSISTORS; ORGANIC LAYERS; ORGANIC-INORGANIC; ORGANIC-INORGANIC NANOHYBRID; RETENTION MEASUREMENT; SELF-ASSEMBLED; STATIC AND DYNAMIC; ZNO;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 84865265554 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2jm32767h Document Type: Article

Times cited : (12)

References (31)

1
- 34547816749
- Y. Sun J. A. Rogers Adv. Mater. 2007 19 1897
- (2007) Adv. Mater. , vol.19 , pp. 1897
- Sun, Y.¹ Rogers, J.A.²

2
- 77953168646
- T. Sekitani T. Someya Adv. Mater. 2010 22 2228
- (2010) Adv. Mater. , vol.22 , pp. 2228
- Sekitani, T.¹ Someya, T.²

3
- 53549110257
- A. J. Baca J. H. Ahn Y. Sun M. A. Meitl E. Menard H. S. Kim W. M. Choi D. H. Kim Y. Huang J. A. Rogers Angew. Chem., Int. Ed. 2008 47 5524
- (2008) Angew. Chem., Int. Ed. , vol.47 , pp. 5524
- Baca, A.J.¹ Ahn, J.H.² Sun, Y.³ Meitl, M.A.⁴ Menard, E.⁵ Kim, H.S.⁶ Choi, W.M.⁷ Kim, D.H.⁸ Huang, Y.⁹ Rogers, J.A.¹⁰

4
- 0038307224
- P. F. Baude D. A. Ender M. A. Haase T. W. Kelley D. V. Muyres S. D. Theiss Appl. Phys. Lett. 2003 82 3964
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.82 , pp. 3964
- Baude, P.F.¹ Ender, D.A.² Haase, M.A.³ Kelley, T.W.⁴ Muyres, D.V.⁵ Theiss, S.D.⁶

5
- 50449084152
- M. E. Roberts S. C. B. Mannsfeld N. Queraltó C. Reese J. Locklin W. Knoll Z. Bao Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2008 105 12134
- (2008) Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. , vol.105 , pp. 12134
- Roberts, M.E.¹ Mannsfeld, S.C.B.² Queraltó, N.³ Reese, C.⁴ Locklin, J.⁵ Knoll, W.⁶ Bao, Z.⁷

6
- 33644525617
- L. Zhou A. Wanga S. C. Wu J. Sun S. Park T. N. Jackson Appl. Phys. Lett. 2006 88 083502
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 083502
- Zhou, L.¹ Wanga, A.² Wu, S.C.³ Sun, J.⁴ Park, S.⁵ Jackson, T.N.⁶

7
- 79952608698
- W. J. Yu S. Y. Lee S. H. Chae D. Perello G. H. Han M. Yun Y. H. Lee Nano Lett. 2011 11 1344
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 1344
- Yu, W.J.¹ Lee, S.Y.² Chae, S.H.³ Perello, D.⁴ Han, G.H.⁵ Yun, M.⁶ Lee, Y.H.⁷

8
- 33847301145
- A. Facchetti Mater. Today 2007 10 28
- (2007) Mater. Today , vol.10 , pp. 28
- Facchetti, A.¹

9
- 75749132800
- A. C. Arias J. D. MacKenzie I. McCulloch J. Rivnay A. Salleo Chem. Rev. 2010 110 3
- (2010) Chem. Rev. , vol.110 , pp. 3
- Arias, A.C.¹ MacKenzie, J.D.² McCulloch, I.³ Rivnay, J.⁴ Salleo, A.⁵

10
- 79960542589
- H. Usta A. Facchetti T. J. Marks Acc. Chem. Res. 2011 44 501
- (2011) Acc. Chem. Res. , vol.44 , pp. 501
- Usta, H.¹ Facchetti, A.² Marks, T.J.³

11
- 34248396741
- S. Günes H. Neugebauer N. S. Sariciftci Chem. Rev. 2007 107 1324
- (2007) Chem. Rev. , vol.107 , pp. 1324
- Günes, S.¹ Neugebauer, H.² Sariciftci, N.S.³

12
- 8444245574
- A. P. Kulkarni C. J. Tonzola A. Babel S. A. Jenekhe Chem. Mater. 2004 16 4556
- (2004) Chem. Mater. , vol.16 , pp. 4556
- Kulkarni, A.P.¹ Tonzola, C.J.² Babel, A.³ Jenekhe, S.A.⁴

13
- 34548607450
- M. Zirkl A. Haase A. Fian H. Schön C. Sommer G. Jakopic G. Leising B. Stadlober I. Graz N. Gaar R. Schwödiauer S. Bauer-Gogonea S. Bauer Adv. Mater. 2007 19 2241
- (2007) Adv. Mater. , vol.19 , pp. 2241
- Zirkl, M.¹ Haase, A.² Fian, A.³ Schön, H.⁴ Sommer, C.⁵ Jakopic, G.⁶ Leising, G.⁷ Stadlober, B.⁸ Graz, I.⁹ Gaar, N.¹⁰ Schwödiauer, R.¹¹ Bauer-Gogonea, S.¹² Bauer, S.¹³

14
- 34547346804
- J. C. Scott L. D. Bozano Adv. Mater. 2007 19 1452
- (2007) Adv. Mater. , vol.19 , pp. 1452
- Scott, J.C.¹ Bozano, L.D.²

15
- 79952146219
- P. Heremans G. H. Gelinck R. Müller K. J. Baeg D. Y. Kim Y. Y. Noh Chem. Mater. 2010 23 341
- (2010) Chem. Mater. , vol.23 , pp. 341
- Heremans, P.¹ Gelinck, G.H.² Müller, R.³ Baeg, K.J.⁴ Kim, D.Y.⁵ Noh, Y.Y.⁶

16
- 77949860326
- S. J. Kim Y.-S. Park S. H. Lyu J. S. Lee Appl. Phys. Lett. 2010 96 033302
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.96 , pp. 033302
- Kim, S.J.¹ Park, Y.-S.² Lyu, S.H.³ Lee, J.S.⁴

17
- 77649207781
- R. C. G. Naber K. Asadi P. W. M. Blom D. M. de Leeuw B. de Boer Adv. Mater. 2010 22 933
- (2010) Adv. Mater. , vol.22 , pp. 933
- Naber, R.C.G.¹ Asadi, K.² Blom, P.W.M.³ De Leeuw, D.M.⁴ De Boer, B.⁵

18
- 33846181640
- K. J. Baeg Y. Y. Noh J. Ghim S. J. Kang H. Lee D. Y. Kim Adv. Mater. 2006 18 3179
- (2006) Adv. Mater. , vol.18 , pp. 3179
- Baeg, K.J.¹ Noh, Y.Y.² Ghim, J.³ Kang, S.J.⁴ Lee, H.⁵ Kim, D.Y.⁶

19
- 72649107182
- S. H. Cha A. Park K. H. Lee S. Im B. H. Lee M. M. Sung Org. Electron. 2010 11 159
- (2010) Org. Electron. , vol.11 , pp. 159
- Cha, S.H.¹ Park, A.² Lee, K.H.³ Im, S.⁴ Lee, B.H.⁵ Sung, M.M.⁶

20
- 74349102645
- K. J. Baeg Y. Y. Noh H. Sirringhaus D. Y. Kim Adv. Funct. Mater. 2010 20 224
- (2010) Adv. Funct. Mater. , vol.20 , pp. 224
- Baeg, K.J.¹ Noh, Y.Y.² Sirringhaus, H.³ Kim, D.Y.⁴

21
- 36849001927
- J. S. Lee J. Cho C. Lee I. Kim J. Park Y. M. Kim H. Shin J. Lee F. Caruso Nat. Nanotechnol. 2007 2 790
- (2007) Nat. Nanotechnol. , vol.2 , pp. 790
- Lee, J.S.¹ Cho, J.² Lee, C.³ Kim, I.⁴ Park, J.⁵ Kim, Y.M.⁶ Shin, H.⁷ Lee, J.⁸ Caruso, F.⁹

22
- 67649921103
- R. Gysel I. Stolichnov A. K. Tagantsev S. W. E. Riester N. Setter G. A. Salvatore D. Bouvet A. M. Ionescu Appl. Phys. Lett. 2009 94 263507
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 263507
- Gysel, R.¹ Stolichnov, I.² Tagantsev, A.K.³ Riester, S.W.E.⁴ Setter, N.⁵ Salvatore, G.A.⁶ Bouvet, D.⁷ Ionescu, A.M.⁸

23
- 48649101454
- T. W. Kim S. H. Oh H. Choi G. Wang H. Hwang D. Y. Kim T. Lee IEEE Electron Device Lett. 2008 29 852
- (2008) IEEE Electron Device Lett. , vol.29 , pp. 852
- Kim, T.W.¹ Oh, S.H.² Choi, H.³ Wang, G.⁴ Hwang, H.⁵ Kim, D.Y.⁶ Lee, T.⁷

24
- 37549041732
- B. H. Lee M. K. Ryu S. Y. Choi K. H. Lee S. Im M. M. Sung J. Am. Chem. Soc. 2007 129 16034
- (2007) J. Am. Chem. Soc. , vol.129 , pp. 16034
- Lee, B.H.¹ Ryu, M.K.² Choi, S.Y.³ Lee, K.H.⁴ Im, S.⁵ Sung, M.M.⁶

25
- 78650608110
- Y. Park K. S. Han B. H. Lee S. Cho K. H. Lee S. Im M. M. Sung Org. Electron. 2011 12 348
- (2011) Org. Electron. , vol.12 , pp. 348
- Park, Y.¹ Han, K.S.² Lee, B.H.³ Cho, S.⁴ Lee, K.H.⁵ Im, S.⁶ Sung, M.M.⁷

26
- 53749099717
- B. H. Lee K. H. Lee S. Im M. M. Sung Org. Electron. 2008 9 1146
- (2008) Org. Electron. , vol.9 , pp. 1146
- Lee, B.H.¹ Lee, K.H.² Im, S.³ Sung, M.M.⁴

27
- 70349959811
- B. H. Lee J. K. Hwang J. W. Nam S. U. Lee J. T. Kim S. M. Koo A. Baunemann R. A. Fischer M. M. Sung Angew. Chem., Int. Ed. 2009 48 4536
- (2009) Angew. Chem., Int. Ed. , vol.48 , pp. 4536
- Lee, B.H.¹ Hwang, J.K.² Nam, J.W.³ Lee, S.U.⁴ Kim, J.T.⁵ Koo, S.M.⁶ Baunemann, A.⁷ Fischer, R.A.⁸ Sung, M.M.⁹

28
- 59349109262
- A. Furukawa N. Ogasawara R. Yokozawa T. Tokunaga Jpn. J. Appl. Phys. 2008 47 8799
- (2008) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.47 , pp. 8799
- Furukawa, A.¹ Ogasawara, N.² Yokozawa, R.³ Tokunaga, T.⁴

29
- 53349090114
- Y. S. Lo K. C. Liu J. Y. Wu C. H. Hou T. B. Wu Appl. Phys. Lett. 2008 93 132907
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 132907
- Lo, Y.S.¹ Liu, K.C.² Wu, J.Y.³ Hou, C.H.⁴ Wu, T.B.⁵

30
- 79952519185
- S. Cho G. Han K. Kim M. M. Sung Angew. Chem., Int. Ed. 2011 50 2742
- (2011) Angew. Chem., Int. Ed. , vol.50 , pp. 2742
- Cho, S.¹ Han, G.² Kim, K.³ Sung, M.M.⁴

31
- 0022699183
- A. Ishizaka Y. Shiraki J. Electrochem. Soc. 1986 133 666
- (1986) J. Electrochem. Soc. , vol.133 , pp. 666
- Ishizaka, A.¹ Shiraki, Y.²

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.