Source/drain electrodes contact effect on the stability of bottom-contact pentacene field-effect transistors

AIP Advances

Volumn 2, Issue 2, 2012, Pages

  Yu, Xinge ^a   Yu, Junsheng ^a   Huang, Wei ^a   Zhang, Lin ^a   Zeng, Hongjuan ^a  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRIC FIELD EFFECTS; MORPHOLOGY;

AMBIENT CONDITIONS; BOTTOM-CONTACT PENTACENE; DEVICE STABILITY; ELECTRICAL PERFORMANCE; FIELD-EFFECT MOBILITIES; OFF-STATE CURRENT; SATURATION CURRENT; SOURCE/DRAIN ELECTRODES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 84864771399     PISSN: None     EISSN: 21583226     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4707164     Document Type: Article

References (21)

1. G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. Van Der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B. H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 3, 106 (2004).
2. J. A. Rogers, Z. N. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone, V. R. Raju, V. Kuck, H. E. Katz, K. Amundson, J. Ewing, and P. Drzaic, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 98, 4835 (2001).
3. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. J. R. Huang, Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, and J. West, Appl. Phys. Lett. 80, 1088 (2002).
4. T. Sekitani, U. Zschieschang, H. Klauk, and T. Someya, Nat. Mater. 12, 1015 (2010).
5. Y. L. Guo, G. Yu, and Y. Q. Liu, Adv. Mater. 22, 4427 (2010).
6. P. J. Benning, D. M. Poirier, T. R. Ohno, Y. Chen, M. B. Jost, F. Stepniak, G. H. Kroll, J. H. Weaver, J. Fure, and R. E. Smalley, Phys. Rev. B 45, 6899 (1992).
7. Z. An, J. S. Yu, S. C. Jones, S. Barlow, S. Yoo, B. Domercq, P. Prins, L. D. A. Siebbeles, B. Kippelen, and S. R. Marder, Adv. Mater. 17, 2580 (2005).
8. J. Liu, J. W. Hennek, D. B. Buchholz, Y. Ha, S. Xie, V. P. Dravid, R. P. H. Chang, A. Facchetti, and T. J. Marks, Adv. Mater. 23, 992 (2011).
9. S. W. Liu, C. C. Lee, J. M. Wen, and C. T. Chen, Appl. Phys. Lett. 98, 023306 (2011).
10. Y. Qiu, Y. Hu, G. Dong, L. Wang, J. Xie, and Y. Ma, Appl. Phys. Lett. 83, 1644 (2003).
11. M. Ling, Z. N. Bao, and D. W. Li, Appl. Phys. Lett. 88, 033502 (2006).
12. C. R. Kagan, A. Afzali, and T. O. Graham, Appl. Phys. Lett. 86, 193305 (2005).
13. S. H. Kim, H. Yang, S. Y. Yang, K. Hong, D. Choi, C. Yang, D. S. Chung, and C. E. Park, Org. Electron. 9, 673 (2008).
14. F. D. Angelis, G. Das, and E. D. Fabrizio, Chem. Phys. Lett. 462, 234 (2008).
15. M. H. Choi, S. H. Han, S. H. Lee, D. J. Choo, J. Jang, and S. K. Kwon, Org. Electron. 10, 241 (2009).
16. F. D. Angelis, S. Cipolloni, L. Mariucci, and G. Fortunato Appl. Phys. Lett. 88, 193508 (2006).
17. F. D. Angelis, M. Gaspari, A. Procopio, G. Cuda, and E. D. Fabrizio, Chem. Phys. Lett. 468, 193 (2008).
18. S. Cipolloni, L. Mariucci, A. Valletta, D. Simeone, F. D. Angelis, and G. Fortunato, Thin Solid Films 515 7546 (2007).
19. X. G. Yu, J. S. Yu, J. L. Zhou, J. Huang, and Y. D. Jiang, Appl. Phys. Lett. 99, 063306 (2011).
20. X. G. Yu, J. S. Yu, J. L. Zhou, and Y. D. Jiang, Synth. Met. In Press.
21. X. G. Yu, J. S. Yu, J. L. Zhou, H. Wang, L. H. Cheng, and Y. D. Jiang, Jpn. J. Phys. Lett. 50, 104101 (2011).