Pressure-induced growth evolution of different ZnO nanostructures by a pulsed laser ablation method

Science of Advanced Materials

Volumn 4, Issue 3-4, 2012, Pages 455-462

  Zhang, P ^a   Zhou, G D ^a   Gong, H B ^a   Xu, H Y ^a   Nakamura, D ^b   Okada, T ^b   Zeng, H B ^c   Cao, B Q ^a  

^a UNIVERSITY OF JINAN   (China)

^b KYUSHU UNIVERSITY   (Japan)

^c NANJING UNIVERSITY OF AERONAUTICS AND ASTRONAUTICS   (China)

Author keywords

Field emission; High pressure PLD; Nanowall; Nanowire; Zno

Indexed keywords

EID: 84861425807     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2012.1301     Document Type: Article

References (29)

1. H. B. Zeng, J. B. Zeng, B. Q. Cao, U. Gibson, Y. Bando, and D. Golberg, Sci. Adv. Mater. 2, 336 (2010).
2. H. B. Zeng, C. Y. Zhi, Z. H. Zhang, X. L. Wei, X. B. Wang, W. L. Guo, Y. Bando, and D. Golberg, Nano Lett. 10, 5049 (2010).
3. C. Czekalla, C. Sturm, R. Schmidt-Grund, B. Q. Cao, J. Z. Pérez, M. Lorenz, and M. Grundmann, J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1780 (2009).
4. B. Q. Cao, M. Lorenz, M. Brandt, H. von Wenckstern, J. Lenzner, G. Biehne, and M. Grundmann, Phys. Stat. Sol. (RRL) 2, 37 (2008).
5. B. Q. Cao, W. P. Cai, G. T. Duan, Y. Li, Q. Zhao, and D. P. Yu, Nanotechnology 16, 2567 (2005).
6. B. Q. Cao, W. P. Cai, Y. Li, F. Q. Sun, and L. D. Zhang, Nanotechnology 16, 1734 (2005).
7. Z. L. Wang, Nano Today 5, 540 (2010).
8. B. Q. Cao, K. Sakai, D. Nakamura, I. A. Palani, H. B. Gong, H. Y. Xu, M. Higashihata, and T. Okada, J. Phys. Chem. C 115, 1702 (2011).
9. C. X. Xu, X. W. Sun, Z. L. Dong, and M. B. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 3878 (2004).
10. J. Shi, S. Grutzik, and X. D. Wang, ACS Nano 3, 1594 (2009).
11. R. Eason (ed.), Pulsed Laser Deposition of Thin Films, Wiley, NJ (2007).
12. M. Lorenz, K. Ellmer, A. Klein, and B. Rech (eds.), Pulsed laser deposition of ZnO-based films, in Transparent conductive ZnO, Springer, Berlin (2008).
13. A. M. Morales and M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
14. M. Yan, H. T. Zhang, E. J. Widjaja, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 94, 5240 (2003).
15. M. Lorenz, E. M. Kaidashev, A. Rahm, Th. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner, D. Spemann, H. Hochmuth, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 86, 143113 (2005).
16. B. Q. Cao, T. Matsumoto, M. Matsumoto, M. Higashihata, D. Nakamura, and T. Okada, J. Phys. Chem. C 113, 10975 (2009).
17. A. Rahm, G. W. Yang, M. Lorenz, T. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner, and M. Grundmann, Thin Solid Films 486, 191 (2005).
18. R. Q. Guo, J. Nishimura, M. Ueda, M. Higashihata, D. Nakamura, and T. Okada, Appl. Phys. A 89, 141 (2007).
19. M. Kawakami, A. B. Hartanto, Y. Nakata, and T. Okada, Jpn. J. Appl. Phys. 42 L33 (2003).
20. T. Okada, B. H. Agung, and Y. Nakata, Appl. Phys. A 79, 1417 (2004).
21. S. Y. Li, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng, J. Cryst. Grow. 247, 357 (2003).
22. B. Q. Cao, W. P. Cai, H. B Zeng, and G. T. Duan, J. App. Phys. 99, 073516 (2006).
23. H. B. Zeng, G. T. Duan, Y. Li, S. K. Yang, X. X. Xu, and W. P. Cai, Adv. Funct. Mater. 20, 561 (2010).
24. Y. K. Tseng, C. J. Huang, H. M. Cheng, I. N. Lin, K. S. Liu, and I. C. Chen, Adv. Funct. Mater. 13, 811 (2003).
25. N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).
26. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, Proc. R. Soc. A 119, 173 (1928).
27. J. H. Choy, E. S. Jang, J. H. Won, J. H. Chung, D. J. Jang, and Y. W. Kim, Adv. Mater. 15, 1911 (2003).
28. H. J. Fan, F. Bertram, A. Dadgar, J. Christen, A. Krost, and M. Zacharias, Nanotechnology 15, 1401 (2004).
29. H. B. Zeng, X. J. Xu, Y. Bando, U. K. Gautam, T. Y. Zhai, X. S. Fang, B. D. Liu, and D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 19 3165 (2009).