Effect of silicon and sodium on thermoelectric properties of thallium-doped lead telluride-based materials

Nano Letters

Volumn 12, Issue 5, 2012, Pages 2324-2330

  Zhang, Qinyong ^a,b   Wang, Hengzhi ^b   Zhang, Qian ^b   Liu, Weishu ^b   Yu, Bo ^b   Wang, Hui ^b   Wang, Dezhi ^b   Ni, George ^c   Chen, Gang ^c   Ren, Zhifeng ^b  

^a XIHUA UNIVERSITY   (China)

^b BOSTON COLLEGE   (United States)

^c Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

lead telluride; mechanical strength; silicon; sodium; Thermoelectric materials

Indexed keywords

ELECTRICAL CONDUCTIVITY; GRAIN SIZE; HIGH ELECTRICAL CONDUCTIVITY; LEAD TELLURIDE; NA DOPING; PHONON ENGINEERING; POWER FACTORS; SI ADDITION; THERMOELECTRIC MATERIAL; THERMOELECTRIC PROPERTIES;

BALL MILLING; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POWER FACTOR; HOT PRESSING; LEAD; SODIUM; STRENGTH OF MATERIALS; THALLIUM; THERMOELECTRIC EQUIPMENT; THERMOELECTRICITY;

SILICON;

EID: 84861050691     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3002183     Document Type: Article

References (45)

1. Tritt, T. M. Annu. Rev. Mater. Res. 2011, 41, 433-448
2. Bell, L. E. Science 2008, 321, 1457-1461
3. Vineis, C. J.; Shakouri, A.; Majumdar, A.; Kanatzidis, M. G. Adv. Mater. 2010, 22, 3970-3980
4. Liu, W. S.; Yan, X.; Chen, G.; Ren, Z. F. Nano Energy 2012, 1, 42-56
5. Dresselhaus, M. S.; Chen, G.; Ren, Z. F.; Fleurial, J. P.; Gogna, P.; Tang, M. Y.; Vashaee, D.; Lee, H.; Wang, X. W.; Joshi, G.; Zhu, G. H.; Wang, D. Z.; Blair, R.; Bux, S.; Kaner, R. Thermoelectr. Power Gener. 2008, 1044, 29-41
6. Zebarjadi, M.; Joshi, G.; Zhu, G. H.; Yu, B.; Minnich, A.; Lan, Y. C.; Wang, X. W.; Dresselhaus, M.; Ren, Z. F.; Chen, G. Nano Lett. 2011, 11, 2225-2230
7. Heremans, J. P.; Thrush, C. M.; Morelli, D. T. Phys. Rev. B 2004, 70, 115334
8. Jaworski, C. M.; Wiendlocha, B.; Jovovic, V.; Heremans, J. P. Energy Environ. Sci. 2011, 4, 4155-4162
9. Zhang, Q. Y.; Wang, H.; Liu, W. S.; Wang, H. Z.; Yu, B.; Zhang, Q.; Tian, Z.; Ni, G.; Lee, S.; Esfarjani, K.; Chen, G.; Ren, Z. F. Energy Environ. Sci. 2012, 5, 5246-5251
10. Poudel, B.; Hao, Q.; Ma, Y.; Lan, Y. C.; Minnich, A.; Yu, B.; Yan, X. A.; Wang, D. Z.; Muto, A.; Vashaee, D.; Chen, X. Y.; Liu, J. M.; Dresselhaus, M. S.; Chen, G.; Ren, Z. F. Science 2008, 320, 634-638
11. Yu, B.; Zhang, Q. Y.; Wang, H.; Wang, X. W.; Wang, H. Z.; Wang, D. Z.; Wang, H.; Snyder, G. J.; Chen, G.; Ren, Z. F. J. Appl. Phys. 2010, 108, 016104
12. Pei, Y. Z.; Shi, X. Y.; LaLonde, A.; Wang, H.; Chen, L. D.; Snyder, G. J. Nature 2011, 473, 66-69
13. Heremans, J. P.; Jovovic, V.; Toberer, E. S.; Saramat, A.; Kurosaki, K.; Charoenphakdee, A.; Yamanaka, S.; Snyder, G. J. Science 2008, 321, 554-557
14. Poudeu, P. F. R.; D'Angelo, J.; Downey, A. D.; Short, J. L.; Hogan, T. P.; Kanatzidis, M. G. Angew. Chem., Int. Ed. 2006, 45, 3835-3839
15. Biswas, K.; He, J. Q.; Zhang, Q. C.; Wang, G. Y.; Uher, C.; Dravid, V. P.; Kanatzidis, M. G. Nat. Chem. 2011, 3, 160-166
16. Hsu, K. F.; Loo, S.; Guo, F.; Chen, W.; Dyck, J. S.; Uher, C.; Hogan, T.; Polychroniadis, E. K.; Kanatzidis, M. G. Science 2004, 303, 818-821
17. Heremans, J. P.; Wiendlocha, B.; Chamoire, A. M. Energy Environ. Sci. 2012, 5, 5510-5530
18. Sootsman, J. R.; He, J. Q.; Dravid, V. P.; Ballikaya, S.; Vermeulen, D.; Uher, C.; Kanatzidis, M. G. Chem. Mater. 2010, 22, 869-875
19. Wang, H. Z.; Zhang, Q. Y.; Yu, B.; Wang, H.; Liu, W. S.; Chen, G.; Ren, Z. F. J. Mater. Res. 2011, 26, 912-916
20. Singh, D. J. Phys. Rev. B 2010, 81, 195217
21. Pei, Y. Z.; LaLonde, A.; Iwanaga, S.; Snyder, G. J. Energy Environ. Sci. 2011, 4, 2085-2089
22. Wang, H.; Charoenphakdee, A.; Kurosaki, K.; Yamanaka, S.; Snyder, G. J. Phys. Rev. B 2011, 83, 024303
23. Brieseck, M.; Lengauer, W.; Gneiss, B.; Wagner, K.; Wagner, S. Microchim. Acta 2010, 168, 309-316
24. Nemov, S. A.; Zhitinskaya, M. K.; Proshin, V. I. Sov. Phys. Semicond., USSR 1991, 25, 592-594
25. Ioffe, A. F. Semiconductor Thermoelements and Thermoelectric Cooling; Infosearch Ltd.: London, 1957.
26. Airapetyants, S. V.; Vinograd, M. N.; Dubrovsk, I. N.; Kolomoet, N. V.; Rudnik, I. M. Sov. Phys. Solid State,USSR 1966, 8, 1069-1072
27. Crocker, A. J.; Rogers, L. M. Br. J. Appl. Phys. 1967, 18, 563-573
28. Alekseeva, G. T.; Zemskov, B. G.; Konstantinov, P. P.; Prokofeva, L. V.; Urazbaeva, K. T. Sov. Phys. Semicond., USSR 1992, 26, 202-207
29. Androulakis, J.; Todorov, I.; Chung, D.-Y.; Ballikaya, S.; Wang, G.; Uher, C.; Kanatzidis, M. Phys. Rev. B 2010, 82, 115209
30. May, A. F.; Toberer, E. S.; Saramat, A.; Snyder, G. J. Phys. Rev. B 2009, 80, 125205
31. Hoang, K.; Mahanti, S. D.; Kanatzidis, M. G. Phys. Rev. B 2010, 81, 115106
32. Bilc, D.; Mahanti, S. D.; Quarez, E.; Hsu, K. F.; Pcionek, R.; Kanatzidis, M. G. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 146403
33. Wei, S. H.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1997, 55, 13605-13610
34. Chernik, I. A.; Kaidanov, V. I.; Vinogradova, M. I.; Kolomoets, N. V. Sov. Phys. Semicond., USSR 1968, 2, 645-651
35. Vinogradova, M. N.; Kolomoets, N. V.; Smirnov, I. A.; Sysoeva, L. M. Sov. Phys. Semicond., USSR 1968, 9, 2368-2369
36. Allgaier, R. S.; Houston, B. B. J. Appl. Phys. 1966, 37, 302-309
37. Andreev, A. A.; Radionov, V. N. Sov. Phys. Semicond., USSR 1967, 1, 145-148
38. Sysoeva, L. M.; Vinograd, Mn.; Kolomoet, Nv.; Ravich, Y. I. Sov. Phys. Semicond., USSR 1970, 3, 975-977
39. Gruzinov, B. F.; Drabkin, I. A.; Ravich, Y. I. Sov. Phys. Semicond., USSR 1979, 13, 315-319
40. Kaidanov, V. I.; Ravich, Y. I. Sov. Phys.-Usp. 1985, 28, 31-53
41. Kaidanov, V. I.; Nemov, S. A.; Ravich, Y. I. Sov. Phys. Semicond., USSR 1992, 26, 113-125
42. Wang, H.; Pei, Y. Z.; LaLonde, A. D.; Snyder, G. J. Adv. Mater. 2011, 23, 1366-1370
43. Girard, S. N.; He, J. Q.; Zhou, X. Y.; Shoemaker, D.; Jaworski, C. M.; Uher, C.; Dravid, V. P.; Heremans, J. P.; Kanatzidis, M. G. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 16588-16597
44. Smirnov, I. A.; Vinograd, Mn; Kolomoet, Nv; Sysoeva, L. M. Sov. Phys. Solid State, USSR 1968, 9, 2074-2079
45. Kaidanov, V. I.; Nemov, S. A.; Ravich, Y. I.; Zaitsev, A. M. Sov. Phys. Semicond., USSR 1983, 17, 1027-1030