Homoepitaxial growth and photoluminescence of self-assembled In-doped ZnS nanowire bundles

Crystal Research and Technology

Volumn 47, Issue 4, 2012, Pages 449-454

  Guo, Taibo ^a   Chen, Yiqing ^a   Liu, Lizhu ^a   Cheng, Yinfen ^a   Zhang, Xinhua ^a   Ma, Baojiao ^a   Wei, Meiqin ^a  

^a HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

CVD; doping; nanostructures; sulfides; vapor phase epitaxy; zinc compound

Indexed keywords

CUBIC STRUCTURE; DOPED ZNS; GREEN EMISSION BANDS; HOMOEPITAXIAL GROWTH; MICRO-SCALES; PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM; SELECTED AREA ELECTRON DIFFRACTION; SELF-ASSEMBLED; SULFIDES; THERMAL EVAPORATION METHOD; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY (TEM); VAPOR PHASE; VIOLET EMISSION; ZNS CRYSTALS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON DIFFRACTION; EPITAXIAL GROWTH; INDIUM; INDIUM SULFIDE; PHOTOLUMINESCENCE; SPHERES; THERMAL EVAPORATION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAPORS; X RAY DIFFRACTION; ZINC COMPOUNDS; ZINC SULFIDE;

NANOWIRES;

EID: 84859343335     PISSN: 02321300     EISSN: 15214079     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/crat.201100497     Document Type: Article

References (37)

1. X. D. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett. 4, 423 (2004).
2. C. Y. Jin, H. Kim, K. Baek, H. W. Kim, and C. M. Lee, Cryst. Res. Technol. 45, 199 (2010).
3. S. K. Lim, S. H. Hwang, and S. Kim, Cryst. Res. Technol. 45, 771 (2010).
4. P. Nguyen, H. T. Ng, T. Yamada, M. K. Smith, J. Li, J. Han, and M. Meyyappan, Nano Lett. 4, 651 (2004).
5. M. S. Kumar, D. Chhikara, and K. M. Srivatsa, Cryst. Res. Technol. 46, 996 (2011).
6. X. Fang, Y. Bando, M. Liao, U. Gautam, C. Zhi, B. Dierre, B. Liu, T. Zhai, T. Sekiguchi, Y. Koide, and D. Golberg, Adv. Mater. 21, 2034 (2009).
7. D. Z. Shen, Q. J. Feng, J. Y. Zhang, H. W. Liang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth 285, 561 (2005).
8. F. Lu, W. P. Cai, Y. G. Zhang, Y. Li, F. Q. Sun, S. H. Heo, and S. O. Cho, Appl. Phys. Lett. 89, 231928 (2006).
9. R. F. Zhuo, H. T. Feng, D. Yan, J. T. Chen, J. J. Feng, J. Z. Liu, and P. X. Yan, J. Cryst. Growth 310, 3240 (2008).
10. G. Z. Shen, Y. Bando, J. Q. Hu, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 90, 123101 (2007).
11. Y. Jiang, X. M. Meng, J. Liu, Z. Y. Xie, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 323 (2003).
12. G. Z. Shen, Y. Bando, D. Golberg, and C. W. Zhou, J. Phys. Chem. C 112, 12299 (2008).
13. D. F. Moore, Y. Ding, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 126, 14372 (2004).
14. Y. Liang, H. Y. Xu, and S. K. Hark, J. Phys. Chem. C 114, 8343 (2010).
15. Y. Jiang, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. M. Meng, J. A. Zapien, and S. T. Lee, Adv. Mater. 18, 1527 (2006).
16. R. Maity and K. K. Chattopadhyay, Nanotechnology 15, 812 (2004).
17. A. A. Khosravi, M. Kundu, L. Jatwa, S. K. Deshpande, U. A. Bhagawat, M. Sastry, and S. K. Kulkarni, Appl. Phys. Lett. 67, 2702 (1995).
18. M. Y. Lu, M. P. Lu, Y. A. Chung, M. J. Chen, Z. L. Wang, and L. J. Chen, J. Phys. Chem. C 113, 12878 (2009).
19. L. H. Kuo, L. Salamanca-Riba, J. M. Depuydt, H. Cheng, and J. Qiu, Appl. Phys. Lett. 63, 3197 (1993).
20. J. L. Wang and Q. Yang, Cryst. Growth Des. 8, 661 (2008).
21. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
22. G. W. Sears, Acta Metall. 4, 361 (1955).
23. L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, D. Wang, and C. M. Lieber, Nature 420, 57 (2002).
24. H. Y. Lu, S. Y. Chu, and C. C. Chang, J. Cryst. Growth 280, 173 (2005).
25. Q. H. Xiong, J. G. Wang, O. Reese, L. Yan, L. C. Voon, and P. C. Eklund, Nano Lett. 4, 1991 (2004).
26. O. Brafman and S. S. Mitra, Phys. Rev. 171, 931 (1968).
27. W. G. Nilsen, Phys. Rev. 182, 838 (1969).
28. T. Kanata, H. Murai, and K. Kubota, J. Appl. Phys. 61, 969 (1987).
29. A. A. Bol and A. Meijerink, J. Phys. Chem. B 105, 10197 (2001).
30. Z. X. Zhang, J. X. Wang, H. J. Yuan, Y. Gao, D. F. Liu, L. Song, Y. J. Xiang, X. W. Zhao, L. F. Liu, S. D. Luo, X. Y. Dou, S. C. Mou, W. Y. Zhou, and S. S. Xie, J. Phys. Chem. B 109, 18352 (2005).
31. A. V. Murugan, O. Y. Heng, V. Ravi, A. K. Viswanath, and V. Saaminathan, J. Mater. Sci. 41, 1459 (2006).
32. G. H. Yue, P. X. Yan, D. Yan, J. Z. Liu, D. M. Qu, Q. Yang, and X. Y. Fan, J. Cryst. Growth 293, 428 (2006).
33. C. H. Liang, Y. Shimizu, T. Sasaki, H. Umehara, and N. Koshizaki, J. Phys. Chem. B 108, 9728 (2004).
34. Y. Q. Chang, M. W. Wang, X. H. Chen, S. L. Ni, and W. J. Qiang, Solid State Commun. 142, 295 (2007).
35. Y. C. Zhu, Y. Bando, and D. F. Xue, Appl. Phys. Lett. 82, 11 (2003).
36. S. Biswas, S. Kar, and S. Chaudhuri, J. Phys. Chem. B 109, 17526 (2005).
37. M. L. Steigerwald and L. E. Brus, Acc. Chem. Res. 23 183 (1990).