UV photodetectors based on ZnO nanorods: Role of defect-concentration

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 10 PART 1, 2011, Pages

  Chitara, Basant ^a   Panchakarla, Leela Srinivas ^b   Krupanidhi, Salaru Baba ^a   Rao, C N R ^a,b  

^a INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE   (India)

^b NATIONAL CHEMICAL LABORATORY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DROP CASTING; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; LOW TEMPERATURES; PHOTOCONDUCTIVE GAINS; RESPONSIVITY; UV PHOTODETECTORS; ZNO NANOROD;

DEFECTS; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTODETECTORS; ZINC OXIDE;

NANORODS;

EID: 80054882834     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.100206     Document Type: Article

References (29)

1. P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-P. Choi: Adv. Funct. Mater. 12 (2002) 323.
2. C. H. Liu, J. A. Zapien, Y. Yao, X. M. Meng, C. S. Lee, S. S. Fan, Y. Lifshitz, and S. T. Lee: Adv. Mater. 15 (2003) 838.
3. C. W. Cheng, G. Y. Xu, H. Q. Zhang, and Y. Luo: J. Nanosci. Nanotechnol. 7 (2007) 4439.
4. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang: Adv. Mater. 14 (2002) 158.
5. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4376.
6. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, and T. H. Wang: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 123117.
7. S. E. Ahn, J. S. Lee, H. Kim, S. Kim, B. H. Kang, K. H. Kim, and G. T. Kim: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 5022.
8. S. V. Bhat, S. R. C. Vivekchand, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao: Solid State Commun. 149 (2009) 510.
9. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, and D. Wang: Nano Lett. 7 (2007) 1003.
10. L. Yingying, C. Chuanwei, D. Xiang, G. Junshan, and Z. Haiqian: J. Semicond. 30 (2009) 063004.
11. Z. Y. Fan, P. C. Chang, J. G. Lu, E. C. Walter, R. M. Penner, C. H. Lin, and H. P. Lee: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 6128.
12. W. I. Park, J. S. Kim, G. C. Yi, M. H. Bae, and H. J. Lee: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 5052.
13. J. C. Johnson, K. P. Knutsen, H. Q. Yan, M. Law, Y. Zhang, P. Yang, and R. J. Saykally: Nano Lett. 4 (2004) 19.
14. S. Kunjara, N. Ayudhya, P. Tonto, O. Mekasuwandumrong, V. Pavarajarn, and P. Praserthdam: Cryst. Growth Des. 6 (2006) 2446.
15. R. Wahab, S. G. Ansari, Y. S. Kim, H. K. Seo, and H. S. Shin: Appl. Surf. Sci. 253 (2007) 7622.
16. B. Chitara, D. S. I. Jebakumar, C. N. R. Rao, and S. B. Krupanidhi: Nanotechnology 20 (2009) 405205.
17. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, A. Voigt, and B. E. Gnade: J. Appl. Phys. 79 (1996) 7983.
18. A. B. Djurisic, Y. H. Leung, K. H. Tam, Y. F. Hsu, L. Ding, W. K. Ge, Y. C. Zhong, K. S. Wong, W. K. Chan, H. L. Tam, K. W. Cheah, W. M. Kwok, and D. L. Phillips: Nanotechnology 18 (2007) 095702.
19. X. Zhou, S. Gu, Z. Wu, S. Zhu, J. Ye, S. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. Zheng: Appl. Surf. Sci. 253 (2006) 2226.
20. H. Zeng, W. Cai, J. Hu, G. Duan, P. Liu, and Y. Li: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 171910.
21. H. Morkoc, A. D. Carlo, and P. Cingolani: Solid-State Electron. 46 (2002) 157.
22. J. P. Cheng, Y. J. Zhang, and R. Y. Guo: J. Cryst. Growth 310 (2008) 57.
23. T. Ueda, Z. H. An, K. Hirakawa, and S. Komiyama: J. Appl. Phys. 103 (2008) 093109.
24. X. P. Chen, H. L. Zhu, J. F. Cai, and Z. Y. Wu: J. Appl. Phys. 102 (2007) 024505.
25. S. Alamaviva, M. Marinelli, E. Milani, G. Prestopino, A. Tucciarone, C. Verona, G. V. Rinati, M. Angelone, and M. Pillon: Diamond Relat. Mater. 18 (2009) 101.
26. Y. K. Su, S. M. Peng, L. W. Ji, C. Z. Wu, W. B. Cheng, and C. H. Liu: Langmuir 26 (2010) 603.
27. E. Monroy, F. Omnès, and F. Calle: Semicond. Sci. Technol. 18 (2003) R33.
28. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen: J. Cryst. Growth 225 (2001) 110.
29. O. Harnack, C. Pacholski, H. Weller, A. Yasuda, and J. M. Wessels: Nano Lett. 3 (2003) 1097.