SiGe and Ge on insulator wafers

ECS Transactions

Volumn 35, Issue 5, 2011, Pages 29-38

  Daval, N ^a   Figuet, C ^a   Aulnette, C ^a   Landru, D ^a   Drazek, C ^a   Bourdelle, K K ^a   Guiot, E ^a   Letertre, F ^a   Nguyen, B Y ^a   Mazure, C ^a  

^a PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SILICON; SUBSTRATES;

CMOS NODES; COINTEGRATION; FULLY DEPLETED; GE ON INSULATORS; SIGE LAYERS; STRAINED LAYERS; THICKNESS UNIFORMITY;

SI-GE ALLOYS;

EID: 79960848957     PISSN: 19385862     EISSN: 19386737     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1149/1.3570773     Document Type: Conference Paper

References (16)

1. K.J. Kuhn, A. Murthy, R.Kotlyar, M. Kuhn, ECS Trans, 33 (6) p3-17 (2010)
2. O. Reilly, Semicond. Sci. Technol., 4 121-137 (1989)
3. C. Le Royer, M. Cassé, F. Andrieu, O. Weber, L. Brevard, P. Perreau, J.-F. Damlencourt, S. Baudot, C. Tabone, F. Allain, P. Scheiblin, C. Rauer, L. Hutin, C. Figuet, C. Aulnette, N. Daval, B.-Y. Nguyen, K. K. Bourdelle, Proc. ESSDERC, (2010)
4. T.E. Kazior , J.R. LaRochel, D. Lubyshev, J. M. Fastenau, W. K. Liu, M. Urteaga, W. Ha, J. Bergman, Choe, M. T. Bulsara, E. A. Fitzgerald, D. Smith, D. Clark, R. Thompson, C. Drazek, N. Daval, L. Benaissa, E. Augendre, Proc. IEEE MTT-S Boston, p1113-16 (2009)
5. S. Bedell, A. Majumdar, J. A. Ott, J. Arnold, K. Fogel, S. J. Koester, D. K. Sadana, IEEE Electron Device Lett., 29(7), (2008) p811-3
6. D. Sadana, S. Bedell, T. N. Adam, A Reznicek, H. He, 33 (6) (2010) p59-70
7. A. Khakifirooz, K. Cheng, P. Kulkarni, J. Cai, S. Ponoth, J. Kuss, B. S. Haran, A. Kimball, L. F. Edge, A. Reznicek, T. Adam, H. He, N. Loubet, S. Mehta, S. Kanakasabapathy, S. Schmitz, S. Holmes, B. Jagannathan, A. Majumdar, D. Yang, A. Upham, S.-C. Seo, J. L. Herman, R. Johnson, Y. Zhu, P. Jamison, Z. Zhu, L. H. Vanamurth, J. Faltermeier, S. Fan, D. Horak, H. Bu, D. K. Sadana, P. Kozlowski, D. McHerron, J. O'Neill, B. Doris, W. Haensch, E. Leobondung, G. Shahidi, Proc. VLSI-TSA, (2010)
8. W. Schwarzenbach, X. Cauchy, O. Bonnin, N. Daval, C. Aulnette, C. Girard, B.-Y. Nguyen, C. Maleville, ECS Trans, to be published (2011)
9. Q. Liu, A. Yagishita, N. Loubet, A. Khakifirooz, P. Kulkarni, T. Yamamoto, K. Cheng, M. Fujiwara, J. Cai, D. Dorman, S. Mehta, P. Khare, K. Yako, Y. Zhu, S. Mignot, S. Kanakasabapathy, S. Montray, F. Boeuf, C. Koburger, H. Sunamura, S. Ponoth, A. Reznicek, B. Haran, A. Upham, R. Johnson, L. F. Edge, J. Kuss, T. Levin, N. Berliner, E. Leobandung, T. Skotnicki, M. Hane, H. Bu, K. Ishimaru, W. Kleemeier, M. Takayanagi, B. Doris, R. Sampson, Symp. VLSI Tech., (2010)
10. K. Cheng, A. Khakifirooz, P. Kulkarni, S. Ponoth, J. Kuss, D. Shahrjerdi, L. F. Edge, A. Kimball, S. Kanakasabapathy, K. Xiu, S. Schmitz, A. Reznicek, T. Adam, H. He, N. Loubet, S. Holmes, S. Mehta, D. Yang, A. Upham, S.-C. Seo, J. L. Herman, R. Johnson, Y. Zhu, P. Jamison, B. S. Haran, Z. Zhu, L. H. Vanamurth, S. Fan, D. Horak, H. Bu, P. J. Oldiges, D. K. Sadana, P. Kozlowski, D. McHerron, J. O'Neill, B. Doris, IEDM Tech. Dig., (2009)
11. T. Tekuza, N. Sugiyama, S. Takagi, Appl. Phys. Lett., Vol. 79, No. 12, (2001)
12. I. Cayrefourcq, A. Boussagol, G.K. Celler, ECS Trans.,3 (7) p399-410 (2006)
13. th ULIS in Aachen (2009)
14. B.W. Dodson, J.Y. Tsao, Appl. Phys. Lett., 51(17), 1325 (1987)
15. L. Hutin, C. Le Royer, F. Andrieu, O. Weber, M. Cassé, J.-M. Hartmann, D. Cooper, A. Béché *, L. Brévard, L. Brunet, J. Cluzel, P. Batude, M. Vinet, and O. Faynot, IEDM Tech. Dig., (2010)
16. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, B. S. Meyerson, J. Appl. Phys., Vol. 65, No. 4, (1989)