Low resistivity TiSi2 on narrow p+ polycrystalline silicon lines

Applied Physics Letters

Volumn 81, Issue 2, 2002, Pages 259-261

  Herner, S B ^a   Vyvoda, M A ^a  

^a Matrix Semiconductor   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIRECT CONTACT; IN-SITU DOPING; LOW RESISTIVITY; PHASE FORMATIONS; PHASE TRANSFORMATION; POLYCRYSTALLINE-SI; POLYSILICON LINES; UNDOPED SILICON;

AMORPHOUS MATERIALS; BORON; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; POLYSILICON; SILICIDES; TITANIUM COMPOUNDS;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 79956045900     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1492010     Document Type: Article

References (17)

1. K. Maex, Mater. Sci. Eng., R 11, 53 (1993). msr MIGIEA 0927-796X
2. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices 38, 262 (1991); etd IETDAI 0018-9383
3. R. A. Roy, L. A. Clevenger, C. Cabral, Jr., K. L. Saenger, S. Braver, J. Jordan-Sweet, J. Bucchignano, G. G. Stephenson, G. Morales, and K. F. Ludwig, Appl. Phys. Lett. 66, 1732 (1995); apl APPLAB 0003-6951
4. J. A. Kittl, D. A. Prinslow, P. P. Apte, and M. F. Pas, 67, 2308 (1995). apl APPLAB 0003-6951
5. R. Beyers, D. Coulman, and P. Merchant, J. Appl. Phys. 61, 5110 (1987); jap JAPIAU 0021-8979
6. L. A. Clevenger, R. W. Mann, R. A. Roy, K. L. Saenger, C. Cabral, Jr., and J. Piccirillo, 76, 7874 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
7. R. W. Mann, G. L. Miles, T. A. Knotts, D. W. Rakowski, L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 3729 (1995). apl APPLAB 0003-6951
8. I. Sakai, H. Abiko, H. Kawaguchi, T. Hiryama, L. E. G. Johannson, and K. Okabe, Proceedings of the Symposium on VLSI Technol. Dig., 1992, p. 66.
9. J. A. Kittl, Q.-Z. Hong, M. Rodder, D. A. Prinslow, and G. R. Misium, Proceedings of the Symposium on VLSI Technol. Dig., 1996, p. 14.
10. K. Fujii, R. T. Tung, D. J. Eaglesham, K. Kikuta, and T. Kikkawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 402, 83 (1996). mrs MRSPDH 0272-9172
11. J. L. Benton, D. C. Jacobson, B. Jackson, J. A. Johnson, T. Boone, D. J. Eaglesham, F. A. Stevie, and J. Becerro, J. Electrochem. Soc. 146, 1929 (1999). jes JESOAN 0013-4651
12. J.-I. Shiozawa, Y. Kasai, Y.-I. Mikata, and K. Yamabe, J. Electrochem. Soc. 141, 1334 (1994); jes JESOAN 0013-4651
13. P. Joubert, M. Sarret, L. Haji, L. Hamedi, and B. Loisel, J. Appl. Phys. 66, 4806 (1989). jap JAPIAU 0021-8979
14. K. L. Pey, H. N. Chua, and S. Y. Siah, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 442 (2000). 8sw ESLEF6 1099-0062
15. S. P. Murarka, Silicides for VLSI Applications (Academic, New York, 1985).
16. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985). jap JAPIAU 0021-8979
17. S. B. Herner, B. P. Gila, K. S. Jones, H.-J. Gossmann, J. M. Poate, and H. S. Luftman, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3593 (1996). jvb JVTBD9 0734-211X