Effect of BF2+ implantation on void formation in Ti-salicided narrow polysilicon lines

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 3, Issue 9, 2000, Pages 442-445

  Pey, K L ^a   Chua, H N ^a   Siah, S Y ^b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BORON COMPOUNDS; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE; INTERFACES (MATERIALS); ION BEAMS; ION IMPLANTATION; RAPID THERMAL ANNEALING; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON; TITANIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BORON FLUORIDE; PREAMORPHIZATION IMPLANT; TITANIUM SILICIDE; VOID; X RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 0034273162     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1391174     Document Type: Article

References (27)

1. H. R. Liauh, M. C. Chen, J. F. Chen, W. Lur, and C. H. Chua, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect B, 74, 134 (1993).
2. W. Lur and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 66, 3604 (1989).
3. W. J. Chen and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 71, 653 (1992).
4. L. J. Chen, S. L. Cheng, and B. Y. Tsui, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect B, 121, 231 (1997).
5. L. J. Chen, J. Y. Yew, S. L. Cheng, K. M. Chen, K. Nakamura, and B. Y. Tsui, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 427, 499 (1996).
6. T. P. Chen, T. F. Lei, C. Y. Chang, W. Y. Hsieh, and L. J. Chen, J. Electrochem. Soc., 142, 2000 (1995).
7. C. H. Chu, J. J. Yang, and L. J. Chen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect B, 74, 138 (1993).
8. J. J. Yang and L. J. Chen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect B, 121, 2991 (1997).
9. T. P. Chow, W. Katz, and G. Smith, Appl. Phys. Lett., 46, 41 (1985).
10. S. Chittipeddi, A. K. Nanda, V. C. Kannan, and W. T. Chochran, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 303, 75 (1993).
11. C. S. Ho, R. P. G. Karunasiri, S. J. Chua, K. L. Pey, S. Y. Siah, K. H. Lee, and L. H. Chan, in Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference, p. 135 (1998).
12. C. W. Nieh and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 60, 3114 (1986).
13. J. J. Sung and C. -Y. Lu, J. Appl. Phys., ED-37, 2312 (1990).
14. H. -H. Tseng, M. Orlowski, P. J. Tobin, and R. L. Hance, IEEE Trans. Electron Device Lett., EDL-13, 14 (1992).
15. F. R. McFeely, J. F. Morar, N. D. Shinn, G. Landgren, and F. J. Himpsel, Phys. Rev. B, 30, 764 (1984); J. F. Morar, F. R. McFeely, N. D. Shinn, G. Landgren, and F. J. Himpsel, Appl. Phys. Lett., 45, 174 (1984).
16. F. R. McFeely, J. F. Morar, N. D. Shinn, G. Landgren, and F. J. Himpsel, Phys. Rev. B, 30, 764 (1984); J. F. Morar, F. R. McFeely, N. D. Shinn, G. Landgren, and F. J. Himpsel, Appl. Phys. Lett., 45, 174 (1984).
17. M. Delfino, B.-C. Chung, W. Tsai, S. Salimian, D. P. Favreau, and S. M. Merchant, J. Appl. Phys., 72, 3718 (1992).
18. S. B. Herner, K. S. Jones, H. J. Gossman, R. T. Tung, J. M. Poate, and H. S. Luftman, J. Appl. Phys., 82, 583 (1997).
19. Cs. Szeles, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, M. Anderle, T. P. Ma, and G. W. Rubloff, J. Appl. Phys., 76, 3403 (1994).
20. F. Fracassi, R. d'Agostino, R. Lamendola, and I. Mangieri, J. Vac. Sci. Technol., A, 13, 335 (1995).
21. R. d'Agostino, F. Fracassi, and C. Pacifico, J. Appl. Phys., 72, 4351 (1992).
22. S. W. Robey, M. A. Jaso, and G. S. Oehrlein, J. Appl. Phys., 65, 2951 (1989).
23. T. A. Carlson, J. C. Carver, I. J. Saethre, F. G. Santibanez, and G. A. Vernon, J. Electron Spectrosc., 5, 247 (1974).
24. (a) B. Wallbank, C. E. Johnson, and I. G. Main, J. Phys. C, 6, L340 (1973);
25. (b) B. Wallbank, C. E. Johnson, and I. G. Main, J. Electron Spectrosc., 5, 259 (1974).
26. C. D. Eagner, L. H. Gale, and R. H. Raymond, Anal. Chem., 51, 466 (1979).
27. G. Ramanath, J. E. Greene, J. R. A. Carlsson, L. H. Allen, V. C. Hornback, and D. J. Allman, J. Appl. Phys., 85, 1961 (1999).