Schottky energy barrier and charge injection in metal/copper- phthalocyanine/metal structures

Applied Physics Letters

Volumn 80, Issue 25, 2002, Pages 4840-4842

  Mahapatro, Ajit Kumar ^a   Ghosh, Subhasis ^a  

^a JAWAHARLAL NEHRU UNIVERSITY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER-PHTHALOCYANINE; CURRENT VOLTAGE; J-V CHARACTERISTICS; METAL ELECTRODES; ON CURRENTS; ORGANIC SEMICONDUCTOR; SCHOTTKY; SPACE CHARGE LIMITED CURRENTS;

ENERGY BARRIERS;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS;

EID: 79956011774     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1483388     Document Type: Article

References (29)

1. C. W. Tang and S. A. Van Slyke, Appl. Phys. Lett. 51, 381 (1987). apl APPLAB 0003-6951
2. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature (London) 347, 539 (1990). nat NATUAS 0028-0836
3. J. Kido, M. Kimura, and K. Nagai, Science 267, 1332 (1995). sci SCIEAS 0036-8075
4. M. Granstrom, K. Petrotsch, A. C. Arias, A. Lux, M. R. Anderson, and R. H. Friend, Nature (London) 395, 257 (1998). nat NATUAS 0028-0836
5. R. H. Friend et al., Nature (London) 397, 121 (1999). nat NATUAS 0028-0836
6. J. H. Schon, S. Berg, C. Kloc, and B. Batlogg, Science 287, 1022 (2000). sci SCIEAS 0036-8075
7. A. Dodabalapur, L. Torsi, and H. E. Katz, Science 268, 270 (1995). sci SCIEAS 0036-8075
8. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kimissis, A. Challegari, and M. Shaw, Science 283, 822 (1999). sci SCIEAS 0036-8075
9. G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 77, 1487 (2001). apl APPLAB 0003-6951
10. G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, and A. J. Heeger, Science 270, 1789 (1995). sci SCIEAS 0036-8075
11. J. H. Schon, C. Kloc, E. Bucher, and B. Batlogg, Nature (London) 403, 408 (2000). nat NATUAS 0028-0836
12. I. D. Parker, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
13. A. J. Campbell, D. D. C. Bradley, and D. G. Lidzey, J. Appl. Phys. 82, 6326 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
14. P. W. M. Blom, M. J. M. de Jong, and M. G. Van Munster, Phys. Rev. B 55, R656 (1997). prb PRBMDO 0163-1829
15. I. H. Campbell and D. L. Smith, Solid State Phys. 55, 1 (2001). ssp SSPHAE 0081-1947
16. I. H. Campbell, P. S. Davids, D. L. Smith, N. N. Barashkov, and J. P. Ferraries, Appl. Phys. Lett. 72, 1863 (1998); apl APPLAB 0003-6951
17. B. K. Crone, I. H. Campbell, P. S. Davids, and D. L. Smith, 73, 3162 (1998). apl APPLAB 0003-6951
18. I. H. Campbell and D. L. Smith, Appl. Phys. Lett. 74, 561 (1999); apl APPLAB 0003-6951
19. S. Barth et al., J. Appl. Phys. 89, 3711 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
20. A. Fujii, Y. Ohmori, and K. Yoshino, IEEE Trans. Electron Devices ED-44, 1204 (1997). etd IETDAI 0018-9383
21. W. L. Yu, J. Pie, Y. Cao, and W. Huang, J. Appl. Phys. 89, 2343 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
22. S. C. Kim, G. B. Lee, M. W. Choi, Y. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, J. G. Lee, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 1445 (2001). apl APPLAB 0003-6951
23. Z. Bao, A. J. Lovinger, and A. Dobabalpur, Appl. Phys. Lett. 69, 3066 (1996). apl APPLAB 0003-6951
24. D. Kolosov, D. S. English, V. Bulovic, P. F. Barbara, S. R. Forrest, and M. E. Thompson, J. Appl. Phys. 90, 3242 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
25. A. K. Mahapatro and S. Ghosh, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1911 (2001). etd IETDAI 0018-9383
26. G. Parthasarathy, P. E. Burrows, V. Khalfin, V. G. Kozlov, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 72, 2138 (1998). apl APPLAB 0003-6951
27. P. S. Davids, I. H. Campbell, and D. L. Smith, J. Appl. Phys. 82, 6319 (1997); jap JAPIAU 0021-8979
28. G. G. Malliaras and J. C. Scott, 85, 7426 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
29. J. C. Scott and G. G. Malliaras, Chem. Phys. Lett. 299, 115 (1999). cph CHPLBC 0009-2614