Characteristics and the model of resistive random access memory switching of the Ti/TiO2 resistive material depending on the thickness of Ti

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Kim, Sook Joo ^a   Sung, Min Gyu ^a   Joo, Moon Sig ^a   Kim, Wan Gee ^a   Kim, Ja Yong ^a   Yoo, Jong Hee ^a   Kim, Jung Nam ^a   Gyun, Byun Ggu ^a   Byun, Jun Young ^a   Roh, Jae Sung ^a   Park, Sung Ki ^a   Kim, Yong Soo ^b  

^a Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

^b University of Ulsan   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GETTERING; HIGH-RESISTANCE STATE; METAL ALLOYS; RESISTANCE RATIO; RESISTANCE VALUES; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE SWITCHING; TIN LAYERS; TIO;

OXYGEN; OXYGEN VACANCIES; TITANIUM; TITANIUM NITRIDE;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 79955382936     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DD14     Document Type: Article

References (14)

1. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H.-J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 769.
2. S. Muraoka, K. Osano, Y. Kanzawa, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, Y. Katoh, Z. Wei, T. Mikawa, K. Arita, Y. Kawashima, R. Azuma, K. Kawai, K. Shimakawa, A. Odagawa, and T. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 779.
3. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 2749.
4. R. Waser and M. Aono: Nat. Mater. 6 (2007) 833.
5. Z. Wei, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Iijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, K. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azuma, K. Shimakawa, H. Sugaya, T. Takagi, R. Yasuhara, K. Horiba, H. Kumigashira, and M. Oshima: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 293.
6. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y.Wu, Y. S. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 297.
7. Y. S. Chen, H. Y. Lee, P. S. Chen, P. Y. Gu, C. W. Chen, W. P. Lin, W. H. Liu, Y. Y. Hsu, S. S. Sheu, P. C. Chiang, W. S. Chen, F. T. Chen, C. H. Lien, and M. J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 1.
8. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, A. Douglas, A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams: Nat. Nanotechnol. 3 (2008) 429.
9. J. Borghetti, G. S. Snider, P. J. Kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart, and R. S. Williams: Nat. Lett. 464 (2010) 873.
10. D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser: Phys. Rev. B 79 (2009) 195317.
11. H. W. Kim, B. S. Ju, C. J. Kang, and J. T. Moon: Microelectron. Eng. 65 (2003) 185.
12. T. Chiaramonte, L. Cardoso, and R. Gelamo: Appl. Surf. Sci. 212-213 (2003) 661.
13. K. M. Kim, B. J. Choi, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 242906.
14. K. M. Kim, B. J. Choi, and C. S. Hwang: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 012907.