Transparent flexible organic transistors based on monolayer graphene electrodes on plastic

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 15, 2011, Pages 1752-1756

  Lee, Wi Hyoung ^a   Park, Jaesung ^a   Sim, Sung Hyun ^b   Jo, Sae Byeok ^a   Kim, Kwang S ^a   Hong, Byung Hee ^b   Cho, Kilwon ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

flexible electronics; graphene; organic transistors; pentacene

Indexed keywords

CARBON-BASED; METAL ELECTRODES; ORGANIC TRANSISTOR; PENTACENE FET; PENTACENE FILM; PENTACENES; PLASTIC SUBSTRATES; SOURCE/DRAIN ELECTRODES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; GRAPHITE ELECTRODES; MESFET DEVICES; MONOLAYERS;

FLEXIBLE ELECTRONICS;

GRAPHITE; ORGANIC COMPOUND;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRODE; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; SURFACE PROPERTY;

ELECTRODES; GRAPHITE; ORGANIC CHEMICALS; PARTICLE SIZE; SURFACE PROPERTIES; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 79954525660     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201004099     Document Type: Article

References (24)

1. a) A. K. Geim, Science 2009, 324, 1530
2. b) M. J. Allen, V. C. Tung, R. B. Kaner, Chem. Rev. 2010, 110, 132.
3. a) C. A. Di, D. C. Wei, G. Yu, Y. Q. Liu, Y. L. Guo, D. B. Zhu, Adv. Mater. 2008, 20, 3289
4. b) S. P. Pang, H. N. Tsao, X. L. Feng, K. Mullen, Adv. Mater. 2009, 21, 3488
5. c) C. G. Lee, S. Park, R. S. Ruoff, A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 023304.
6. R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres, A. K. Geim, Science 2008, 320, 1308.
7. M. S. Xu, M. Nakamura, M. Sakai, K. Kudo, Adv. Mater. 2007, 19, 371.
8. X. S. Li, W. W. Cai, J. H. An, S. Kim, J. Nah, D. X. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312.
9. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. F. Xu, J. S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. R. Kim, Y. I. Song, Y. J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J. H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotech. 2010, 5, 574.
10. A. Reina, X. T. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. B. Son, V. Bulovic, M. S. Dresselhaus, J. Kong, Nano Lett. 2009, 9, 3087.
11. a) C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99
12. b) K. Asadi, Y. Wu, F. Gholamrezaie, P. Rudolf, P. W. M. Blom, Adv. Mater. 2009, 21, 4109.
13. M. Ishigami, J. H. Chen, W. G. Cullen, M. S. Fuhrer, E. D. Williams, Nano Lett. 2007, 7, 1643.
14. a) S. Unarunotai, Y. Murata, C. E. Chialvo, H. S. Kim, S. MacLaren, N. Mason, I. Petrov, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 202101
15. b) S. Unarunotai, J. C. Koepke, C. L. Tsai, F. Du, C. E. Chialvo, Y. Murata, R. Haasch, I. Petrov, N. Mason, M. Shim, J. Lyding, J. A. Rogers, ACS Nano 2010, 4, 5591.
16. a) D. Knipp, R. A. Street, A. Volkel, J. Ho, J. Appl. Phys. 2003, 93, 347
17. b) W. Kalb, P. Lang, M. Mottaghi, H. Aubin, G. Horowitz, M. Wuttig, Synthetic Met. 2004, 146, 279.
18. a) D. H. Kim, H. S. Lee, H. C. Yang, L. Yang, K. Cho, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1363
19. b) H. S. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, M. Hwang, Y. Jang, K. Cho, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 10556.
20. N. Koch, A. Vollmer, I. Salzmann, B. Nickel, H. Weiss, J. P. Rabe, Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 156803.
21. P. V. Necliudov, M. S. Shur, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, Solid-State Electron. 2003, 47, 259.
22. G. B. Blanchet, C. R. Fincher, M. Lefenfeld, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 296.
23. Q. Cao, Z. T. Zhu, M. G. Lemaitre, M. G. Xia, M. Shim, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 113511.
24. J. A. Lim, W. H. Lee, D. Kwak, K. Cho, Langmuir 2009, 25, 5404.