Annealing effects on the magnetic dead layer and saturation magnetization in unit structures relevant to a synthetic ferrimagnetic free structure

Journal of Applied Physics

Volumn 109, Issue 1, 2011, Pages

  Jang, Soo Young ^a   You, Chun Yeol ^b   Lim, S H ^a   Lee, S R ^a  

^a Korea University   (South Korea)

^b Inha University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING EFFECTS; ANNEALING TEMPERATURES; FREE STRUCTURES; LOW TEMPERATURES; MAGNETIC DEAD LAYERS; MAGNETIC TUNNEL JUNCTION; SWITCHING PROPERTIES; UNIT STRUCTURE;

ANNEALING; COBALT COMPOUNDS; FERRIMAGNETISM; TUNNEL JUNCTIONS;

SATURATION MAGNETIZATION;

EID: 78751547275     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3527968     Document Type: Article

References (22)

1. J. Hayakawa, S. Ikeda, Y. M. Lee, R. Sasaki, F. Matsukura, T. Meguro, M. Takahashi, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, L1057 (2006).
2. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, T. Hanyu, and H. Ohno, IEEE Trans. Electron Devices 54, 991 (2007).
3. J. K. Han, K. H. Shin, and S. H. Lim, J. Appl. Phys. 101, 09F506 (2007).
4. C. W. Han, J. K. Han, and S. H. Lim, J. Appl. Phys. 106, 094508 (2009).
5. S. S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S.-H. Yang, Nature Mater. 3, 862 (2004).
6. S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando, Nature Mater. 3, 868 (2004).
7. L. Savtchenko, B. N. Engel, N. D. Rizzo, M. F. Deherrera, and J. A. Janesky, U.S. Patent No. 6,545,906 (8 April 2003).
8. S. Y. Jang, S. H. Lim, and S. R. Lee, J. Appl. Phys. 107, 09C707 (2010).
9. S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nature Mater. 9, 721 (2010).
10. S. Cardoso, P. P. Freitas, Z. D. Zhang, P. Wei, N. Barradas, and J. C. Soares, J. Appl. Phys. 89, 6650 (2001).
11. Y.-H. Wang, W.-C. Chen, C. D. Park, M.-J. Kao, and M.-J. Tsai, J. Appl. Phys. 99, 08M307 (2006).
12. K. Oguz, P. Jivrajka, M. Venkatesan, G. Feng, and J. M. D. Coey, J. Appl. Phys. 103, 07B526 (2008).
13. M. Kowalewski, W. H. Butler, N. Moghadam, G. M. Stocks, T. C. Scholthess, K. J. Song, J. R. Thompson, A. S. Arrott, T. Zhu, J. Drewes, R. R. Katti, M. T. McClure, and O. Escorcia, J. Appl. Phys. 87, 5732 (2000).
14. D. D. Djayaprawira, K. Tsunekawa, M. Nagai, H. Maehara, S. Yamagata, N. Watanabe, S. Yuasa, Y. Suzuki, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 86, 092502 (2005).
15. Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 90, 212507 (2007).
16. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. Ashizawa, Y. M. Lee, K. Miura, H. Hasegawa, M. Tsunoda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 93, 082508 (2008).
17. D. J. Kim, J. Y. Bae, W. C. Lim, K. W. Kim, and T. D. Lee, J. Appl. Phys. 101, 09B505 (2007).
18. S. V. Karthik, Y. K. Takahashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Ikeda, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 106, 023920 (2009).
19. T. Miyajima, T. Ibusuki, S. Umehara, M. Sato, S. Eguchi, M. Tsukada, and Y. Kataoka, Appl. Phys. Lett. 94, 122501 (2009).
20. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4th ed. (Wiley, New York, 1971).
21. T. J. Klemmer, K. A. Ellis, L. H. Chen, B. van Dover, and S. Jin, J. Appl. Phys. 87, 830 (2000).
22. T. Taniguchi, S. Yakata, H. Imamura, and Y. Ando, IEEE Trans. Magn. 44, 2636 (2008).