Resonant Raman scattering in ZnO nanostructures annealed at different temperatures

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 57, Issue 61, 2010, Pages 1569-1573

  Phan, T L ^a   Yu, S C ^a   Nghia, N X ^b   Lam, V D ^b  

^a Chungbuk National University   (South Korea)

^b INSTITUTE OF MATERIALS SCIENCE   (Viet Nam)

Author keywords

Multiphonon; Raman scattering; ZnO nanostructures

Indexed keywords

EID: 78650326699     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.57.1569     Document Type: Article

References (25)

1. T. L. Phan, Y. K. Sun, R. Vincent, D. Cherns, N. X. Nghia and S. C. Yu, J. Korean Phys. Soc. 52, 1633 (2008).
2. Ü. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reschikov, S. Doǧan, V. Avrutin, S. J. Cho and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
3. Z. L. Wang, J. Phys. Condens. Matter 16, R828 (2004).
4. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol., B 10, 1237 (1992).
5. P. Wang, N. F. Chen, Z. G. Yin, F. Yang, C. T. Peng, R. X. Dai and B. Y. M, J. Appl. Phys. 100, 043704 (2006).
6. Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki and Y. Taga, Appl. Phys. Lett. 88, 172103 (2006).
7. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, C. G. Kang and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 021106 (2007).
8. T. Steiner, Semiconductor Nanostructures for OptoelectronicApplications (Artech House Inc., Boston-London, 2004).
9. Y. Qin, X. D. Wang and Z. L. Wang, Nature 451, 809 (2008).
10. T. L. Phan, V. Roger, D. Cherns, N. X. Nghia, V. V. Ursaki, Nanotechnology 19, 475702 (2008).
11. V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. V. Zalamai, E. V. Rusu, G. A. Emelchenko, V. M. Masalov and E. N. Samarov, Phys. Rev. B 70, 155204 (2004).
12. B. Kumar, H. Gong, S. Y. Chow, S. Tripathy and Y. Hua, Appl. Phys. Lett. 89, 071922 (2006).
13. H. M. Cheng, K. F. Lin, H. C. Hsu, C. J. Lin, L. J. Lin and W. F. Hsieh, J. Phys. Chem. B 109, 18385 (2005).
14. H. M. Cheng, K. F. Lin, H. C. Hsu and W. F. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 88, 261909 (2006).
15. X. M. Zhu, H. Z. Wu, Z. J. Yuan, J. F. Kong and W. Z. Shen, J. Raman Spectrosc. 40, 2155 (2009).
16. R. B. Liu, A. L. Pan, H. M. Fan, F. F. Wang, Z. X. Shen, G. Z. Yang, S. S. Xie and B. S. Zou, J. Phys. Condens. Matter 19, 136206 (2007).
17. C. L. Du, Z. B. Gu, Y. M. You, J. Kasim, T. Yu, Z. X. Shen, Z. H. Ni, Y. Ma, G. X. Cheng and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 103, 023521 (2008).
18. Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto and T. Yao, J. Appl. Phys. 104, 073515 (2008).
19. G. Shan, L. Xu, G. Wang and Y. Liu, J. Phys. Chem. 111, 3290 (2007).
20. V. V. Ursakia, O. I. Lupan, L. Chow, I. M. Tiginyanua and V. V. Zalamaia, Solid State Commun. 143, 437 (2007).
21. R. M. Martin and C. M. Varma. Phys. Rev. Lett. 26, 1241 (1971).
22. J. F. Scott, T. C. Damem, W. T. Silfvast, R. C. C. Leite and L. E. Cheesman, Opt. Commun. 1, 397 (1970).
23. K. Huang and A. Rhys, Proc. R. Soc. London, Ser. A204, 406 (1950).
24. N. Y. Garces, N. C. Gilles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, D. B. Eason, D. C. Reynolds and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1334 (2003).
25. J. F. Scott, Phys. Rev. B 2, 1209 (1970).