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Volumn 59, Issue 8, 2010, Pages 5652-5660

A first principle study on p-type doped 3C-SiC

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Doping; Electronic structure; SiC; VASP

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EID: 77955835981     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.